低噪声跨导放大器制造技术

本文涉及低噪声跨导放大器，提供了用于跨导放大器(诸如，分离共源共栅低噪声跨导放大器(LNTAs)的装置和方法。在实施例中，LNTA包括分离电流路径，每个分离电流路径通过不同的交流(AC)耦合电容器耦合到不同的混频器。在不同操作模式期间，例如当LNTA的输入在不同频带内时，可以启用LNTA的分离电流路径。

【技术实现步骤摘要】
低噪声跨导放大器相关申请的交叉引用本申请还涉及与本申请同一日提交的题为“LOCALOSCILLATORPATHS”的美国专利申请No.14/956,189，其公开内容通过引用以其整体并入本文。
本公开的实施例涉及电子电路，更具体地涉及跨导放大器和/或振荡器和混频器之间的路径。
技术介绍
接收器的前端可以包括低噪声放大器，用于下变频接收信号的混频器，本地振荡器以及从振荡器(OSC)到混频器的信号路径，其中信号路径提供本地振荡器(LO)信号到混频器。射频(RF)接收器的前端通常放大并混合通过天线接收的RF信号。低噪声放大器可以放大接收的信号并将放大的信号提供给混频器。在解调RF信号中，混频器可以通过将RF信号与来自LO的信号混频来将RF信号下变频到中频(IF)，该中频低于接收的RF信号的频率。低噪声放大器的一种形式是低噪声跨导放大器(LNTA)。LNTA放大从天线接收的RF信号，然后提供可以施加到混频器的放大的RF电流信号。跨导放大器提供作为输入电压的函数的输出电流，并且在放大器中和LNTA中的跨导的公共测量是其跨导(Gm)传递函数。除了Gm传递函数，LNTA的其他特性还包括噪声性能和线性度。对于质量接收和解调，通常期望具有具有低失真的相对低噪声系数(NF)的LNTA。在接收器中，解调过程通常涉及混频器。混频器可以基于来自LO的信号来下变频输入信号。在一些情况下，可以使用单独的混频器来将RF信号下变频不同的量，使得混频器输出处于IF。例如，一个混频器可以用于下变频高频带中的RF信号，并且另一混频器可以用于下变频低于高频带的低频带中的RF信号。提供给这些混频器的LO信号可以具有不同的频率，并且这些LO信号可以通过处理来自单个OSC的输出信号来生成。
技术实现思路
为了总结本公开的目的，本文描述了本专利技术的某些方面，优点和新颖特征。应当理解，根据本专利技术的任何特定实施例，不一定所有这些优点都可以实现。因此，本专利技术可以以实现或优化如本文所教导的一个优点或一组优点的方式实施或实施，而不必实现本文可能教导或建议的其他优点。本专利技术的一个方面是一种装置，其包括跨导放大器，混频器和电容电路。跨导放大器包括具有从共源共栅节点到第一输出的第一电流路径和从共源共栅节点到第二输出的第二电流路径的分离共源共栅电流路径。跨导放大器被配置为接收射频(RF)输入电压，在第一状态下向第一输出提供RF输出电流，以及在第二状态下将RF输出电流提供给第二输出。混频器包括第一混频器和第二混频器。电容电路包括第一电容器和第二电容器。第一电容器电耦合在跨导放大器的第一输出和第一混频器的输入之间，并且第二电容器电耦合在跨导放大器的第二输出和第二混频器的输入之间。第一电容器和第二电容器具有不同的电容。跨导放大器可以包括交叉耦合的公共栅极放大器。交叉耦合公共栅极放大器可以包括与第二场效应晶体管交叉耦合的第一场效应晶体管，其中共源共栅节点在第一场效应晶体管的漏极处。混频器还可以包括第三混频器和第四混频器，并且共源共栅节点可以在交叉耦合的公共栅极放大器的第一晶体管的端子处。跨导放大器还可以包括在交叉耦合的公共栅极放大器的第二晶体管的端子处的第二共源共栅节点，其中第二晶体管与第一晶体管交叉耦合。此外，跨导放大器可以被配置为在第一状态中提供从第二共源共栅节点到第三混频器的输入的第二RF输出电流；并且跨导放大器可以在第二状态中将第二RF输出电流从第二共源共栅节点提供到第四混频器的输入。共源共栅节点相对于跨导放大器的其他节点可以具有低阻抗。此外，第一状态可以与RF输入电压的低于第二状态的频率相关联，并且第一电容器的电容可以大于第二电容器的电容。