薄膜上芯片封装制造技术

本发明专利技术公开一种薄膜上芯片封装，包括薄膜基板、芯片及散热片材。所述薄膜基板包括第一表面。所述芯片安置于所述第一表面上且沿所述芯片的第一轴线具有芯片长度。所述散热片材包括覆盖部及第一延伸部，所述第一延伸部连接至所述覆盖部并贴附至所述第一表面。所述覆盖部至少局部地覆盖所述芯片并沿所述第一轴线具有第一长度。所述第一延伸部沿所述第一轴线具有第二长度，所述第二长度实质上长于所述覆盖部的所述第一长度，且所述覆盖部暴露出所述芯片的侧表面，其中所述侧表面连接所述芯片的顶表面与底表面。

【技术实现步骤摘要】
薄膜上芯片封装
本专利技术大体来说涉及一种芯片封装。更具体来说，本专利技术涉及一种薄膜上芯片封装。
技术介绍
在半导体生产中，集成电路(integratedcircuit，IC)的制造可被划分为三个不同的阶段，即，晶片制作阶段、集成电路制作阶段及例如应用薄膜上芯片(chip-on-film，COF)封装等的集成电路封装阶段。为加快自薄膜上芯片封装的晶片散热，在将芯片通过凸块(bump)电连接至薄膜基板之后，通常利用导热胶(thermalconductiveglue)将散热片材贴附至薄膜基板的顶表面以覆盖整个芯片或贴附至薄膜基板的与晶片相对的底表面。传统上，在将散热片材贴附于薄膜基板上以对芯片进行覆盖的过程期间，难以使散热片材与芯片紧密贴附在一起，因此，在芯片与散热片材之间常常存在气隙(airgap)。由此，在后续的热处理期间，在芯片与散热片材之间截留的空气将会膨胀，这可能会造成散热片材与芯片分离且降低芯片封装的可靠性。此外，由于空气的导热性相当低，因此在芯片与散热片材之间的空间中截留的空气也将影响自芯片产生的热传导至散热片材的效率。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在于提供一种具有优良的散热效率的薄膜上芯片封装。本专利技术提供一种薄膜上芯片封装，所述薄膜上芯片封装包括薄膜基板、芯片及散热片材。所述薄膜基板包括第一表面。所述芯片安置于所述第一表面上且沿所述芯片的第一轴线具有芯片长度。所述散热片材包括覆盖部及第一延伸部，所述第一延伸部连接至所述覆盖部并贴附至所述第一表面。所述覆盖部至少局部地覆盖所述芯片并沿所述第一轴线具有第一长度。所述第一延伸部沿所述第一轴线具有第二长度，所述第二长度实质上长于所述覆盖部的所述第一长度，且所述覆盖部暴露出所述芯片的侧表面，其中所述侧表面连接所述芯片的顶表面与底表面。根据本专利技术的实施例，所述第一长度等于或短于所述芯片长度，使得所述覆盖部暴露出所述芯片的所述侧表面。根据本专利技术的实施例，所述第一长度长于所述芯片长度，且所述覆盖部在所述芯片的所述顶表面上方悬伸以暴露出所述芯片的所述侧表面。根据本专利技术的实施例，所述芯片安置于所述薄膜基板的外围区上。根据本专利技术的实施例，所述芯片安置于所述薄膜基板的中心区处。根据本专利技术的实施例，所述散热片材还包括第二延伸部，且所述覆盖部连接于所述第一延伸部与所述第二延伸部之间。根据本专利技术的实施例，所述散热片材包括散热层及保护层，所述散热层贴附至所述薄膜基板及所述芯片，且所述保护层完全覆盖所述散热层。根据本专利技术的实施例，所述保护层包括绝缘膜。根据本专利技术的实施例，所述散热层包括金属箔或石墨薄膜。根据本专利技术的实施例，所述散热片材还包括第一粘合层，且所述散热层通过所述第一粘合层贴附至所述薄膜基板及所述芯片。根据本专利技术的实施例，所述保护层的尺寸大于所述散热层的尺寸，且在所述保护层的轮廓线与所述散热层的轮廓线之间保持有保护距离。根据本专利技术的实施例，所述散热片材还包括第二粘合层，所述第二粘合层形成于所述保护层的附着表面上且粘着至所述散热层。根据本专利技术的实施例，所述保护层包括边界区，所述边界区环绕所述保护层的所述附着表面的边界，且所述第二粘合层暴露出所述保护层的所述边界区。根据本专利技术的实施例，所述薄膜上芯片封装还包括辅助散热片材，所述辅助散热片材安置于所述薄膜基板的第二表面上，其中所述第二表面上与所述薄膜基板的所述第一表面相对。根据上述，在本专利技术中，所述薄膜上芯片封装利用所述散热片材，所述散热片材包括覆盖部及至少一个延伸部，其中所述覆盖部覆盖所述芯片并暴露出所述芯片的侧表面，且所述延伸部连接所述覆盖部并贴附至所述薄膜基板。利用这种配置，由于所述散热片材的覆盖部并非完全包围所述芯片，而是暴露出所述芯片的侧表面，因而可使芯片与散热片材之间的空气轻易地排出。如此，可防止所述散热片材在后续热处理期间变形或甚至与所述芯片分离的问题发生，从而提高薄膜上芯片封装的可靠性。附图说明为提供对本专利技术的进一步理解，在本说明书中包含附图，所述附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。所述附图示出本专利技术的实施例并与本说明一起用于阐释本专利技术的原理。图1A为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装的俯视图；图1B为图1A所示薄膜上芯片封装的透视图；图2A为本专利技术另一实施例的薄膜上芯片封装的俯视图；图2B为图2A所示薄膜上芯片封装的透视图；图3为本专利技术又一实施例的薄膜上芯片封装的俯视图；图4为本专利技术又一实施例的薄膜上芯片封装的俯视图；图5为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装的薄膜基板的俯视图；图6为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装的剖视图；图7为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装及用于贴附散热片材的夹具的正视图。符号的说明100、200、300、400：薄膜上芯片封装110：薄膜基板112：第一表面114：第二表面118：经图案化电路层119：阻焊层120：芯片122：侧表面124：顶表面125：底表面130：散热片材132：覆盖部134、134a：第一延伸部134b：第二延伸部135、142：第一粘合层136、144：散热层137、146：第二粘合层138、148：保护层140：辅助散热片材700：夹具A1：第一轴线A2：第二轴线B-B’：线L1：芯片长度L2：第一长度/长度L3：第二长度/长度R1：中心区R2：外围区具体实施方式现将详细参照本专利技术的当前优选实施例，在附图中示出所述优选实施例的实例。尽可能地，在附图及说明中使用相同的参考编号指代相同或相似的部件。图1A为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装的俯视图。图1B为图1A所示薄膜上芯片封装的透视图。图5为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装的薄膜基板的俯视图。图6为本专利技术实施例的薄膜上芯片封装的剖视图，即，在图1A中薄膜上芯片封装100的沿线B-B'的剖视图。参照图1A、图1B、图5及图6，在本实施例中，薄膜上芯片封装(chiponfilmpackage)100包括薄膜基板110、芯片120及散热片材130。薄膜基板110包括第一表面112及与第一表面112相对的第二表面114。芯片120安置于第一表面112上且沿芯片120的第一轴线A1具有芯片长度L1，其中第一轴线A1可为芯片120的纵向轴线，但本专利技术并非仅限于此。在本实施例中，薄膜基板110还可包括图案化电路层118及阻焊层119。图案化电路层118安置于薄膜基板110的第一表面112上。阻焊层119覆盖图案化电路层118并暴露出图案化电路层118的一部分，使得芯片120可电连接至被阻焊层119所暴露的图案化电路层118。如图1A中所示，散热片材130包括覆盖部132及第一延伸部134。覆盖部132至少局部地覆盖芯片120并贴附至薄膜基板110。例如树脂等填充材料可填充于芯片120、薄膜基板110与散热片材130之间以进一步固定芯片120的位置。覆盖部132沿第一轴线A1具有第一长度L2(以下被称为长度L2)。第一延伸部134连接至覆盖部132且贴附至薄膜基板110的第一表面112。第一延伸部134沿第一轴线A1具有第二长度L3(以下被称为长度L3)，且第一延伸部134的长度L3实质上长于覆盖部132的长度L2，且覆盖部132暴露出芯片120的如图1B中所示的侧表面122。在本实施例中，如图6中所示，所述芯片的侧表面122连接芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜上芯片封装，其特征在于，包括：薄膜基板，包括第一表面；芯片，安置于所述第一表面上且沿所述芯片的第一轴线具有芯片长度；以及散热片材，包括覆盖部及第一延伸部，所述第一延伸部连接至所述覆盖部并贴附至所述第一表面，所述覆盖部至少局部地覆盖所述芯片并沿所述第一轴线具有第一长度，所述第一延伸部沿所述第一轴线具有第二长度，所述第二长度长于所述覆盖部的所述第一长度，且所述覆盖部暴露出所述芯片的侧表面，其中所述侧表面连接所述芯片的顶表面与底表面。

