一种碳化硅MOS管制造技术

本实用新型专利技术涉及一种碳化硅MOS管，包括衬底、衬底外延层、源区和漏区，其特征在于，源区和漏区为6价N型碳化硅；衬底为6价N型碳化硅；衬底外延层生长在衬底上，且为6价P型碳化硅；碳化硅MOS管的栅极与衬底外延层的两端连接。该碳化硅MOS管具有如下优点：栅极采用6价P型碳化硅，增大了栅极跟源、漏区之间的阻抗，提高了安全性，增强了稳定性；漏区采用6价N型碳化硅，提高了导通电流在高温情况下的稳定性，使输出功率更恒定，热效应特性更好；源区采用6价N型碳化硅，同样提高了导通电流在对地形成环路时的高温稳定性和安全性。本实用新型专利技术提供的碳化硅MOS管具备耐高温、低损耗、高阻断电压、开关速度快等优点，确保了产品的稳定性和可操作性。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅MOS管
本技术涉及一种碳化硅MOS管。
技术介绍
目前市场上MOS管以硅(SI)为主，新开发的碳化硅成本高，稳定性差。
技术实现思路
鉴于现有技术中存在的上述缺陷，本技术所要解决的技术问题是，提供一种碳化硅MOS管，以解决现有MOS管稳定性差的问题。本技术是通过如下技术方案来实现的：一种碳化硅MOS管，包括衬底、衬底外延层、源区和漏区，所述源区和漏区为6价N型碳化硅；所述衬底为6价N型碳化硅；所述衬底外延层生长在所述衬底上，且为6价P型碳化硅；所述碳化硅MOS管的栅极与所述衬底外延层的两端连接。进一步地，所述碳化硅MOS管采用三脚插件的封装形式。进一步地，所述封装形式为TO-3P、TO-220F或TO-220AB。进一步地，所述碳化硅MOS管的源区和漏区位于所述碳化硅MOS管的中间。进一步地，所述碳化硅MOS管为铁头封装；所述碳化硅MOS管的铁头部位位于所述碳化硅MOS管的顶端，并采用铜材质，同时通过导线与所述碳化硅MOS管的漏区连接。进一步地，所述碳化硅MOS管内置有MOS管驱动芯片。与现有技术相比，本技术提供的碳化硅MOS管具有如下优点：栅极采用6价P型碳化硅，增大了栅极跟源、漏区之间的阻抗，提高了安全性，增强了稳定性；漏区采用6价N型碳化硅，提高了导通电流在高温情况下的稳定性，使输出功率更恒定，热效应特性更好；源区采用6价N型碳化硅，同样提高了导通电流在对地形成环路时的高温稳定性和安全性。本技术提供的碳化硅MOS管具备耐高温、低损耗、高阻断电压、开关速度快等优点，确保了产品的稳定性和可操作性。附图说明图1：本技术实施例提供的碳化硅MOS管的工作原理示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接连接，也可以通过中间媒介间接连接，也可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。如图1所示，本技术实施例提供的碳化硅MOS管包括衬底1、衬底外延层2、源区7和漏区6。其中，源区7和漏区6为6价N型碳化硅。源区7和漏区6各自引出一个电极，形成源极5和漏极4。漏区6采用6价N型碳化硅，提高了导通电流在高温情况下的稳定性，使输出功率更恒定，热效应特性更好。源区7采用6价N型碳化硅，同样提高了导通电流在对地形成环路时的高温稳定性和安全性。衬底1为6价N型碳化硅。衬底外延层2生长在衬底1上，且为6价P型碳化硅。碳化硅MOS管的栅极3与衬底外延层2的两端连接。栅极3采用6价P型碳化硅，增大了栅极3跟源、漏区6之间的阻抗，提高了安全性，增强了稳定性。碳化硅MOS管可采用三脚插件的封装形式，具体封装形式可为TO-3P、TO-220F或TO-220AB等。碳化硅MOS管的源区7和漏区6位于碳化硅MOS管的中间。作为本实施例的一种优选实施方式，碳化硅MOS管采用铁头封装，碳化硅MOS管的铁头部位位于碳化硅MOS管的顶端，并采用铜材质，同时通过导线与碳化硅MOS管的漏区6连接。采用特性的6N-碳化硅物质材料，增加其热导电流不变特性。作为本实施例的一种优选实施方式，碳化硅MOS管内置有MOS管驱动芯片，通过驱动芯片驱动MOS管的通断。该碳化硅MOS管经由栅极3控制，从栅极3输入导通电压，使漏极4与源极5导通，形成电路回路，电流从漏极4流向源极5，电子从源极5流向漏极4。该碳化硅MOS管采用碳化硅材料和高压成型技术，具备耐高温、低损耗、高阻断电压、开关速度快等优点。该碳化硅MOS管可替代传统MOS管，可采用激光雕刻等工艺，一次成型制作，确保产品的稳定性和可操作性，同时大批量生产也减低了生产成本，可以满足高端客户对高性价比的要求。最后应说明的是：上述各实施例仅用于说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或全部技术特征进行等同替换；而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种碳化硅MOS管，包括衬底、衬底外延层、源区和漏区，其特征在于，所述源区和漏区为6价N型碳化硅；所述衬底为6价N型碳化硅；所述衬底外延层生长在所述衬底上，且为6价P型碳化硅；所述碳化硅MOS管的栅极与所述衬底外延层的两端连接。

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅MOS管，包括衬底、衬底外延层、源区和漏区，其特征在于，所述源区和漏区为6价N型碳化硅；所述衬底为6价N型碳化硅；所述衬底外延层生长在所述衬底上，且为6价P型碳化硅；所述碳化硅MOS管的栅极与所述衬底外延层的两端连接。2.如权利要求1所述的碳化硅MOS管，其特征在于，所述碳化硅MOS管采用三脚插件的封装形式。3.如权利要求2所述的碳化硅MOS管，其特征在于，所述封装形式为TO-3P、TO-220F或...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晓波，
申请(专利权)人：重庆市嘉凌新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：重庆,50