波长转换材料及其应用制造技术

本发明专利技术公开一种波长转换材料及其应用。波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点，其具有化学通式CsPb(Cl

【技术实现步骤摘要】
波长转换材料及其应用
本专利技术涉及一种波长转换材料及其应用，且特别是涉及一种包括全无机钙钛矿量子点的波长转换材料及其应用。
技术介绍
现阶段的常见发光材料以荧光粉及量子点最为普遍。然而目前荧光粉市场已趋向饱和，且荧光粉的放光光谱的半高宽普遍过宽，而至今难以突破，此导致应用于装置上的技术受限制。于是人们纷纷趋向量子点领域发展使之成为现阶段研究潮流。纳米材料其颗粒介于1至100纳米并依照大小而分类。半导体纳米晶体(nanocrystals；NCs)又称之为量子点(quantumdots；QDs)，其颗粒尺寸归类为0维的纳米材料。纳米材料被广泛使用于发光二极管、太阳能电池、生物标记等应用，其独特的光学、电学及磁学特性使之成为研究新兴产业。量子点具窄半高宽的特性，故其放光特性应用于发光二极管装置上将可有效解决传统荧光粉色域不够宽广的问题，格外引起关注。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提供一种波长转换材料及其应用。根据本专利技术的一方面，提出一种发光装置，其包括一发光二极管芯片与一波长转换材料。波长转换材料可被发光二极管芯片射出的第一光线激发而发出不同于第一光线的波长的第二光线。波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点。全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。根据本专利技术的另一方面，提出一种波长转换材料，其包括两种以上不同性质的全无机钙钛矿量子点。全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。为了对本专利技术的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合所附附图，作详细说明如下：附图说明图1为本专利技术一实施例的发光二极管芯片图；图2为本专利技术一实施例的发光二极管芯片图；图3为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图4为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图5为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图6为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图7为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图8为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图9为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图10为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图11为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图12为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图13为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图14为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图15为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图16为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图17为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构图；图18为本专利技术一实施例的显示模块图；图19为本专利技术一实施例的显示模块图；图20为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构的立体图；图21为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构的透视图；图22为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构的立体图；图23至图26为根据一实施例的发光装置的制造方法示意图；图27为本专利技术一实施例的插件式发光单元图；图28为本专利技术一实施例的插件式发光单元图；图29为本专利技术一实施例的插件式发光单元图；图30为本专利技术一实施例的发光装置图；图31为本专利技术一实施例的发光装置对应一像素部分的立体图；图32为本专利技术一实施例的发光装置对应一像素部分的剖视图；图33为根据实施例的全无机钙钛矿量子点的X光绕射图谱；图34为根据实施例的全无机钙钛矿量子点的光激发荧光光谱图；图35为本专利技术实施例的全无机钙钛矿量子点的CIE图谱位置；图36为根据实施例的全无机钙钛矿量子点的X光绕射图谱；图37为根据实施例的全无机钙钛矿量子点的光激发荧光光谱图；图38显示根据实施例的全无机钙钛矿量子点的CIE图谱位置；图39为根据实施例的全无机钙钛矿量子点的光激发荧光光谱图；图40为根据实施例的蓝色发光二极管芯片搭配红色全无机钙钛矿量子点与黄色荧光粉的发光二极管封装结构的光激发荧光光谱图；图41显示根据实施例的发光二极管封装结构的发光色点的CIE图谱位置分布；图42为根据实施例的显示发光二极管芯片激发全无机钙钛矿量子点CsPbBr3与CsPbI3时的光激发荧光光谱图；图43显示发光二极管芯片激发全无机钙钛矿量子点CsPbBr3与CsPbI3时的CIE图谱位置分布。符号说明102、202、302、3102、3202：发光二极管芯片302s：出光面3102S1、3102S2：表面104、204：基底106：外延结构108：第一型半导体层110：主动层112：第二型半导体层114、214、2048、3214、3214R、3214G、3214B、3214W：第一电极116、216、2050、3216：第二电极318、418、518、618、718、818、918、1018、1118、1218、1318、1418、1518、1618、1718、2018、2218、2318：发光二极管封装结构320、2761：基座321：固晶区322：杯壁323、1523：容置空间324、324A、324B、724、3124、3124R、3124G、3124B、3124W：波长转换层326：反射墙326s：顶面428、628：结构元件428a、628a：容置区530、1830、1830A、1830B、1830C、1830D：光学层1737、2837：透明胶体1134：间隔空间1536：导电件1822:光源1838：侧光式背光模块1938：直下式背光模块2538、2638、3038：发光装置1820：框架1840：反射片1842：导光板1842a：入光面1842b：出光面1844：反射片1946：光学层2051：直立部分2053：横脚部分2352：导电板2354：导电条1855、2155、2555：电路板2456、2756、2856、2956：插件式发光单元2157：接垫2658：灯壳2660：散热器2762：第一基板2764：第二基板2766：第一电极插脚2768：第二电极插脚2770：第一接触垫2772：第二接触垫2774：绝缘层3076：壳体3078：透明灯罩3080：电路板3082：驱动电路3184：发光装置S：间隔层具体实施方式此揭露内容的实施例提出一种波长转换材料及其应用。波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点，其具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，能通过组成及/或尺寸改变发光波长，使用弹性大。此外，全无机钙钛矿量子点能展现出半高宽窄的放光光谱及优异的纯色性，因此应用在照明光源或显示装置等发光装置时能提升发光效果，如演色性、显色度、色域等。须注意的是，本专利技术并非显示出所有可能的实施例，未于本专利技术提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，附图上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本专利技术保护范围之用。另外，实施例中的叙述，例如细部结构、制作工艺步骤和材料应用等等，仅为举例说明之用，并非对本专利技术欲保护的范围做限缩。实施例的步骤和结构各的细节可在不脱离本专利技术的精神和范围内根据实际应用制作工艺的需要而加以变化与修饰。以下是以相同/类似的符号表示相同/类似的元件做说明。实施例中，发光装置包括发光二极管芯片与波长转换材料。波长转换材料可被发光二极管芯片射出的第一光线激发而本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：发光二极管芯片；以及波长转换材料，可被该发光二极管芯片射出的第一光线激发而发出不同于该第一光线的波长的第二光线，该波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点，该全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(Cl

