基板处理方法以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第2处理气体供给区域的第2处理气体进行排气而设置的第2排气口；将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间，在该基板处理方法中，使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口的排气压力高出规定压力，防止所述第2处理气体混入所述第1排气口来进行基板处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法以及基板处理装置
本专利技术涉及基板处理方法以及基板处理装置。
技术介绍
以往以来，公知有一种成膜方法，在该成膜方法中，通过将互相反应的至少两种反应气体依次向基板的表面供给且执行该供给循环，层叠多层反应生成物的层而形成薄膜，其中，该成膜方法包括如下工序：将基板载置于真空容器内的旋转台上、使旋转台旋转的工序；从沿着旋转方向互相分开地设于真空容器的第1反应气体供给部件以及第2反应气体供给部件分别向旋转台上的基板的载置区域侧的面供给第1反应气体以及第2反应气体的工序；从在旋转方向上设于位于第1反应气体供给部件与第2反应气体供给部件之间的分离区域的分离气体供给部件供给分离气体、并使所述分离气体在该分离气体供给部件的旋转方向两侧向真空容器的顶面与旋转台之间的狭窄空间扩散的工序。在该成膜方法中，包括如下工序：在从第1排气路径的排气口以及第2排气路径的排气口将反应气体与向分离区域的两侧扩散的分离气体一起排气时、从第1处理区域以及第2处理区域将这些气体互相独立地排气的工序，其中，该第1排气路径的排气口在从旋转台的旋转中心观察时在第1处理区域与在旋转方向下游侧邻接于该第1处理区域的分离区域之间开口，该第2排气路径的排气口在从旋转台的旋转中心观察时在第2处理区域与在旋转方向下游侧邻接于该第2处理区域的分离区域之间开口；分别利用第1真空排气部件以及第2真空排气部件对第1排气路径内以及第2排气路径内互相独立地排气的工序，从第1处理区域以及第2处理区域各自独立地对第1反应气体以及第2反应气体进行排气。另外，在旋转台的下方存在的间隙空间也极窄地构成，因此，向第1处理区域供给的第1反应气体和向第2处理区域供给的第2反应气体也不会在旋转台的下方连通，从第1排气口以及第2排气口互相独立地排气。
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而，由于近年的工艺的多样化，存在要求以在旋转台的下方形成有间隙的状态进行工艺的情况。具体而言，在高温的工艺中，在将晶圆输入真空容器、并载置到旋转台上时，晶圆较大程度地翘曲，在翘曲复原之前无法开始工艺，因此，即使稍早一点，为了提前开始工艺，存在如下情况：构成为能够使旋转台升降，在晶圆载置时使旋转台下降而增大空间，翘曲一复原就使旋转台上升而执行工艺。在该工艺中，在旋转台上升了的状态下进行工艺，因此，存在如下情况：在旋转台的下方产生间隙，第1反应气体和第2反应气体经由该间隙混合，无法进行独立的排气。第1反应气体和第2反应气体可能互相反应而生成反应生成物，因此，若第1反应气体和第2反应气体在第1排气口附近或第2排气口附近反应，则产生如下问题：不需要的反应生成物就在第1排气口或第2排气口生成，真空容器内部就受到污染。因此，本专利技术提供一种即使是在该旋转台的下方产生间隙的工艺、也能够在第1排气口以及第2排气口各自进行独立的排气的基板处理方法以及基板处理装置。用于解决问题的方案本专利技术的一技术方案的基板处理方法是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第2处理气体供给区域的第2处理气体进行排气而设置的第2排气口；将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间，在该基板处理方法中，使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口的排气压力高出规定压力，防止所述第2处理气体混入所述第1排气口来进行基板处理。本专利技术的另一技术方案的基板处理装置具有：处理室；旋转台，其设于该处理室内，能够将基板载置在其表面上，并且能够升降；沿着该旋转台的周向在该旋转台的上方互相分开地设置的第1处理气体供给区域以及第2处理气体供给区域；与该第1处理气体供给区域以及该第2处理气体供给区域各自对应地设置于比所述旋转台靠下方的位置的第1排气口以及第2排气口；用于对该第1排气口以及该第2排气口的排气压力进行调整的第1压力调整阀以及第2压力调整阀；分离区域，其从所述处理室的顶面朝向下方突出，其设于所述第1处理气体供给区域与所述第2处理气体供给区域之间，以便在所述旋转台的上方使所述第1处理气体供给区域和所述第2处理气体区域分离；控制部件，其进行如下控制：在将所述基板载置在所述旋转台上时使所述旋转台下降，在使所述旋转台旋转来进行基板处理时使所述旋转台上升，并且，为了防止所述第2处理气体经由由于所述旋转台的上升而产生的将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间从所述第1排气口排气，而对所述第1压力调整阀以及第2压力调整阀进行控制，以使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气压力高出规定压力。