缺陷隔离系统与检测电路缺陷的方法技术方案

本发明专利技术公开了一种缺陷隔离系统以及一种检测电路缺陷的方法。其中一特征在于，利用可移动的第二探针扫瞄欲检测的检测线，并获取输出信号，以借此精确的找到缺陷部。本发明专利技术的另一特征在于，利用切割器，逐步将部分的检测线电性隔离，因此可以缩小检测范围的目的。本发明专利技术可以节省大量分析时间，并且适用于更小体积的器件检测。

【技术实现步骤摘要】
缺陷隔离系统与检测电路缺陷的方法
本专利技术涉及缺陷检测技术，特别是涉及一种通过切割方式将检测范围缩小，以将缺陷隔离的检测方法。
技术介绍
半导体存储器内包含许多呈现阵列排列的存储单元，其中，每一个半导体存储器可以包含的存储单元数量多寡由各存储单元的体积大小来决定。随着包含的存储单元的数量增多，半导体存储器产生缺陷或损坏的机率也因此增大，当其中一个存储单元损坏时，将有可能造成整个半导体存储器无法使用。因此，对半导体存储器进行缺陷检测，是一个重要的步骤。现有用于检测存储器的测试技术，包含对欲检测的存储器系统中的各存储单元输入一预定的输入值(例如是一电压值)，接着再读取所述存储单元的输出值是否符合原先的预期。若输出的数值并不符合预期，代表此欲检测的存储器系统之中至少包含部分缺陷。但是，随着技术的进步，存储器系统的结构也随之更加复杂，若使用上述的检测方法针对复杂结构的存储器系统进行检测，将会花费大量时间。因此，本
仍然需要一种新的存储器系统的检测方法，可在更短时间内检测出更复杂结构的存储器系统的缺陷。
技术实现思路
本专利技术公开一种检测电路缺陷的方法，至少包含以下步骤：首先进行步骤(a):提供一检测线位于一检测区域内，其中所述检测线包含一缺陷部位于其中。接着步骤(b):提供一第一探针以及一第二探针，其中所述第一探针接触所述检测线的一端点，用来提供一输入信号于所述检测区域内的所述检测线，且所述第二探针接触所述检测线的另一端点，用来接收一输出信号。然后进行步骤(c):通过一切割器以切割所述检测线，移除所述检测区域内的部分所述检测线，并且定义一剩余检测线。后续，进行步骤(d):移动所述第二探针以接触所述剩余检测线的一端点，以得到一新输出信号，其中当所述缺陷部位于所述剩余检测线之外的区域时，所述新输出信号是一正常信号，当所述缺陷部位于所述剩余检测线之内的区域时，所述新输出信号是一异常信号。接着，进行步骤(e):重复上述步骤(c)与步骤(d)，直到所述新输出信号成为所述正常信号，以得到一缺陷定位区段，其中所述缺陷部位于所述缺陷定位区段之内。本专利技术另提供一种缺陷隔离系统，包含位于一检测区域的一检测线，一缺陷部位于其中。一第一探针接触所述检测线的一端点，用来提供一输入信号于所述检测区域内的所述检测线。一第二探针，沿着位于所述检测区域内的所述检测线的多数个接触件与多数个金属线结构进行扫描，并接收所述检测线的一输出信号。另外还包含用于电性隔离所述检测区域内的部分所述检测线的一切割器。本专利技术提供的缺陷隔离系统以及检测电路缺陷的方法，其中一特征在于，利用可移动的第二探针扫瞄欲检测的检测线，并获取输出信号，以借此精确的找到缺陷部。本专利技术的另外一特征在于，利用切割器逐步将部分的检测线电性隔离，因此可以达到缩小检测范围的目的。由于检测的范围缩小，因此可以更快速找到缺陷所在位置。本专利技术可以节省大量分析时间，并且适用于更小体积的器件检测。附图说明图1说明根据本专利技术第一优选实施例所提供的一检测线以及一缺陷隔离系统。图2说明一紧缩缺陷的示例。图3说明根据本专利技术第二优选实施例所提供的一检测线以及一缺陷隔离系统。图4说明一剩余检测线再次被切割器所切割的状况。图5说明本专利技术切割器的结构。其中，附图标记说明如下：1静态随机存取存储器(DRAM)2存储单元10检测线10A剩余检测线10A’剩余检测线10B被移除区段10B’被移除区段12缺陷部14紧缩部22第一探针24输入信号32第二探针34输出信号36压电回馈系统40切割器42长条部44尖端部A端点B端点C切割点D切割点E点L长度W1宽度W2宽度D深度具体实施方式为使本领域的技术人员能更进一步了解本专利技术，下面特别以本专利技术的优选实施例并且配合所附附图，用来详细说明本专利技术的构成内容及所欲达成的功效。为了方便说明以及为了使本领域的技术人员能更容易了解本专利技术，本专利技术的各附图只是示意图，其详细的比例可依照设计的需求进行调整。在说明中所描述对于图形中相对器件的上下关系，本领域的技术人员应能理解其是指物件的相对位置，都可以翻转而呈现相同的构件，因此，都应同属本说明书所揭露的范围，在此容先叙明。请参考图1，其说明根据本专利技术第一优选实施例所提供的一检测线以及一缺陷隔离系统。如图1所示，首先，提供检测线10，此检测线10可以是一存储器器件，例如是一静态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)中的一字元线或是一数位线，或是其他电路结构中的一金属线等。在本实施例中，检测线10以一DRAM1中的一数位线为例说明，但本专利技术不限于此。DRAM1包含多数个存储单元2，检测线10与多数个存储单元2连接，通过适当的测试工具，得知此欲检测的区域内(以下定义为检测区域)的检测线10具有一缺陷部12位于其中。一般来说，缺陷部12可能包含一短路问题、一断路问题或是其他种类缺陷。本专利技术的缺陷隔离系统包含一第一探针22以及一第二探针32。第一探针22接触检测线10的一端点A，且第一探针22与一电压源连接，例如是一直流电压源或是一交流电压源，用来提供一输入信号24至一检测区域内的检测线10。另一方面，第二探针32接触检测线10的另一端点B，以对检测线10进行扫瞄并检测，第二探针32与一电子测量系统连接，例如一示波器或是其他适合的仪器，用来接收一来自检测线10的连接件或是金属线等的输出信号34。值得注意的是，根据申请人的实验发现，若第一探针22连接交流电压源，比起连接直流电压源，系统将会检测到相对更大的输出信号。因此，本专利技术第一探针22优选连接一交流电压源，但不限于此。在本专利技术中，第一探针22固定于检测线10的端点A上，但是第二探针32是可移动的探针。第二探针32可沿着检测线10的特定区域进行来回扫描。值得注意的是，由于第二探针32在来回扫描的过程中移动的区域很小，因此第二探针32需要通过一精准的系统来控制。在本专利技术中，第二探针32可与一压电回馈系统36连接，并且通过压电回馈系统36驱动，用来精准的控制第二探针32的移动扫瞄范围。第二探针32从检测线10的端点B扫描至端点A，在扫描过程中可以检测到缺陷部12。举例来说，如果检测线10的缺陷部12是一断路问题，在从检测线10的端点B扫描至端点A的过程中，与第二探针32连接的电子检测系统在端点B至缺陷部12的路径上，将无法接收到任何信号，然而，当第二探针32扫描通过缺陷部12之后，电子检测系统就可以检测到信号。因此，缺陷部12的位置就可以被找出，缺陷部12也就是位于电子检测系统可以检测到信号的位置与电子检测系统无法检测到任何信号的位置交界处。在另外一实施例中，如果缺陷部12是一紧缩缺陷，其意味检测线10包含一紧缩部14，且紧缩部14的半径或宽度远小于检测线10上的其他位置半径或宽度(可参考图2，其说明一紧缩缺陷的示例)，紧缩缺陷将会造成在紧缩部14的电阻高于其他部分的电阻。通过上述扫描方法，紧缩部14也可以轻易被找到。更详细来说，当第二探针32扫描过紧缩部14时，所检测到的信号将会突然明显改变，因此就可以确定紧缩部14的位置。在本实施例中，第一探针22具有一第一末端，第二探针32也具有一第二末端。第一末端与第二末端都是尖端状结构，优选而言，第一探针32的第一末本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检测电路缺陷的方法，其特征在于，至少包含以下步骤：步骤(a):提供一检测线位于一检测区域内，其中所述检测线包含一缺陷部位于其中；步骤(b):提供一第一探针以及一第二探针，其中所述第一探针接触所述检测线的一端点，用来提供一输入信号于所述检测区域内的所述检测线，且所述第二探针接触所述检测线的另一端点，用来接收一输出信号；步骤(c):通过一切割器切割所述检测线，移除所述检测区域内的部分所述检测线，并且定义一剩余检测线；步骤(d):移动所述第二探针以接触所述剩余检测线的一端点，以得到一新输出信号，其中当所述缺陷部已经位于所述剩余检测线之外的区域时，所述新输出信号是一正常信号，当所述缺陷部仍然位于所述剩余检测线之内的区域时，所述新输出信号是一异常信号；以及步骤(e):重复上述步骤(c)与步骤(d)，直到所述新输出信号成为所述正常信号，以得到一缺陷定位区段，其中所述缺陷部位于所述缺陷定位区段之内。

