一种三氯氢硅合成炉气体导流装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及硅化工技术领域，具体涉及一种三氯氢硅合成炉气体导流装置。主要技术方案为：一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，包括:旋流机构；所述旋流机构为圆形；所述旋流机构包括多个扇形构件；多个所述扇形构件沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的所述扇形构件之间固定连接；所述扇形构件包括：多个导流板一；所述导流板一相互平行地间隔设置，将所述扇形构件分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；所述导流板一沿所述扇形构件的径向设置。采用本实用新型专利技术能够改善氯化氢气体在合成炉中的分布，增加氯化氢和硅粉的反应时间，改善反应效果。

【技术实现步骤摘要】
一种三氯氢硅合成炉气体导流装置
本技术涉及硅化工
，尤其涉及一种三氯氢硅合成炉气体导流装置。
技术介绍
三氯氢硅是生产多晶硅的重要原料，随着多晶硅在现代科技、国防、工业等领域的广泛应用，三氯氢硅的生产也得到了快速发展，提高产品质量、降低生产成本、保证安全生产成为各个生产厂家竞相追逐的目标。利用硅粉和氯化氢合成三氯氢硅的过程是：硅粉从合成炉顶部加料口进入炉体、氯化氢自合成炉下部进入炉体，二者在炉内适宜温度下进行反应，生成三氯氢硅和副产品四氯化硅。现有的三氯氢硅合成炉一般采用单侧加料方式，即氯化氢和硅粉都是从合成炉的一侧进入炉体，这种加料方法中氯化氢直线通入合成炉内，容易造成氯化氢气体及硅粉在合成炉中分布不均，接触时间短、反应效果差，且易形成偏流，进而导致合成炉内不同区域之间出现较大温差，局部温度过高时，生成的副产品四氯化硅较多，而且还有可能损坏炉壁；而温度过低时，易生成副产品二氯二氢硅，且反应不充分，未反应的氯化氢气体会进入后续工段，影响产能利用率，且使得合成硅耗偏高。
技术实现思路
有鉴于此，本技术提供一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，主要目的在于改善氯化氢气体在合成炉中的分布，增加氯化氢和硅粉的反应时间，改善反应效果。为达到上述目的，本技术主要提供如下技术方案：本技术的实施例提供一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，包括:旋流机构；所述旋流机构为圆形；所述旋流机构包括多个扇形构件；多个所述扇形构件沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的所述扇形构件之间固定连接；所述扇形构件包括：多个导流板一；所述导流板一相互平行地间隔设置，将所述扇形构件分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；所述导流板一沿所述扇形构件的径向设置。进一步地，还包括：反射机构；所述反射机构为圆环形；所述反射机构套设在所述旋流机构的外侧，与所述旋流机构固定连接；所述反射机构包括多个扇环构件；多个所述扇环构件沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的所述扇环构件之间固定连接；所述扇环构件包括多个导流板二；所述导流板二相互平行地间隔设置，将所述扇环构件分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；所述导流板二与以所述反射机构的轴线为中心的圆弧相切；所述导流板二沿远离所述反射机构的轴线的径向向上倾斜。进一步地，所述导流板二为圆弧件，所述圆弧件与所述反射机构同轴设置；所述导流板二的直径由下向上逐渐变大。进一步地，所述旋流机构的上部呈向上喇叭口状。进一步地，所述旋流机构的下部呈向下喇叭口状。进一步地，所述旋流机构的上端开口与其下端开口相等。进一步地，所述导流板二为沿所述旋流机构的轴向分布的弧状结构，所述弧状结构向所述旋流机构的方向凸出。进一步地，所述导流板一的倾斜角度为50°-70°。进一步地，所述扇环构件沿圆周方向均匀分布；所述扇环构件的数量为偶数，所述扇环构件对称设置。进一步地，所述旋流机构包括：四个所述扇形构件。借由上述技术方案，本技术三氯氢硅合成炉气体导流装置至少具有下列优点：氯化氢气体在合成炉中的分布均匀，增加了氯化氢和硅粉的反应时间，改善了反应效果。上述说明仅是本技术技术方案的概述，为了能够更清楚了解本技术的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本技术的较佳实施例并配合附图详细说明如后。附图说明图1为本技术实施例提供的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置的示意图；图2为图1的俯视透视示意图；图3为本技术实施例提供的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置的另一实施方式的示意图；图4为图3的俯视透视示意图；图5本技术实施例提供的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置的另一实施方式的示意图；图6为图5的俯视透视示意图；图7本技术实施例提供的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置的另一实施方式的示意图；图8为图7的俯视透视示意图；图9本技术实施例提供的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置的另一实施方式的示意图；图10为图9的俯视透视示意图；图11本技术实施例提供的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置安装在合成炉上的示意图。