一种半导体结构激光剥离方法技术

技术编号:15621526 阅读:32 留言:0更新日期:2017-06-14 04:52
本发明专利技术涉及一种半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构激光剥离方法,在所述平台表面与所述外部键合点空隙相匹配的区域沉积有预定介质形成一填充区,将依次沉积有所述聚酰亚胺封装薄膜层、外部键合点的基板放置于所述平台上,使得所述外部键合点键合入所述填充区;外部键合点之间的空隙被预定介质填充,可以平整的放置于所述平台之上,基板表面处于同一水平位置上,去除基板准确率提高,另外因聚酰亚胺薄膜层表面平整,在贴附支撑性薄膜时,避免产生气泡,提高支撑性薄膜贴附的稳定性,提升产品成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构激光剥离方法
本专利技术涉及一种半导体制造
,尤其涉及一种半导体结构激光剥离方法。
技术介绍
在目前的阻挡层的贴附制程,若是长条或单一面板尺寸的阻挡层集材,则是先将大板玻璃切割成小的模组板后再进行镭射激光取下剥离;但是,因为此做法在模组段需要有较多的人力及镭射激光设备的需求,所以采用大板镭射激光设备不仅可降低设备及人力成本,并且也可以提生产线的效率。现有的基于激光剥离技术的大板激光剥离工艺,通过以下技术方案实现。如图1a~1c所示,现有的大板激光剥离工艺如下,如图1a所示,将大板玻璃2及聚酰亚胺薄膜层3贴附与封装压台设备内承载台1上,于所述聚酰亚胺薄膜层3表面旋转贴附一层保护层4,如图1b所示,将依次贴附有保护层4、聚酰亚胺薄膜层3的大板玻璃放置于激光剥离设备的承载台5上,通过镭射装置6将大板玻璃2与聚酰亚胺薄膜层3分离,去除大板玻璃层2,如图1c所示,于聚酰亚胺薄膜层3上端沉积有支撑性薄膜7。此种方式对全尺寸的面板的封装较简单,如图2a所示,但是对于设置有外部键合点4’长条状或单一尺寸面板的封装较困难,如图2b所示,在将长条状或单一尺寸面板传输至放置于激光剥离设备的承载台5上,因长条状或单一尺寸面板设置有外部键合点4’,复数个外部键合点4’之间存在有间隙,进而使得面板不能完全平整(面板与承载台之间是点接触,面板底部受力不均,进而出现表面不平整现象)的设置承载台5上,进而导致镭射装置剥离过程中,出现激光镭射不稳定的现象,造成成品率下降,另外因聚酰亚胺薄膜层3表面不平整,在贴附支撑性薄膜7时,容易在支撑性薄膜表面形成气泡,导致支撑性薄膜贴附的稳定性下降,导致成品率降低。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本专利技术提供一种针对条状或单一尺寸面板封装的半导体结构激光剥离方法。一种半导体结构激光剥离方法,其中,包括:提供第一工作平台,且所述第一工作平台包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面设置有若干凸起机构;提供待剥离的半导体结构,所述半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于所述下表面的上表面;将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上,所述第一工作平台上设置的所述若干凸起机构支撑所述半导体结构的下表面,以使所述半导体结构的上表面处于水平面上;以及对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离工艺。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述半导体结构包括:一大板玻璃基板;以及聚酰亚胺薄膜和封装薄膜,依序设置于所述大板玻璃基板的表面;以及阻水氧薄膜,设置于所述封装薄膜表面,所述阻水氧薄膜使所述半导体结构具有凹凸不平的所述下表面。。优选的,上述半导体结构激光剥离工艺,其中,对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离步骤包括:利用激光对所述大板玻璃基板进行剥离。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述大板玻璃基板设置有外引线焊接区(OLB)及邻接所述外引线焊接区的封装区,以及所述阻水氧薄膜覆盖所述封装薄膜位于所述封装区的表面,并将所述封装薄膜位于所述外引线焊接区的表面予以暴露,以形成所述半导体结构的具有凹凸不平的表面。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述半导体结构的阻水氧薄膜乃于一第二工作平台上施作,其中所述第二工作平台为封装压合设备内的工作平台。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,以转贴的方式依次将所述聚酰亚胺薄膜和所述封装薄膜贴附至所述大板玻璃基板的表面上。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述大板激光剥离工艺还包括:在所述激光剥离工艺之后,于剥离后的半导体结构上贴附支撑薄膜。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述若干凸起机构的材质与所述第一工作平台的材质相异。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述若干凸起机构的材质为聚醚醚酮或聚四氟乙烯,所述第一工作平台的材质为铝镁合金材料。优选地,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,所述第一工作平台为镭射激光剥离设备中的工作平台。与现有技术相比,本专利技术的优点是:将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上,且所述第一工作平台上设置的所述若干凸起与所述半导体结构的具有凹凸不平的下表面契合,以使所述半导体结构的上表面处于同一水平面上,使得大板玻璃基板表面处于同一水平位置上,因聚酰亚胺薄膜层表面平整,在贴附支撑性薄膜时,避免表面产生气泡,提高支撑性薄膜贴附的稳定性,提升产品成品率。附图说明图1a~1c为现有的半导体结构封装工艺流程图;图2a~2c为现有的设置有外部键合点的半导体结构封装工艺流程图;图3a~3d为本专利技术提供的一种半导体结构激光剥离方法流程图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明,但不作为本专利技术的限定。下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是,在不冲突的情况下,本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明,但不作为本专利技术的限定。一种半导体结构激光剥离方法,其中,包括:提供第一工作平台,且第一工作平台具有用于放置器件的工作表面;第一工作平台为镭射激光剥离设备中的工作平台。于第一工作平台的工作表面上固定设置若干凸起机构;进一步地,若干凸起机构的材质与第一工作平台的材质相异。上述凸起机构的材质可为上述第一工作平台材质的相吸材料,也可与上述第一工作平台材质的相斥材料。当上述凸起机构的材质为上述第一工作平台材质的相吸材料时,即凸起机构固定设置在上述第一工作平台上,可用于同一规则或同一形状或同一类型的面板的重复封装,此处的封装方式,无需每次单独沉积凸起,可进行批量重复封装,节省凸起机构材质,另外也减少封装时间,提高生产效率。当上述凸起机构材质为上述第一工作平台材质的相斥材料时,即凸起机构仅仅是暂时固定设置在上述第一工作平台上,当封装工艺完毕后,可轻松去除,此种方式可用于不规则或规则的面板的封装,此处的封装方式,在完成一次封装工艺后,能够轻松去除第一工作平台表面沉积的填充物,清理较方便。进一步地,若干凸起机构的材质为聚醚醚酮或聚四氟乙烯,第一工作平台的材质为铝镁合金材料。提供待剥离的半导体结构,半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于下表面的上表面。将半导体结构放置于第一工作平台上,且第一工作平台上设置的若干凸起机构与半导体结构的具有凹凸不平的下表面契合,以使半导体结构的上表面处于同一水平面上;以及对半导体结构的上表面进行激光剥离工艺。上述设置的若干凸起机构与半导体结构的具有凹凸不平的下表面契合;凸起机构提供辅助支撑力,使得半导体结构受力均等,半导体结构处于平整状态),半导体结构的上表面处于同一水平面上,使得半导体表面的聚酰亚胺薄膜层表面平整,在贴附支撑性薄膜时,避免表面产生气泡,提高支撑性薄膜贴附的稳定性,提升产品成品率。作为进一步优选实施方案,上述的半导体结构激光剥离方法,其中,包括如下步骤:提供一大板玻璃基板,于上述大板玻璃基板依次沉积有一聚酰亚胺薄膜和封装薄膜;以及将表面制备有聚酰亚胺薄膜和封装薄膜的大板玻本文档来自技高网
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一种半导体结构激光剥离方法

