白光LED成品及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种白光LED成品及其制作方法，在多个发光微结构的第一电极和第二电极背离衬底一侧焊接一基板，然后进行封装，再切割成单个的白光LED成品，把多个发光微结构直接进入封装工序，封装测试一次完成，生产周期和成本大幅下降；另外白光LED成品电极上下换位，不仅不会挡住芯片原本的出光，还大大提高芯片的发光效率，并且可以起到降低热阻的作用。

【技术实现步骤摘要】
白光LED成品及其制作方法
本专利技术涉及发光二极管
，更为具体的说，涉及一种白光LED成品及其制作方法。
技术介绍
LED（LightEmittingDiode，发光二极管）是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，白光LED成品具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。近年来，随着对白光LED成品研究的不断深入，白光LED成品的发光效率得到的极大的提高，目前已经被广泛应用于显示等各个领域。现有在制作白光LED成品过程中，一般由芯片厂生产LED芯片，然后再由封装厂对每颗芯片进行封装，这样工序繁复，需要大量的人力物力，降低产品良率。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种白光LED成品及其制作方法，使芯片和封装一体化，简化白光LED成品的制作步骤。本专利技术提供的技术方案如下：一种白光LED成品的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；在所述多个发光微结构背离基板一侧表面涂覆荧光粉并进行封装形成多个白光LED半成品；沿所述白光LED半成品的边缘进行切割，以得到多个白光LED成品。优选的，在将所述发光微结构焊接到所述基板上之后，制备连接电极之前，所述制作方法还包括：填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上。优选的，填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙的方式包括：采用钢网印刷的方式将胶水填充在所述发光微结构和所述基板之间的空隙。优选的，在制备连接电极后，进行封装之前，所述制作方法还包括：减薄所述衬底至预设厚度范围或激光剥离所述衬底。优选的，所述预设厚度范围为100μm~500μm，包括端点值。优选的，所述焊接方式为回流焊或者共晶焊。优选的，所述发光微结构的形成过程为：在所述衬底任意一表面形成所述第一半导体层；在所述第一半导体层背离所述衬底一侧形成所述有源层；在所述有源层背离所述衬底一侧形成所述第二半导体层；采用刻蚀工艺将所述第一半导体层背离所述衬底一侧的预设区域裸露；在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成所述导电反射膜层；在所述第一半导体层的预设区域、且背离所述衬底一侧形成所述第一电极，且在所述导电反射膜层背离所述衬底一侧形成所述第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘。优选的，在形成所述第二半导体层后，且刻蚀裸露所述第一半导体层的预设区域前，所述制作方法还包括：在所述第二半导体层背离所述衬底一侧形成欧姆接触层，其中，所述导电反射膜层位于所述欧姆接触层背离所述衬底一侧。优选的，所述导电反射膜层为金属反射膜层；其中，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述第一电极和第二电极前，所述制作方法还包括：在所述导电反射膜层背离所述衬底一侧形成金属扩散阻挡层，其中，所述第二电极形成于所述金属扩散阻挡层背离所述衬底一侧。优选的，在形成所述导电反射膜层后，且形成所述第一电极和第二电极前，所述制作方法还包括：形成覆盖所述导电反射膜层、且延伸覆盖至所述第一半导体层的预设区域的钝化层；其中，所述钝化层对应所述预设区域的区域设置有第一开口，以用于形成所述第一电极，以及，所述钝化层对应所述导电反射膜层的区域设置有第二开口，以用于形成所述第二电极。优选的，所述衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底。优选的，所述第一半导体层和第二半导体层均为氮化镓基半导体层，所述有源层为氮化镓基有源层；或者，所述第一半导体层和第二半导体层均为砷化镓基半导体层，所述有源层为砷化镓基有源层。优选的，所述基板为陶瓷基板或硅基板。相应的，本专利技术还提供了一种白光LED成品，其特征在于，所述白光LED成品采用上述制作方法制作而成。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供的一种白光LED成品及其制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；在所述多个发光微结构背离基板一侧表面涂覆荧光粉并进行封装形成多个白光LED半成品；沿所述白光LED半成品的边缘进行切割，以得到多个白光LED成品。