一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种量子点发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，还包括设置于所述阳极和空穴注入层的阳极修饰层；所述阳极修饰层包括含氟有机材料。本发明专利技术提供的量子点发光二极管，以含氟有机材料作为阳极修饰层，设置于阳极和空穴注入层之间，氟取代基以其极强的电负性发挥了强烈的吸电子作用，实现对空穴注入的提高；并且含氟有机材料的化学性质稳定，能够稳定提高量子点发光二极管的发光效率，延长使用寿命。

Quantum dot light emitting diode and preparation method thereof

The invention provides a quantum dot light-emitting diode, comprising an anode, a hole arranged injection layer, a hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer and a cathode arranged at the anode hole injection layer and an anode modification layer; the anode modification layer including fluorinated organic materials. The present invention provides quantum dot light-emitting diodes with fluorinated organic materials as anode modification layer arranged on the anode and hole injection layer between the fluorine substituents with strong electronegativity played a strong role in the realization of electronic absorption, to improve the hole injection; chemical properties of fluorinated organic materials and stability. To improve the luminous efficiency of light emitting diode quantum dots, prolong the service life.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及量子点发光二极管
，特别涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点是准零维的纳米材料，由少量的原子组成。量子点属于无机半导体材料，较有机材料具有更加稳定的光化学稳定性，并且可以通过调控量子点的尺寸实现对荧光波长、发射光谱的调控，具有优异的荧光量子产率。由于优异的特性，量子点受到广泛关注，被广泛用于显示
量子点发光二极管(QLED)是一种以量子点为发光层，能产生和发出任意可见波长的光的量子点有机发光器件。量子点发光二极管具有高亮度、高纯度、低功耗、宽色域、可大面积溶液加工诸多优点。但是目前量子点发光二极管载流子注入不平衡，主要是空穴注入的速率远远小于电子注入的速率，造成发光效率不高，寿命短的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种含阳极修饰层的量子点发光二极管及其制备方法。本专利技术提供的发光二极管发光效率高并且稳定性好，延长使用寿命。为了实现上述专利技术目的，本专利技术提供以下技术方案：本专利技术提供了一种量子点发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和空穴注入层的阳极修饰层；所述阳极修饰层包括含氟有机材料。优选的，所述阳极修饰层包括含氟聚烯烃中的一种或多种；所述阳极修饰层的厚度为0.1～10nm。优选的，所述阳极修饰层包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物和聚三氟氯乙烯中的一种或多种。优选的，所述阳极包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种；所述阳极的厚度为100～250nm。优选的，所述空穴注入层包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐；所述空穴注入层的厚度为10～100nm。优选的，所述空穴传输层聚乙烯咔唑、三苯基二胺、三苯基二胺聚合物、聚[(N,N’-(4-正丁基苯基)-N,N’二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2，7-二基)]、4,4-二(9-咔唑)联苯、三氯硫代乙酸和N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种或多种；所述空穴传输层的厚度为10～100nm。优选的，所述量子点发光层包括核壳量子点；所述量子点发光层的厚度为10～100nm。优选的，所述电子传输层包括氧化锌和/或二氧化钛；所述电子传输层的厚度为10～500nm。优选的，所述阴极包括铝、银、铜或钙中的一种或多种；所述阴极的厚度为100～200nm。本专利技术还提供了上述技术方案所述的量子点发光二极管的制备方法，包括以下步骤：在所述阳极上依次沉积阳极修饰层、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极；所述阳极修饰层采用真空热蒸镀法沉积。本专利技术提供的量子点发光二极管，以含氟有机材料作为阳极修饰层，设置于阳极和空穴注入层之间，氟取代基以其极强的电负性发挥了强烈的吸电子作用，实现对空穴注入的提高；并且含氟有机材料的化学性质稳定，能够稳定提高量子点发光二极管的发光效率，延长使用寿命；含氟有机材料作为阳极修饰层具有优异的绝缘性和较高的电离性能，进而降低阳极上过量空穴对激子的猝灭，提高空穴注入效率；同时采用含氟有机材料作为阳极修饰层，具有良好的成膜性，改善阳极层的表面形貌，有助于降低阳极粗糙度，使得阳极层均匀平整，减少粗糙界面对载流子传输的阻碍，显著降低空穴从阳极到空穴传输层的注入能障，提高空穴注入效率，降低驱动电压，进而提高量子点发光二极管的发光效率。