本专利技术的另一技术方案的基板处理方法是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：能够将基板载置在其上表面的旋转台；沿着旋转方向在该旋转台的上方互相分开地配置的向所述基板供给原料气体的第1原料气体供给区域、供给与该原料气体发生反应而能够生成反应生成物的反应气体的第1反应气体供给区域、供给所述原料气体的第2原料气体供给区域、供给所述反应气体的第2反应区域；为了对供给于所述第1原料气体供给区域的所述气体进行排气而设置的第1排气口、为了对供给于所述第1反应气体供给区域的所述反应气体进行排气而设置的第2排气口、为了对供给于所述第2原料气体供给区域的所述气体进行排气而设置的第3排气口、为了对供给于所述第2反应气体供给区域的所述反应气体进行排气而设置的第4排气口；将所述第1排气口～第4排气口彼此连通的连通空间，在该基板处理方法中，使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口～所述第4排气口的排气压力高出规定压力，防止所述反应气体混入所述第1排气口来进行基板处理。本专利技术的另一技术方案的基板处理装置具有：处理室；旋转台，其设于该处理室内，能够将基板载置在表面上，并且能够升降；沿着该旋转台的旋转方向在该旋转台的上方互相分开地设置的第1原料气体供给区域、第1反应气体供给区域、第2原料气体供给区域以及第2反应气体供给区域；与该第1原料气体供给区域、该第1反应气体供给区域、该第2原料气体供给区域以及该第2反应气体供给区域各自对应地设置于比所述旋转台靠下方的位置的第1排气口～第4排气口；用于对该第1排气口～第4排气口的排气压力进行调整的第1压力调整阀～第4压力调整阀；分离区域，其从所述处理室的顶面朝向下方突出，设置在所述第1原料气体供给区域、所述第1反应气体供给区域、所述第2原料气体供给区域以及所述第2反应气体供给区域彼此之间，以便在所述旋转台的上方使所述第1原料气体供给区域、所述第1反应气体供给区域、所述第2原料气体供给区域以及所述第2反应气体供给区域彼此分离；控制部件，其进行如下控制：在将所述基板载置在所述旋转台上时使所述旋转台下降，在使所述旋转台旋转来进行基板处理时使所述旋转台上升，并且为了防止所述反应气体经由由于所述旋转台的上升而产生的将所述第1排气口～所述第4排气口彼此连通的连通空间从所述第1排气口排气而对所述第1压力调整阀～第4压力调整阀进行控制，以使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口～第4排气口的排气压力高出规定压力，。附图说明所附的附图作为本说明书的一部分编入来表示本申请的实施方式，与上述的一般的说明以及后述的实施方式的详细内容一起对本申请的概念进行本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板处理方法，其是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第2处理气体供给区域的第2处理气体进行排气而设置的第2排气口；将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间，在该基板处理方法中，通过使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口的排气压力高出规定压力，防止所述第2处理气体混入所述第1排气口来进行基板处理。

【技术特征摘要】
2015.06.30 JP 2015-130757;2015.11.25 JP 2015-229391.一种基板处理方法，其是使用了处理室的基板处理方法，该处理室具有：第1处理气体供给区域；为了对供给于该第1处理气体供给区域的第1处理气体进行排气而设置的第1排气口；第2处理气体供给区域；为了对供给于该第2处理气体供给区域的第2处理气体进行排气而设置的第2排气口；将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间，在该基板处理方法中，通过使所述第1排气口的排气压力比所述第2排气口的排气压力高出规定压力，防止所述第2处理气体混入所述第1排气口来进行基板处理。