TFT基板中电极层的制作方法及柔性TFT基板的制作方法技术

本发明专利技术提供一种TFT基板中电极层的制作方法及柔性TFT基板的制作方法。本发明专利技术TFT基板中电极层的制作方法，首先在硅衬底上形成一层金属镍层，然后采用化学气相沉积法在所述金属镍层上沉积一层石墨烯层，并采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层，最后将金属镍层溶解掉，使图案化的石墨烯层与硅衬底分离，将图案化的石墨烯层转移即可得到TFT基板的电极层，采用石墨烯材料的电极层具有优秀的导电及机械性能，同时具有较好的热学稳定性及化学稳定性，该制作方法实现了适用于柔性显示装置弯折的电极层的制作。

【技术实现步骤摘要】
TFT基板中电极层的制作方法及柔性TFT基板的制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT基板中电极层的制作方法及柔性TFT基板的制作方法。
技术介绍
在显示
，柔性显示器是基于柔性有机材料作为基板的显示器，其具有薄而轻、高对比度、快速响应、宽视角、高亮度、全彩色等优点，可以被弯曲、折叠、甚至作为可穿戴计算机的一部分，因此在显示效果好的便携产品和军事等特殊领域有非常广泛的应用，因此柔性显示技术已然成为下一代主流显示技术。有源矩阵阵列(Array)基板作为目前显示器中的主要结构部分，用于向显示器提供驱动电路，通常设置有数条栅极扫描线和数条数据线，该数条栅极扫描线和数条数据线限定出多个像素单元，每个像素单元内设置有薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)和像素电极，薄膜晶体管的栅极与相应的栅极扫描线相连，当栅极扫描线上的电压达到开启电压时，薄膜晶体管的源极和漏极导通，从而将数据线上的数据电压输入至像素电极，进而控制相应像素区域的显示。通常阵列基板上薄膜晶体管的结构又包括自下而上依次层叠设置于衬底基板上的栅极、栅极绝缘层、有源层、源漏极、及绝缘保护层。其中，低温多晶硅(LowTemperaturePoly-Silicon，LTPS)薄膜晶体管由于具有较高的电子迁移率，而在液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)与有机发光二极管显示器(OrganicLightEmittingDiode，OLED)等显示技术中得到了业界的重视，被视为实现低成本全彩平板显示的重要材料。因此，目前柔性显示装置主要采用低温多晶硅薄膜晶体管的阵列基板。而低温多晶硅薄膜晶体管的栅极材料主要采用单层金属钼，由于金属钼本身硬度较大，在柔性显示装置弯折过程中易发生穿晶断裂致电阻增大，最终导致电流传输慢、信号延迟的问题。针对上述问题，提出一种适用柔性显示弯折技术要求的电极层的制作方法是非常必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种TFT基板中电极层的制作方法，能够实现适用于柔性显示装置弯折的电极层的制作。本专利技术的另一目的在于提供一种柔性TFT基板的制作方法，采用上述的TFT基板中电极层的制作方法来形成栅电极层，能够有效改善现有柔性显示装置弯折过程中易发生穿晶断裂致电阻增大的技术问题。为实现上述目的，本专利技术首先提供一种TFT基板中电极层的制作方法，包括如下步骤：步骤1、提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成一层金属镍层；步骤2、采用化学气相沉积法在所述金属镍层上沉积一层石墨烯层，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层；步骤3、将所述硅衬底上的金属镍层溶解掉，从而使图案化的石墨烯层与硅衬底分离，然后将图案化的石墨烯层转移，得到TFT基板的电极层。所述步骤1中所形成的金属镍层的厚度为10～50nm。所述步骤2中所沉积形成的石墨烯层的厚度为5～10nm。所述步骤3中通过对位标记的方式将图案化的石墨烯层定位转移。所述TFT基板为柔性的低温多晶硅TFT基板。所述步骤3中形成的电极层为TFT基板的栅电极层。本专利技术还提供一种使用上述TFT基板中电极层制作方法的柔性TFT基板的制作方法，包括如下步骤：步骤10、提供玻璃基板，在所述玻璃基板上形成柔性基板；步骤20、在柔性基板上依次形成缓冲层、有源层、栅极绝缘层；步骤30、提供一硅衬底，在所述硅衬底上形成一层金属镍层；采用化学气相沉积法在所述金属镍层上沉积一层石墨烯层，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层；将所述硅衬底上的金属镍层溶解掉，从而使图案化的石墨烯层与硅衬底分离，然后将图案化的石墨烯层转移到栅极绝缘层上，形成栅电极层；步骤40、在栅极绝缘层、及栅电极层上依次形成层间绝缘层、源漏金属层。所述柔性TFT基板为柔性的低温多晶硅TFT基板；所述步骤10中所形成的柔性基板为聚酰亚胺基板，厚度为10～20μm；所述步骤20中所形成的缓冲层、有源层、及栅极绝缘层的厚度分别为200～300nm、40～50nm、50～200nm；所述步骤40中所形成的层间绝缘层、及源漏金属层的厚度分别为500～700nm、400～600nm。所述步骤30中所形成的金属镍层的厚度为10～50nm，所沉积形成的石墨烯层的厚度为5～10nm。所述步骤30中，通过对位标记的方式，将所述图案化的石墨烯层定位转移到栅极绝缘层上。本专利技术的有益效果：本专利技术的TFT基板中电极层的制作方法，首先在硅衬底上形成一层金属镍层，然后采用化学气相沉积法在所述金属镍层上沉积一层石墨烯层，并采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层，最后将金属镍层溶解掉，使图案化的石墨烯层与硅衬底分离，将图案化的石墨烯层转移即可得到TFT基板的电极层，采用石墨烯材料的电极层具有优秀的导电及机械性能，同时具有较好的热学稳定性及化学稳定性，该制作方法实现了适用于柔性显示装置弯折的电极层的制作。本专利技术的柔性TFT基板的制作方法，采用上述的TFT基板中电极层的制作方法来形成栅电极层，能够有效改善现有柔性显示装置弯折过程中易发生穿晶断裂致电阻增大的技术问题。附图说明为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图中，图1为本专利技术的TFT基板中电极层的制作方法的流程示意图；图2为本专利技术的TFT基板中电极层的制作方法的步骤1的示意图；图3-4为本专利技术的TFT基板中电极层的制作方法的步骤2的示意图；图5为本专利技术的TFT基板中电极层的制作方法的步骤3的示意图；图6为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法的流程示意图；图7为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法的步骤10的示意图；图8为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法的步骤20的示意图；图9为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法的步骤30的示意图；图10为本专利技术的柔性TFT基板的制作方法的步骤40的示意图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，本专利技术首先提供一种TFT基板中电极层的制作方法，包括如下步骤：步骤1、如图2所示，提供一硅衬底200，在所述硅衬底200上形成一层金属镍层300。具体地，所述步骤1中所形成的金属镍层300的厚度为10～50nm。步骤2、如图3所示，采用化学气相沉积法(ChemicalVapourDeposition，CVD)在所述金属镍层300上沉积一层石墨烯层400，如图4所示，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层400进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层405。具体地，所述步骤2中所沉积形成的石墨烯层400的厚度为5～10nm。具体地，所述步骤2中采用等离子体增强化学气相沉积法(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition，PECVD)沉积形成石墨烯层400。步骤3、如图5所示，将所述硅衬底200上的金属镍层300溶解掉，从而使图案化的石墨烯层405与硅衬底200分离，然后将图案化的石墨烯层405转移，得到TFT基板的电极层。具体地，所述步骤3中通过对位标记的方式将图案化的石墨烯层405定位转移。具体地，所述步骤3中采用稀本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一硅衬底(200)，在所述硅衬底(200)上形成一层金属镍层(300)；步骤2、采用化学气相沉积法在所述金属镍层(300)上沉积一层石墨烯层(400)，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层(400)进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层(405)；步骤3、将所述硅衬底(200)上的金属镍层(300)溶解掉，从而使图案化的石墨烯层(405)与硅衬底(200)分离，然后将图案化的石墨烯层(405)转移，得到TFT基板的电极层。

