用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备和应用制造技术

本发明专利技术涉及一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，以重量份计，包括如下组分：酸性缓冲剂5～10份；氟化物5～10份；胺类有机溶剂30～50份；酯类有机溶剂10～20份；酮类有机溶剂20～30份；纯水10～30份。其制备，包括：按上述重量份，将各组分混合，于常温搅拌30min，制得半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂。本发明专利技术的清洗剂既能将污染物彻底去除，确保了该类设备完全清洗干净，无粒子带入污染蚀刻腔体，又保证了基体材质不受损害，从而减少陶瓷涂层脱落的风险。

【技术实现步骤摘要】
用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备和应用
本专利技术属于属于半导体设备零件清洗
，特别涉及一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备方法和应用。
技术介绍
半导体集成电路制造工艺技术持续快速发展，新技术的不断涌现带动芯片集成度迅速提高，28纳米已经成为主流制程工艺，同时新技术再向16纳米、8纳米的线宽发展。其中的等离子体刻蚀及等离子体清洁已经成为其半导体制程工艺最关键的流程之一。随着进入到高制程设备，蚀刻腔体等离子功率越来越大，等离子体对刻蚀工艺腔壁的损伤带来的粒子污染问题也越来越大，为了使由等离子体蚀刻工艺引进的粒子污染最小化，目前市场上已开发了很多耐等离子体轰击的腔室材料，这些等离子体材料包括由Al2O3、AlN、SiC、Y2O3等组成的陶瓷喷涂层，这类陶瓷喷涂零件在蚀刻腔体内运行一段时间后，其表面吸附了大量的CF化产物，如不对其定期拆卸清洗，就会产生大量污染离子，影响产品良率。传统的清洗方法存在附着产物清洗不彻底形成粒子污染、部件基体(一般为阳极氧化铝)腐蚀造成陶瓷喷涂层脱落等问题。因此，研发一种有效的清洗剂配方，既能将污染物彻底去除，又对基材(一般为阳极氧化铝)很好的保护尤为重要。而到目前为止，尚未见关于此类清洗剂的相关文献报道。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂及其制备方法和应用。本专利技术的清洗剂既能将污染物彻底去除，确保了该类设备完全清洗干净，无粒子带入污染蚀刻腔体，又保证了基体材质不受损害，从而减少陶瓷涂层脱落的风险。本专利技术的目的通过以下技术方案来实现：本专利技术的第一目的在于提供一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，以重量份计，包括如下组分：其中，所述酸洗缓冲液选自羟基乙酸、甲酸、乙酸中的一种或几种；所述氟化物选自氟化铵、氟硼酸的一种或两种的混合；所述胺类有机溶剂选自一乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基甲酰胺、三乙烯四胺中的一种或几种；所述酯类有机溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯中的一种或两种的混合；所述酮类有机溶剂选自环已酮、N-甲基吡咯烷酮中的一种或两种的混合。进一步的，所述清洗剂，以重量份计，包括如下组分：进一步的，所述清洗剂，以重量份计，包括如下组分：进一步的，所述清洗剂，以重量份计，包括如下组分：本专利技术的第二目的在于提供一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂的制备方法，包括：按上述重量份，将各组分混合，于常温搅拌30min，制得半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂。本专利技术的第三目的在于提供一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂的应用，包括：将含陶瓷涂层的蚀刻零件放入所述清洗剂中，清洗剂温度保持在30～40℃，同时超声波清洗频率为25～48KHZ，超声波功率密度1～10W/inch2，进行超声波清洗30min，再将蚀刻零件取出纯水冲洗3～5min，将其陶瓷涂层上附着的污染物完全去除。进一步的，所述超声波清洗频率为45～48KHZ，超声波功率密度5～10W/inch2。与现有技术相比，本专利技术的积极效果如下：本专利技术的清洗剂既能将污染物彻底去除，确保了该类设备完全清洗干净，无粒子带入污染蚀刻腔体，又保证了基体材质不受损害，从而减少陶瓷涂层脱落的风险。具体实施方式下面结合具体实施例，进一步阐述本专利技术。应理解，这些实施例仅用于说明本专利技术而不用于限制本专利技术的范围。此外应理解，在阅读了本专利技术讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本专利技术作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。以下实施例所使用的原料均通过市售获得。实施例1按如下重量份的原料，配置清洗剂：将以上各组份原料依次加入烧瓶中，机械搅拌30min，得到粘稠、不分层的透明液体，即为清洗剂。含陶瓷涂层的蚀刻零件放入该混合的清洗剂中，清洗槽温度清洗液温度保持在40℃，同时在清洗槽内施以48KHZ频率超声波，超声波功率密度5～10W/inch2，在此环境下进行30min的超声波清洗，再将其取出纯水冲洗5min，清洗效果评价见表1。实施例2按如下重量份的原料，配置清洗剂：将以上各组份原料依次加入烧瓶中，机械搅拌30min，得到粘稠、不分层的透明液体，即为清洗剂。含陶瓷涂层的蚀刻零件放入该混合的清洗剂中，清洗槽温度清洗液温度保持在30℃，同时在清洗槽内施以48KHZ频率超声波，超声波功率密度5～10W/inch2，在此环境下进行30min的超声波清洗，再将其取出纯水冲洗5min，清洗效果评价见表1。实施例3按如下重量份的原料，配置清洗剂：将以上各组份原料依次加入烧瓶中，机械搅拌30min，得到粘稠、不分层的透明液体，即为清洗剂。含陶瓷涂层的蚀刻零件放入该混合的清洗剂中，清洗槽温度清洗液温度保持在30℃，同时在清洗槽内施以48KHZ频率超声波，超声波功率密度5～10W/inch2，在此环境下进行30min的超声波清洗，再将其取出纯水冲洗5min，清洗效果评价见表1。对比实施例1使用市售SKT-01清洗剂，百德化工公司提供，于30℃，超声波功率密度5W/inch2，在此环境下进行30min的超声波清洗，对比清洗效果。表1清洗剂清洗效果评价表评价参数实施例1实施例2实施例3对比例1膜去除率100％100％100％99％残胶量无残胶无残胶无残胶少量残留陶瓷涂层脱落情况无脱落无脱落无脱落有少量脱落基材损坏情况无损坏无损坏无损坏有少量腐蚀以上显示和描述了本专利技术的基本原理、主要特征和本专利技术的优点。本行业的技术人员应该了解，本专利技术不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本专利技术的原理，在不脱离本专利技术精神和范围的前提下本专利技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本专利技术范围内。本专利技术要求保护范围由所附的权利要求书及其等同物界定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，其特征在于：以重量份计，包括如下组分：

【技术特征摘要】
1.一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，其特征在于：以重量份计，包括如下组分：其中，所述酸洗缓冲液选自羟基乙酸、甲酸、乙酸中的一种或几种；所述氟化物选自氟化铵、氟硼酸的一种或两种的混合；所述胺类有机溶剂选自一乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二甲基甲酰胺、三乙烯四胺中的一种或几种；所述酯类有机溶剂选自乙酸乙酯、乙酸丁酯中的一种或两种的混合；所述酮类有机溶剂选自环已酮、N-甲基吡咯烷酮中的一种或两种的混合。2.根据权利要求1所述的一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，其特征在于：所述清洗剂，以重量份计，包括如下组分：3.根据权利要求1所述的一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，其特征在于：所述清洗剂，以重量份计，包括如下组分：4.根据权利要求1所述的一种用于去除半导体蚀刻腔体陶瓷涂层零件污染物的清洗剂，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：何桥，贺贤汉，
申请(专利权)人：上海申和热磁电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31