包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装制造技术

技术编号:15571837 阅读:38 留言:0更新日期:2017-06-10 05:49
包括具有阶梯状边缘的模制层叠晶片的半导体封装。一种半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽,第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在所述凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触,外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。

Semiconductor package including molded laminated wafers having stepped edges

Semiconductor package including molded laminated wafers having stepped edges. A semiconductor package may include a first semiconductor wafer, an external connector, a second semiconductor wafer, a molding layer, an outer package member, and a stepped edge. An external connector may be disposed over the first surface of the first semiconductor wafer. The second semiconductor wafer can be laminated over the second surface of the first semiconductor wafer. The molding layer can cover the sidewalls of the second semiconductor wafer. The outer package may have a groove, and the first semiconductor wafer and the second semiconductor wafer are accommodated in the recess. The stepped edge can be disposed below the edge of the molding layer to expose the sidewalls of the first semiconductor wafer. A portion of the outer wall of the molding layer may be contacted with a portion of an inner surface of the outer package member, and the inner surface of the outer package member may be spaced apart from the sidewalls of the first semiconductor wafer by stepped edge.

【技术实现步骤摘要】

本公开的实施方式总体上涉及半导体封装,并且,更具体地,涉及包括具有阶梯状(terrace-like)边缘的模制层叠晶片(moldedstackeddie)的半导体封装。
技术介绍
在电子行业中,随着更快速、大容量、小型化半导体封装的发展,对于包括多个半导体晶片或多个半导体芯片的单个统一封装的需求越来越大。如果在电子系统中采用单个统一封装,则可以减小电子系统的尺寸,并且还可以减小电子系统中的信号传输路径的长度。在单个统一封装在其中包括多个半导体晶片的情况下,所述多个半导体晶片的一部分可以在该单个统一封装的表面处暴露以便经由该单个统一封装从半导体晶片有效地散热。当将至少两个半导体封装彼此组合以实现诸如系统级封装(SIP)的高级别半导体封装时,可能需要多个半导体晶片的层叠结构以提供SIP的一部分。在这种情况下,可以在没有任何印刷电路板(PCB)的情况下实现多个半导体晶片的层叠结构,并且多个半导体晶片的层叠结构的一部分可以在SIP的表面处暴露。如果半导体晶片的一部分在半导体封装的表面处暴露,则施加至半导体晶片的暴露部分的外部冲击或与外部构件的物理接触可能导致诸如碎裂缺陷的机械损坏。碎裂缺陷可能产生颗粒,这种颗粒会导致其它故障。因而,可能需要用于抑制碎裂的半导体晶片的层叠结构以实现诸如SIP的高级别半导体封装。
技术实现思路
根据实施方式,半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件以及阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽,第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在该凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触,并且外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。根据实施方式,半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、外部连接件、模制层和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。根据实施方式,半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。与模制层的外侧壁相比,第一半导体晶片的侧壁朝向第一半导体晶片的中央部分偏移。根据实施方式,提供了包括半导体封装的存储卡。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件以及阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽,第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在该凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触,并且外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的存储卡。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、外部连接件、模制层和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的存储卡。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。与模制层的外侧壁相比,第一半导体晶片的侧壁朝向第一半导体晶片的中央部分偏移。根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的电子系统。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层、外部封装部件以及阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。外部封装部件可以具有凹槽,第一半导体晶片和第二半导体晶片的层叠结构被容纳在该凹槽中。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。模制层的外侧壁的一部分可以与外部封装部件的内表面的一部分接触,并且外部封装部件的内表面可以通过阶梯状边缘来与第一半导体晶片的侧壁间隔开。根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的电子系统。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、外部连接件、模制层和阶梯状边缘。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。阶梯状边缘可以布置在模制层的边缘下面以暴露第一半导体晶片的侧壁。根据实施方式,提供了一种包括半导体封装的电子系统。该半导体封装可以包括第一半导体晶片、外部连接件、第二半导体晶片、模制层。外部连接件可以布置在第一半导体晶片的第一表面上方。第二半导体晶片可以层叠在第一半导体晶片的第二表面上方。模制层可以覆盖第二半导体晶片的侧壁。与模制层的外侧壁相比,第一半导体晶片的侧壁朝向第一半导体晶片的中央部分偏移。附图说明考虑到附图和随附详细说明,本公开的各实施方式将变得更明显,在附图中:图1是示出了根据实施方式的半导体封装的示例的截面图;图2是示出了包括在根据实施方式的半导体封装中的封装部件的示例的截面图;图3是示出了包括在图1的半导体封装中的侧模制层叠晶片的示例的截面图;图4是示出了包括在图1的半导体封装中的侧模制层叠晶片的示例的仰视平面图;图5是示出包括在图1的半导体封装中的侧模制层叠晶片的示例的一部分以及封装部件的示例的一部分的截面图;图6是示出了包括在根据实施方式的半导体封装中的侧模制层叠晶片的示例的截面图;图7是示出了包括在根据实施方式的半导体封装中的侧模制层叠晶片的示例的截面图;图8是示出了包括在根据实施方式的半导体封装中的侧模制层叠晶片的示例的截面图;图9和图10是示出了形成包括在根据实施方式的半导体封装中的侧模制层叠晶片的阶梯状边缘的方法的示例的截面图;图11是示出了采用包括根据实施方式的封装的存储卡的电子系统的示例的框图;以及图12是示出了包括根据实施方式的封装的电子系统的示例的框图。具体实施方式本文使用的术语可以与考虑到它们在实施方式中的功能而选择的措辞相对应,并且这些术语的含义可以根据这些实施方式所属领域中的普通技术而不同地解释。如果进行了详细地定义,则可以根据定义解释这些术语。除非另有定义,否则本文使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与这些实施方式所属领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将理解的是,尽管本文可以本文档来自技高网...
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【技术保护点】
一种半导体封装,该半导体封装包括:第一半导体晶片;外部连接件,所述外部连接件被布置在所述第一半导体晶片的第一表面上方;第二半导体晶片,所述第二半导体晶片层叠在所述第一半导体晶片的第二表面上方;模制层,所述模制层覆盖所述第二半导体晶片的侧壁;外部封装部件,所述外部封装部件具有凹槽,所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的层叠结构被容纳在所述凹槽中;以及阶梯状边缘,所述阶梯状边缘被布置在所述模制层的边缘下面以暴露所述第一半导体晶片的侧壁,其中,所述模制层的外侧壁的一部分与所述外部封装部件的内表面的一部分接触,并且其中,所述外部封装部件的内表面通过所述阶梯状边缘来与所述第一半导体晶片的侧壁间隔开。