【技术保护点】
一种半导体结构激光剥离方法,其特征在于,包括:提供第一工作平台,所述第一工作平台包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面设置有若干凸起机构;提供待剥离的半导体结构,所述半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于所述下表面的上表面;将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上,所述第一工作平台上设置的所述若干凸起机构支撑所述半导体结构的下表面,以使所述半导体结构的上表面实质上处于水平面上;以及对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离工艺。

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构激光剥离方法,其特征在于,包括:提供第一工作平台,所述第一工作平台包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面设置有若干凸起机构;提供待剥离的半导体结构,所述半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于所述下表面的上表面;将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上,所述第一工作平台上设置的所述若干凸起机构支撑所述半导体结构的下表面,以使所述半导体结构的上表面实质上处于水平面上;以及对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离工艺。2.根据权利要求1所述的半导体结构激光剥离方法,其特征在于,所述半导体结构包括:一大板玻璃基板;以及聚酰亚胺薄膜和封装薄膜,依序设置于所述大板玻璃基板的表面;以及阻水氧薄膜,设置于所述封装薄膜表面,所述阻水氧薄膜使所述半导体结构具有凹凸不平的所述下表面。3.根据权利要求2所述的半导体结构激光剥离方法,其特征在于,对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离步骤包括:利用激光对所述大板玻璃基板进行剥离。4.根据权利要求2所述的半导体结构激光剥离方法,其特征在于,所述大板玻璃基板设置有外引线焊接区及邻接所述外引线焊接...

【专利技术属性】
技术研发人员:吴正伟
申请(专利权)人:上海和辉光电有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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