【技术特征摘要】
2015.11.27 US 14/953,0251.一种检测电路缺陷的方法，其特征在于，至少包含以下步骤：步骤(a):提供一检测线位于一检测区域内，其中所述检测线包含一缺陷部位于其中；步骤(b):提供一第一探针以及一第二探针，其中所述第一探针接触所述检测线的一端点，用来提供一输入信号于所述检测区域内的所述检测线，且所述第二探针接触所述检测线的另一端点，用来接收一输出信号；步骤(c):通过一切割器切割所述检测线，移除所述检测区域内的部分所述检测线，并且定义一剩余检测线；步骤(d):移动所述第二探针以接触所述剩余检测线的一端点，以得到一新输出信号，其中当所述缺陷部已经位于所述剩余检测线之外的区域时，所述新输出信号是一正常信号，当所述缺陷部仍然位于所述剩余检测线之内的区域时，所述新输出信号是一异常信号；以及步骤(e):重复上述步骤(c)与步骤(d)，直到所述新输出信号成为所述正常信号，以得到一缺陷定位区段，其中所述缺陷部位于所述缺陷定位区段之内。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在重复n次步骤(c)与步骤(d)之后，所述新输出信号成为所述正常信号，所述缺陷定位区段即是在第n次的步骤(c)中被移除的部分所述检测线。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述检测线的整体长度，是所述缺陷定位线段的长度的5～20倍。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一探针与一交流电压源连接。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一探针与所述第二探针各自包含一末端部，且所述第一探针的所述末端部与所述第二探针的所述末端部的曲率半径都小于300纳米。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二探针可移动，且所述第二探针是通过一压电回馈系统所驱动。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述切割器包含一长条部以及一尖端部，且所述尖端部是由摩式硬度大于6的材料构成。8.根据权利要求7所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王威智，陈碧真，陈华生，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：美国,US