【技术特征摘要】
2015.11.26 KR 10-2015-01667881.一种半导体封装,该半导体封装包括:第一半导体晶片;外部连接件,所述外部连接件被布置在所述第一半导体晶片的第一表面上方;第二半导体晶片,所述第二半导体晶片层叠在所述第一半导体晶片的第二表面上方;模制层,所述模制层覆盖所述第二半导体晶片的侧壁;外部封装部件,所述外部封装部件具有凹槽,所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的层叠结构被容纳在所述凹槽中;以及阶梯状边缘,所述阶梯状边缘被布置在所述模制层的边缘下面以暴露所述第一半导体晶片的侧壁,其中,所述模制层的外侧壁的一部分与所述外部封装部件的内表面的一部分接触,并且其中,所述外部封装部件的内表面通过所述阶梯状边缘来与所述第一半导体晶片的侧壁间隔开。2.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述外部封装部件包括:承载带,所述承载带提供容纳凹槽,所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片的层叠结构被放置在所述容纳凹槽中;以及覆盖带,所述覆盖带被附接至所述承载带的上部以将所述容纳凹槽密封,其中,所述承载带包括:连接件壳体,所述连接件壳体提供第一空间,所述外部连接件被放置在所述第一空间中;晶片支承部分,所述晶片支承部分从所述连接件壳体的上部水平地且向外地延伸;以及侧壁部分,所述侧壁部分从所述晶片支承部分的边缘竖直地且向上地延伸以提供第二空间,所述第一半导体和所述第二半导体晶片以及所述模制层被放置在所述第二空间中,所述承载带的侧壁部分与所述第一半导体晶片的侧壁间隔开,并且所述承载带的侧壁部分的一部分与所述模制层的外侧壁的一部分接触。3.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一半导体晶片的侧壁从所述模制层的外侧壁朝向所述第一半导体晶片的中央部分侧向地凹入;所述阶梯状边缘暴露所述模制层的与所述第一半导体晶片的侧壁相邻的水平表面;并且所述模制层的水平表面、所述模制层的外侧壁以及所述第一半导体晶片的侧壁构成所述阶梯状边缘。4.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一半导体晶片的侧壁从所述模制层的外侧壁朝向所述第一半导体晶片的中央部分侧向地凹入,并且与所述模制层的与所述第一半导体晶片相邻的内侧壁竖直对齐;所述阶梯状边缘暴露所述模制层的位于所述模制层的外侧壁和内侧壁之间的水平表面;并且所述模制层的水平表面、所述模制层的外侧壁、所述模制层的内侧壁以及所述第一半导体晶片的侧壁构成所述阶梯状边缘。5.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一半导体晶片的侧壁包括:外侧壁,所述外侧壁与所述模制层的外侧壁竖直对齐;内侧壁,所述内侧壁从所述第一半导体晶片的外侧壁朝向所述第一半导体晶片的中央部分侧向地凹入以与所述第一半导体晶片的外侧壁间隔开;以及水平表面,所述水平表面位于所述第一半导体晶片的外侧壁和内侧壁之间,其中,所述第一半导体晶片的内侧壁、所述第一半导体晶片的水平表面和所述第一半导体晶片的外侧壁构成所述阶梯状边缘。6.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一半导体晶片通过穿入所述第一半导体晶片的电极来电连接至所述第二半导体晶片的最下面的晶片。7.根据权利要求1所述的半导体封装,其中,所述第一半导体晶片和所述第二半导体晶片通过分别穿入所述第一半导体晶片和...

【专利技术属性】
技术研发人员:文钟奎金钟元朴完春
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司
类型:发明
国别省市:韩国;KR

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