【技术特征摘要】
2016.09.26 TW 105131057;2015.11.30 US 62/260,657;21.一种发光装置，包括：发光二极管芯片；以及波长转换材料，可被该发光二极管芯片射出的第一光线激发而发出不同于该第一光线的波长的第二光线，该波长转换材料包括全无机钙钛矿量子点，该全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1。2.如权利要求1所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a)3或CsPb(Br1-bIb)3。3.如权利要求1所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(Br1-bIb)3，其中0.5≤b≤1，该全无机钙钛矿量子点为红色量子点。4.如权利要求3所述的发光装置，其中从该红色量子点激发出的该第二光线的波峰位置为570nm至700nm，半高宽为20nm至60nm。5.如权利要求1所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(Br1-bIb)3，其中0≤b<0.5，该全无机钙钛矿量子点为绿色量子点。6.如权利要求5所述的发光装置，其中从该绿色量子点激发出的该第二光线的波峰位置为500～570nm，半高宽为15至40nm。7.如权利要求1所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a)3，其中0<a≤1，该全无机钙钛矿量子点为蓝色量子点。8.如权利要求7所述的发光装置，其中从该蓝色量子点激发出的该第二光线的波峰位置为400nm至500nm，半高宽为10nm至30nm。9.如权利要求1所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点的粒径范围为1nm至100nm。10.如权利要求9所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点为粒径范围10nm至14nm的红色量子点，或该全无机钙钛矿量子点为粒径范围8nm至12nm的绿色量子点，或该全无机钙钛矿量子点为粒径范围7nm至10nm的蓝色量子点。11.如权利要求1所述的发光装置，其中该全无机钙钛矿量子点包括第一全无机钙钛矿量子点与第二全无机钙钛矿量子点，该第一全无机钙钛矿量子点与该第二全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(ClaBr1-a-bIb)3，其中0≤a≤1，0≤b≤1，该第一全无机钙钛矿量子点与该第二全无机钙钛矿量子点具有不同性质。12.如权利要求11所述的发光装置，其中该第一全无机钙钛矿量子点与该第二全无机钙钛矿量子点具有不同的a或不同的b，及/或具有不同的粒径。13.如权利要求12所述的发光装置，其中不同的该第一全无机钙钛矿量子点与该第二全无机钙钛矿量子点选自具有化学通式CsPb(Br1-bIb)3且0.5≤b≤1的红色量子点、具有化学通式CsPb(Br1-bIb)3且0≤b<0.5的绿色量子点及具有化学通式CsPb(ClaBr1-a)3且0<a≤1的蓝色量子点所组成的群组。14.如权利要求12所述的发光装置，其中不同的该第一全无机钙钛矿量子点与该第二全无机钙钛矿量子点选自粒径范围为10nm至14nm的红色全无机钙钛矿量子点、粒径范围为8nm至12nm的绿色全无机钙钛矿量子点及粒径范围为7nm至10nm的蓝色全无机钙钛矿量子点所组成的群组。15.如权利要求11所述的发光装置，其中不同的该第一全无机钙钛矿量子点与该第二全无机钙钛矿量子点具有化学通式CsPb(Br1-bIb)3，该第一全无机钙钛矿量子点的b为0，该第二全无机...

【专利技术属性】
技术研发人员：林欣颖，王宏嘉，汤安慈，刘如熹，蔡宗良，李育群，陈静仪，童鸿钧，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71