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，把多个发光微结构直接进入封装工序，封装测试一次完成，生产周期和成本大幅下降；另外白光LED成品电极上下换位，不仅不会挡住芯片原本的出光，还大大提高芯片的发光效率，并且可以起到降低热阻的作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种白光LED成品的制作方法流程图；图2a至图2e为图1制作方法流程图对应的结构流程图；图3为本申请实施例提供的一种发光微结构的制作方法的流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。结合图1至图2e所示，图1为本申请实施例提供的一种白光LED成品的制作方法的流程图，图2a至图2e为图1制作方法流程图对应的结构流程图；其中，制作方法包括：S1、提供一衬底。参考图2a所示，本申请实施例提供的衬底为蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓衬底；除上述材质衬底外，在本申请其他实施例中衬底还可以为其他材质，对此本申请不做具体限制。S2、在衬底任意一表面制作发光微结构。参考图2b所示，在衬底100任意一表面形成多个发光微结构200，发光微结构200包括位于衬底100表面的第一半导体层201，位于第一半导体层201背离衬底100一侧的有源层202和第一电极205，位于有源层202背离衬底100一侧的第二半导体层203，位于第二半导体层203背离衬底100一侧的导电反射膜层204，位于导电反射膜层204背离衬底100一侧的第二电极206，第一电极205与第二电极206之间相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白光LED成品的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；在所述多个发光微结构背离基板一侧表面涂覆荧光粉并进行封装形成多个白光LED半成品；沿所述白光LED半成品的边缘进行切割，以得到多个白光LED成品。

【技术特征摘要】
1.一种白光LED成品的制作方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底任意一表面形成多个发光微结构，所述发光微结构包括位于所述衬底表面的第一半导体层，位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧的有源层和第一电极，位于所述有源层背离所述衬底一侧的第二半导体层，位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧的导电反射膜层，位于所述导电反射膜层背离所述衬底一侧的第二电极，所述第一电极与所述第二电极之间相互绝缘；采用焊接的方式将所述发光微结构焊接到一基板上，在所述基板对应所述第一电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第一连接电极，且在所述基板对应所述第二电极的区域、且背离所述衬底一侧形成第二连接电极；在所述多个发光微结构背离基板一侧表面涂覆荧光粉并进行封装形成多个白光LED半成品；沿所述白光LED半成品的边缘进行切割，以得到多个白光LED成品。2.根据权利要求1所述的白光LED成品的制作方法，其特征在于，在将所述发光微结构焊接到所述基板上之后，制备连接电极之前，所述制作方法还包括：填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙，使所述发光微结构充分固定在所述基板上。3.根据权利要求2所述的白光LED成品的制作方法，其特征在于，填充所述发光微结构和所述基板之间的空隙的方式包括：采用钢网印刷的方式将胶水填充在所述发光微结构和所述基板之间的空隙。4.根据权利要求1所述的白光LED成品的制作方法，其特征在于，在制备连接电极后，进行封装之前，所述制作方法还包括：减薄所述衬底至预设厚度范围或激光剥离所述衬底。5.根据权利要求4所述的白光LED成品的制作方法，其特征在于，所述预设厚度范围为100μm~500μm，包括端点值。6.根据权利要求1所述的白光LED成品的制作方法，其特征在于，所述焊接方式为回流焊或者共晶焊。7.根据权利要求1所述的白光LED成品的制作方法，其特征在于，所述发光微结构的形成过程为：在所述衬底任意一表面形成所述第一半导体层；在所述第一半导体层背离所述衬底一侧形成所述有源层；在所述有源层背离所述衬底一侧形成所述第二半导体层；采用刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐亮，何键云，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44