第一混频器可以被配置为在频域中将RF输出电流的频率下变频不同于第二混频器的频率；并且第一混频器和第二混频器可以提供近似相同的信号增益。该装置还可以包括具有至少为4的高频带到低频带频率比的接收器，其中接收器包括跨导放大器，混频器和电容电路。此外，第一状态可以与具有在169MHz频带或433MHz频带中的至少一个中的频率的RF输入电压相关联；并且第二状态可以与具有在868MHz频带或900MHz频带中的至少一个中的频率的RF输入电压相关联。跨导放大器可以被配置为响应于指示RF输入电压的频率的控制信号而改变状态。本专利技术的另一方面是一种装置，包括跨导放大器，电容电路和混频器。跨导放大器包括放大电路和选择电路。放大电路被配置为接收射频输入电压并提供射频电流。选择电路被配置为从放大电路接收射频电流，在第一状态下将射频电流提供给第一输出，并且在第二状态下将射频电流提供给第二输出。电容电路包括电耦合到选择电路的第一输出的第一电容器和电耦合到选择电路的第二输出的第二电容器。第一电容器和第二电容器具有不同的电容。混频器包括第一混频器和第二混频器。第一混频器具有通过第一电容器电连接到选择电路的第一输出的输入；并且所述第二混频器具有通过第二电容器电耦合到所述选择电路的第二输出的输入。选择电路可以被配置为响应于控制信号改变状态；并且控制信号可以指示射频输入电压的频率。此外，第一状态可以与射频输入电压的频率低于第二状态相关联；以及第一电容器的电容可以大于第二电容器的电容。放大电路可以包括交叉耦合的公共栅极放大器；以及选择电路可以电连接到相对于放大电路的其他节点具有低阻抗的共源共栅节点。在本专利技术的另一方面中，一种电子系统包括混频器，低噪声跨导放大器和振荡器路由块。混频器包括第一混频器和第二混频器。低噪声跨导放大器包括分离共源共栅电流路径。低噪声跨导放大器被配置为在电子系统的第一状态下通过第一耦合电容器向第一混频器提供射频(RF)输出电流；并且所述低噪声跨导放大器被配置为在所述电子系统的第二状态中通过第二耦合电容器向所述第二混频器提供所述RF输出电流。第一电容器和第二电容器具有不同的电容。振荡器路由块包括在振荡器和第一混频器之间的第一路径和在振荡器和第二混频器之间的第二路径。振荡器路由块被配置为从振荡器接收振荡器信号，在电子系统的第一状态中启用第一路径，并且在电子系统的第二状态中启用第二路径。振荡器路由块的第一路径可以是低频带路径，并且振荡器块的第二路径可以是高频带路径，并且电子系统的第一状态可以是低频带状态，并且第二状态的电子系统可以是高频带状态。振荡器路由块的第一路径可以包括射频分频器和占空比校正电路。射频分频器可以被配置为将振荡器信号除以大于1的正奇数整数除数；以及占空比校正电路可以被配置为接收来自射频分频器的输出并且提供具有比来自射频分频器的输出更接近50％的占空比的输出。振荡器路由块的第一路径可以包括电耦合在占空比校正电路和第一混频器之间的占空比降低电路。占空比减小电路可以被配置为接收占空比校正电路的输出，并且提供具有占空比的输出，该占空比对应于占空比校正电路的输出的占空比除以正的偶数。电子系统可以包括I信道滤波器和Q信道滤波器，其中第一混频器电耦合到I信道滤波器的输入，第二混频器电耦合到Q信道滤波器的输入。本专利技术的另一方面是一种装置，包括振荡器，混频器和振荡器路由块。振荡器被配置为提供振荡器信号。混频器包括第一混频器和第二混频器。第一混频器被配置为对低频带射频信号进行下变频。第二混频器被配置为对高频带射频信号进行下变频。低频带射频信号处于比高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种装置，包括：包括分离共源共栅电流路径的跨导放大器，所述分离共源共栅电流路径包括从共源共栅节点到第一输出的第一电流路径以及从所述共源共栅节点到第二输出的第二电流路径，并且所述跨导放大器被配置成接收射频(RF)输入电压，在第一状态下向所述第一输出提供RF输出电流，以及在第二状态下向所述第二输出提供所述RF输出电流；混频器，包括第一混频器和第二混频器；和电容电路，包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器电耦合在所述跨导放大器的第一输出和所述第一混频器的输入之间，所述第二电容器电耦合在所述跨导放大器的第二输出和第二混频器的输入之间，所述第一电容器和所述第二电容器具有不同的电容。