【技术特征摘要】
1.一种TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一硅衬底(200)，在所述硅衬底(200)上形成一层金属镍层(300)；步骤2、采用化学气相沉积法在所述金属镍层(300)上沉积一层石墨烯层(400)，采用等离子体蚀刻法对所述石墨烯层(400)进行蚀刻，形成图案化的石墨烯层(405)；步骤3、将所述硅衬底(200)上的金属镍层(300)溶解掉，从而使图案化的石墨烯层(405)与硅衬底(200)分离，然后将图案化的石墨烯层(405)转移，得到TFT基板的电极层。2.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤1中所形成的金属镍层(300)的厚度为10～50nm。3.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤2中所沉积形成的石墨烯层(400)的厚度为5～10nm。4.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤3中通过对位标记的方式将图案化的石墨烯层(405)定位转移。5.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述TFT基板为柔性的低温多晶硅TFT基板。6.如权利要求1所述的TFT基板中电极层的制作方法，其特征在于，所述步骤3中形成的电极层为TFT基板的栅电极层。7.一种柔性TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤10、提供玻璃基板(100)，在所述玻璃基板(100)上形成柔性基板(101)；步骤20、在柔性基板(101)上依次形成缓冲层(102)、有源层(103)、栅极绝缘层(104)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王幸，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42