另外，本专利技术以含氟有机材料作为阳极修饰层时，成膜性好，利于后续层的成膜，提高各层之间的连接性。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。图1为本专利技术实施例1制备得到的量子点发光二极管的示意图；其中，1-阳极，2-阳极修饰层，3-空穴注入层，4-空穴传输层，5-量子点发光层，6-电子传输层，7-阴极；图2为本专利技术实施例1和对比例1制备得到的量子点发光二极管中空穴从阳极到空穴传输层的注入能障示意图。具体实施方式本专利技术提供了一种量子点发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，还包括设置于所述阳极和空穴注入层的阳极修饰层；所述阳极修饰层包括含氟有机材料。本专利技术提供的量子点发光二极管，以含氟有机材料作为阳极修饰层，设置于阳极和空穴注入层之间，氟取代基以其极强的电负性发挥了强烈的吸电子作用，实现对空穴注入的提高；并且含氟有机材料的化学性质稳定，能够稳定提高量子点发光二极管的发光效率，延长使用寿命；含氟有机材料作为阳极修饰层具有优异的绝缘性和较高的电离性能，进而降低阳极上过量空穴对激子的猝灭，提高空穴注入效率。本专利技术提供的量子点发光二极管包括阳极。在本专利技术中，所述阳极优选包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种。在本专利技术中，所述金属氧化物优选包括氧化铟锡、掺氟氧化锡和掺铝氧化锌中的一种或多种；所述金属单质优选包括金属纳米线或金属网(metalmesh)，更优选包括银纳米线、金纳米线、铜纳米线，铜镍金属网、金纳米金属网、铜纳米金属网中的一种或者多种；所述含碳材料优选包括石墨烯、碳纳米管和碳纳米线中的一种或多种。本专利技术对所述金属氧化物、金属单质和含碳材料的具体来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的即可；在本专利技术的实施例中，所述阳极具体采用市售ITO导电玻璃。在本专利技术中，所述阳极的厚度优选为100～250nm，进一步优选为120～200nm，更优选为150～180nm。本专利技术提供的量子点发光二极管包括空穴注入层。在本专利技术中，所述阳极空穴注入层优选包括聚乙撑二氧噻吩(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸盐(PSS)。在本专利技术中，所述聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐的摩尔比优选为(1～5):(5～100)，更优选为(2～3):(20～80)，最优选为2:35～65。在本专利技术中，所述空穴注入层的厚度优选为10～100nm，进一步优选为15～90nm，更优选为30～60nm，最优选为50nm。本专利技术提供的量子点发光二极管包括设置在所述阳极和空穴注入层之间的阳极修饰层。在本专利技术中，所述阳极修饰层包括含氟有机材料，优选为含氟聚烯烃中的一种或多种，进一步优选为聚四氟乙烯(PTFE)、聚偏氟乙烯(PVDF)、氟化乙烯丙烯共聚物(FEP)、聚氟乙烯(PVF)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)和聚三氟氯乙烯(PCTFE)中的一种或多种。本专利技术对所述含氟有机材料的具体来源没有特殊要求，采用本领域技术人员所熟知的即可。在本专利技术中，所述阳极修饰层的厚度优选为0.1～10nm，进一步优选为0.5～8nm，更优选为2～6nm，最优选为3～4nm。本专利技术提供的量子点发光二极管包括设置在所述空穴注入层上的空穴传输层。在本专利技术中，所述空穴传输层优选包括聚乙烯咔唑(PVK)、三苯基二胺(TPD)、三苯基二胺聚合物(poly-TPD)、聚[(N,N’-(4-正丁基苯基)-N,N’二苯基-1,4-苯二胺)-ALT-(9,9-二正辛基芴基-2，7-二基)](TFB)、4,4-二(9-咔唑)联苯(CBP)、三氯硫代乙酸(TCTA)和N,N'-二苯基-N,N'-(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺(NPB)中的一种或多种。本专利技术对所述空穴传输层的具体来源没有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种量子点发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和空穴注入层之间的阳极修饰层；所述阳极修饰层的材质包括含氟有机材料。

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，包括依次设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和空穴注入层之间的阳极修饰层；所述阳极修饰层的材质包括含氟有机材料。2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极修饰层包括含氟聚烯烃中的一种或多种；所述阳极修饰层的厚度为0.1～10nm。3.根据权利要求2所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极修饰层包括聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯、氟化乙烯丙烯共聚物、聚氟乙烯、乙烯-四氟乙烯共聚物和聚三氟氯乙烯中的一种或多种。4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述阳极包括金属氧化物、金属单质和含碳材料中的一种或多种；所述阳极的厚度为100～250nm。5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴注入层包括聚乙撑二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐；所述空穴注入层的厚度为10～100nm。6.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层包括聚乙烯咔唑、三苯基二胺...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾小兵，魏居富，蒋杰，张青松，
申请(专利权)人：厦门世纳芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建;35