一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构。常规双向ESD防护二极管的芯片电极一个从正面引出，一个从背面引出，DFN封装时，芯片背面和框架用银胶连接，正面打金属线连接，此结构的局限性是芯片尺寸要小于框架尺寸，芯片需要减薄至150微米以下，且背面需要金属化，此实用新型专利技术结构，所使用的双向ESD防护二极管的芯片，其两个电极都从正面引出，两个电极都通过银胶和框架连接，芯片只需要使用单晶片制造，不再用外延片，降低成本；芯片厚度只需做到200微米，降低碎片率；背面无需金属化，减少工艺；芯片尺寸可以是原来的1.5‑2倍，给超低电容芯片、更强抗浪涌能力芯片提供了更多的设计空间。

【技术实现步骤摘要】
一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构
本技术属于一种DFN封装结构，适用于双向ESD防护二极管的DFN封装。
技术介绍
半导体电路集成度不断提高，ESD防护二极管的封装尺寸也随之变小，从原来的SOD523、SOD723到SOD923，再到DFN1006、DFN0603、DFN0201，乃至将来的CSP封装，封装尺寸不断在缩小，但是对ESD防护二极管的性能要求却越来越高，抗浪涌能力，低电容，低电压等等参数标准不断提升，怎么样在更小的芯片上实现更强大的功能逐渐成为难题，由于最开始的ESD防护二极管是用在SOD523，SOD723封装上的，发展到后来，DFN封装仍然延续了SOD封装的工艺，即背面银胶连接，正面打金属线连接，目的是不改变最开始芯片的设计，随着封装尺寸变的越来越小，当到达DFN0603封装时，打线工艺已经占去了1/4的封装体高度空间，产生很多工艺上的难题，芯片厚度需要做到小于100微米，芯片尺寸也要做到小于200微米×200微米，芯片的成品率下降，封装的成品率同时也在下降。本技术的封装结构，两个芯片电极都是从正面引出，两个电极都通过银胶和框架连接，抛弃了正面打线工艺，芯片厚度只需做到200微米，而且省去了背面金属化，此结构提升了芯片成品率，提升了封装成品率，减少了芯片制造工艺，最重要的是芯片尺寸可以是原来的1.5-2倍，为超低电容产品、更强抗浪涌能力产品提供更大的芯片设计空间。
技术实现思路
1、一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构，其结构包括：DFN框架上（105）连接银胶（104），银胶连接芯片电极（103），两个芯片电极都是从芯片（102）正面引出，芯片厚度小于200微米。附图说明图1：双向ESD防护二极管的DFN封装的截面图。编号说明101：DFN封装体；102：双向ESD防护二极管芯片，厚度小于200微米；103：芯片电极，金属，一般情况下是铝或者银，不局限于铝和银；104：银胶，导电的胶状物，内含有银粉成分，高温固化；105：框架，金属，一般情况下是铜，不局限于铜。具体实施方式1．芯片划片及倒片，芯片背面贴蓝膜，用划片机将整个的晶圆芯片，切割成单个芯片，切割完成后，用倒片机，将蓝膜上的芯片倒到另外一张蓝膜上，此时芯片的正面与蓝膜接触。2．芯片与框架连接，用点胶机将银胶点到框架上，固晶机将单个芯片从蓝膜上取下，放在银胶上，芯片电极和银胶连接，进入固化炉固化。3．塑封，将载有芯片的框架，放入塑封机进行塑封。4．电镀，将漏在外部的框架电镀，一般镀银或者金。5．塑封切割，将整个塑封模块切割成单个的DFN封装体。6．测试包装。通过上述实施例阐述了本技术，同时也可以采用其它实施例实现本技术，本技术不局限于上述具体实施例，因此本技术由所附权利要求范围限定。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构，其结构包括：DFN封装体（101）的框架（105）上连接银胶（104），银胶连接芯片电极（103），两个芯片电极都是从芯片（102）正面引出，芯片厚度小于200微米。

【技术特征摘要】
1.一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构，其结构包括：DFN封装体（101）的框架（105）上连接银胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：薛维平，
申请(专利权)人：上海芯石微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31