【技术特征摘要】
2015.12.01 US 14/956,257;2015.12.01 US 14/956,1891.一种装置，包括：包括分离共源共栅电流路径的跨导放大器，所述分离共源共栅电流路径包括从共源共栅节点到第一输出的第一电流路径以及从所述共源共栅节点到第二输出的第二电流路径，并且所述跨导放大器被配置成接收射频(RF)输入电压，在第一状态下向所述第一输出提供RF输出电流，以及在第二状态下向所述第二输出提供所述RF输出电流；混频器，包括第一混频器和第二混频器；和电容电路，包括第一电容器和第二电容器，所述第一电容器电耦合在所述跨导放大器的第一输出和所述第一混频器的输入之间，所述第二电容器电耦合在所述跨导放大器的第二输出和第二混频器的输入之间，所述第一电容器和所述第二电容器具有不同的电容。2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述跨导放大器包括交叉耦合的公共栅极放大器。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述交叉耦合的公共栅极放大器包括与第二场效应晶体管交叉耦合的第一场效应晶体管，并且其中所述共源共栅节点在所述第一场效应晶体管的漏极处。4.根据权利要求2所述的装置，其中：所述混频器还包括第三混频器和第四混频器，所述共源共栅节点在所述交叉耦合的公共栅极放大器的第一晶体管的端子处，所述跨导放大器还包括在所述交叉耦合的公共栅极放大器的第二晶体管的端子处的第二共源共栅节点，其中所述第二晶体管与所述第一晶体管交叉耦合，所述跨导放大器经配置以在所述第一状态中向所述第三混频器的输入提供所述第二共源共栅节点的第二RF输出电流，且在第二状态下向所述第四混频器的输入提供所述第二共源共栅节点的所述第二RF输出电流。5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述共源共栅节点相对于所述跨导放大器的其他节点具有低阻抗。6.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一状态与低于所述第二状态的所述RF输入电压的较低频率相关联，并且其中所述第一电容器的电容大于所述第二电容器的电容。7.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一混频器被配置为在所述频域中将所述RF输出电流的频率下变频不同于所述第二混频器的频率，并且其中所述第一混频器和所述第二混频器提供近似相同的信号增益。8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述装置包括具有至少为4的高带到低带频率比的接收器，所述接收器包括跨导放大器，所述混频器和所述电容电路。9.根据权利要求8所述的装置，其中，所述第一状态与具有在169MHz频带或433MHz频带中的至少一个的频率的RF输入电压相关联，并且其中所述第二状态与具有在868MHz频带或900MHz频带中的至少一个的频率的RF输入电压相关联。10.根据权利要求1所述的设备，其中，所述跨导放大器经配置以响应于指示所述RF输入电压的频率的控制信号而改变状态。11.一种装置，包括：跨导放大器，包括：放大电路，被配置为接收射频输入电...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·瑟尔瓦纳亚佳姆，S·A·奥玛霍尼，M·J·荻尼，N·K·可尔尼，
申请(专利权)人：亚德诺半导体集团，
类型：发明
国别省市：百慕大群岛,BM