图中所示：1为旋流机构，1-1为扇形构件，1-11为导流板一，2为反射机构，2-1为扇环构件，2-11为导流板二，3为合成炉炉体，4为HCL分布器。具体实施方式为更进一步阐述本技术为达成预定技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本技术申请的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。在下述说明中，不同的“一实施例”或“实施例”指的不一定是同一实施例。此外，一或多个实施例中的特定特征、结构、或特点可由任何合适形式组合。参考图1-图6，以及图11，本技术的一个实施例提出的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，包括:旋流机构1；旋流机构1在使用时，固定在三氯氢硅合成炉底部的HCL分布器4的上方，与HCL分布器4结合使用。一般旋流机构1与HCL分布器4设置在合成炉炉体3的下部，以使气体向上流动，与从上向下流动的硅粉相结合，发生反应。HCL分布器4为氯化氢气体分布器。旋流机构1为圆形；使用时固定在合成炉内，本实施例优选通过焊接固定，以使固定牢固。旋流机构1包括多个扇形构件1-1；多个扇形构件1-1沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的扇形构件1-1之间固定连接；多个扇形构件1-1组合成一个圆形的旋流机构1。扇形构件1-1包括：多个导流板一1-11；导流板一1-11优选为不锈钢材料；本实施例优选扇形构件1-1的外端设置有圆弧板件，每个导流板一1-11与圆弧板件焊接固定，连接可靠，焊接操作简单。当然本实施例也不排除，相邻导流板一1-11之间设置肋板，肋板分别与相邻导流板一1-11固定，以达到固定导流板一1-11的目的，结构简单，可以将导流板一1-11的外端与合成炉炉体3或反射机构2连接；方便固定。导流板一1-11相互平行地间隔设置，将扇形构件1-1分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；导流板一1-11沿扇形构件1-1的径向设置。旋流机构1上的倾斜气流通道的倾斜方向同为顺时针或逆时针；以使流出的气流能螺旋地向上流动；延长三氯氢硅气体与硅粉的接触时间，增加三氯氢硅气体与硅粉的接触机会，改善了气体分布的均匀性，改善反应效果。作为上述实施例的优选，参考图7至图10，本技术的一个实施例提出的一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，还包括：反射机构2；反射机构2为圆环形；反射机构2套设在旋流机构1的外侧，与旋流机构1固定连接；本实施例优选反射机构2与旋流机构1通过焊接固定，以使连接可靠。反射机构2包括多个扇环构件2-1；多个扇环构件2-1沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的扇环构件2-1之间固定连接；优选通过焊接固定；扇环构件2-1包括多个导流板二2-11；导流板二2-11相互平行地间隔设置，将扇环构件2-1分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；导流板二2-11与以反射机构2的轴线为中心的圆弧相切；导流板二2-11沿远离反射机构2的轴线的径向向上倾斜，使气流通道使气流向远离扇环构件2-1的圆心方向，倾斜向上流动。在作业中，气流冲向合成炉的内壁，经过内壁反弹，与设置在中部的旋流机构1中流出的螺旋向上的气流结合，使气流在合成炉中充分流动，与硅粉充分结合，进而改善反应效果。本实施例优选反射机构2包括四个扇环构件2-1，当然，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，其特征在于，包括:旋流机构；所述旋流机构为圆形；所述旋流机构包括多个扇形构件；多个所述扇形构件沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的所述扇形构件之间固定连接；所述扇形构件包括：多个导流板一；所述导流板一相互平行地间隔设置，将所述扇形构件分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；所述导流板一沿所述扇形构件的径向设置。

【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅合成炉气体导流装置，其特征在于，包括:旋流机构；所述旋流机构为圆形；所述旋流机构包括多个扇形构件；多个所述扇形构件沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的所述扇形构件之间固定连接；所述扇形构件包括：多个导流板一；所述导流板一相互平行地间隔设置，将所述扇形构件分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；所述导流板一沿所述扇形构件的径向设置。2.根据权利要求1所述的三氯氢硅合成炉气体导流装置，其特征在于，还包括：反射机构；所述反射机构为圆环形；所述反射机构套设在所述旋流机构的外侧，与所述旋流机构固定连接；所述反射机构包括多个扇环构件；多个所述扇环构件沿顺时针或逆时针方向依次设置；相邻的所述扇环构件之间固定连接；所述扇环构件包括多个导流板二；所述导流板二相互平行地间隔设置，将所述扇环构件分隔成多个相互平行的倾斜气流通道；所述导流板二与以所述反射机构的轴线为中心的圆弧相切；所述导流板二沿远离所述反射机构的轴线的径向向上倾斜。3.根据权利要求2所述的三氯氢硅合成炉气体导流装置，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨呈杰，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：新疆,65