【技术特征摘要】
2015.12.02 US 62/261,873;2016.10.28 US 15/336,8211.一种薄膜上芯片封装，其特征在于，包括：薄膜基板，包括第一表面；芯片，安置于所述第一表面上且沿所述芯片的第一轴线具有芯片长度；以及散热片材，包括覆盖部及第一延伸部，所述第一延伸部连接至所述覆盖部并贴附至所述第一表面，所述覆盖部至少局部地覆盖所述芯片并沿所述第一轴线具有第一长度，所述第一延伸部沿所述第一轴线具有第二长度，所述第二长度长于所述覆盖部的所述第一长度，且所述覆盖部暴露出所述芯片的侧表面，其中所述侧表面连接所述芯片的顶表面与底表面。2.根据权利要求1所述的薄膜上芯片封装，其特征在于，所述第一长度等于或短于所述芯片长度，使得所述覆盖部暴露出所述芯片的所述侧表面。3.根据权利要求1所述的薄膜上芯片封装，所述第一长度长于所述芯片长度，且所述覆盖部在所述芯片的所述顶表面上方悬伸以暴露出所述芯片的所述侧表面。4.根据权利要求1所述的薄膜上芯片封装，所述芯片安置于所述薄膜基板的外围区。5.根据权利要求1所述的薄膜上芯片封装，所述芯片安置于所述薄膜基板的中心区。6.根据权利要求1所述的薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄文静，林泰宏，
申请(专利权)人：联咏科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71