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述规定压力处于规定压力范围内。3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述规定压力范围是使所述第1处理气体混入所述第2排气口的情况不发生的压力范围。4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，所述连通空间是能够在上表面载置基板的旋转台的下方的空间，所述第1排气口以及所述第2排气口设于比所述连通空间靠下方的位置，所述第1处理气体供给区域和所述第2处理气体供给区域构成为，在所述旋转台的上方被从所述处理室的顶面朝向下方突出的分离区域分离，不产生所述第2处理气体混入所述第1处理气体供给区域以及所述第1处理气体混入所述第2处理气体供给区域的情况，一边实施所述第1处理气体以及所述第2处理气体自所述第1排气口以及所述第2排气口的排气、所述第1处理气体向所述第1处理气体供给区域的供给以及所述第2处理气体向所述第2处理气体供给区域的供给一边使所述旋转台旋转，来进行所述基板处理。5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，从所述分离区域供给吹扫气体，除了所述第1处理气体从所述第1排气口排气之外，所述吹扫气体也从所述第1排气口排气，除了所述第2处理气体从所述第2排气口排气之外，所述吹扫气体也从所述第2排气口排气。6.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述第1排气口设于所述第1处理气体供给区域的所述旋转台的旋转方向的下游端，所述第2排气口设于所述第2处理气体供给区域的所述旋转台的所述旋转方向的下游端，所述第2处理气体供给区域在所述旋转方向上比所述第1处理气体供给区域长，将所述第2处理气体向所述第2处理气体供给区域供给的第2处理气体供给喷嘴比所述第2排气口靠近所述第1排气口。7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述基板处理是ALD成膜处理。8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其中，所述第1处理气体是原料气体，所述第2处理气体是能够与该原料气体发生反应而生成反应生成物的反应气体。9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其中，所述规定压力范围与所述处理室内的压力相应地不同。10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其中，所述处理室内的压力越高，所述规定压力范围设定成越小的压力范围。11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其中，在所述处理室内的压力是1Torr～3Torr时，所述规定压力范围设定成0.1Torr～0.3Torr，在所述处理室内的压力是3Torr～5Torr时，所述规定压力范围设定成0.05Torr～0.1Torr，在所述处理室内的压力是5Torr～10Torr时，所述规定压力范围设定成0.01Torr～0.05Torr。12.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，所述旋转台能够升降，在使所述旋转台下降了的状态下载置所述基板，在使所述旋转台上升了的状态下进行所述基板处理。13.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述处理室内的温度设定成400℃以上。14.一种基板处理装置，其具有：处理室；旋转台，其设于该处理室内，能够在其表面上载置基板，并且能够升降；沿着该旋转台的周向在比该旋转台靠上方的位置互相分开地设置的第1处理气体供给区域以及第2处理气体供给区域；与该第1处理气体供给区域以及第2处理气体供给区域分别对应地设置于比所述旋转台靠下方的位置的第1排气口以及第2排气口；用于对该第1排气口以及该第2排气口的排气压力进行调整的第1压力调整阀以及第2压力调整阀；分离区域，其从所述处理室的顶面朝向下方突出，其设置于所述第1处理气体供给区域与所述第2处理气体供给区域之间，以便在所述旋转台的上方分离所述第1处理气体供给区域和所述第2处理气体供给区域；控制部件，其进行如下控制：在将所述基板载置在所述旋转台上时使所述旋转台下降，在使所述旋转台旋转来进行基板处理时使所述旋转台上升，并且，为了防止所述第2处理气体经由由于所述旋转台的上升而产生的将所述第1排气口和所述第2排气口连通的连通空间从所述第1排气口排气，而...

【专利技术属性】
技术研发人员：三浦繁博，佐藤润，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP