电子器件及制造其的方法技术

一种半导体器件可以包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个狗骨头型导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触，且具有凹部和凸部；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠。

Electronic device and method for manufacturing the same

A semiconductor device may include a plurality of first contact along a first direction and a second direction crossing the first direction at a predetermined distance layout; a plurality of second contacts arranged alternately in the first contact between and along the first direction and the second direction at a predetermined distance layout; multiple dog bone type wire are respectively connected to the the layout of the second contact along the second direction more than second contact, and having concave and convex portions; and a plurality of etch stop patterns were formed over the plurality of wires with wire overlapping.

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年11月26日提交的申请号为10-2015-0166287、题为“电子器件及制造其的方法”的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本专利文件涉及存储电路或器件及其在电子设备或系统中的应用。
技术介绍
近来，随着电子装置趋向于小型化、低功耗、高性能和多功能等，本领域中已经需要能够在诸如计算机和便携式通信设备等的各种电子装置中储存信息的半导体器件，且已经对这些半导体器件进行了研究。这种半导体器件包括通过使用根据施加的电压或电流而在不同阻态之间切换的特性来储存数据的半导体器件，例如RRAM(电阻式随机存取存储器)、PRAM(相变随机存取存储器)、FRAM(铁电随机存取存储器)、MRAM(磁性随机存取存储器)、电熔丝等。
技术实现思路
本专利文件中所公开的技术包括存储电路或器件及其在电子设备或系统中的应用以及包括能够改善可变电阻元件的特性的半导体存储器的电子设备的各种实施方式。在一种实施方式中，半导体器件可以包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个狗骨头型导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触，且具有凹部和凸部；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠。以上半导体器件的实施方式可以包括下面中的一种或更多种。刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。导线的凹部位于与第一接触相对应的位置处。导线的凸部位于沿第二方向布置的第二接触之上。刻蚀阻止图案以具有凹部和凸部的狗骨头型形成，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。刻蚀阻止图案具有凹部和凸部，且以反狗骨头型来形成，反狗骨头型的凸部和凹部分别与导线的凹部和凸部交叠。刻蚀阻止图案以线型形成，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的凸部的线宽。半导体器件还包括形成在导线的两个侧表面上的间隔物。半导体器件还包括以网格型布置以与第一接触交叠的多个第三接触。半导体器件还包括布置在第三接触之上以与第三接触接触的数据储存元件。数据储存元件包括电容器或可变电阻元件。刻蚀阻止图案包括绝缘材料。刻蚀阻止图案包括氮化物材料。在一种实施方式中，半导体器件可以包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。以上半导体器件的实施方式可以包括下面中的一种或更多种。刻蚀阻止图案包括线图案。刻蚀阻止图案以具有凹部和凸部的狗骨头型来形成，且刻蚀阻止图案的凸部位于与第一接触相对应的位置处。半导体器件还包括形成在导线的两个侧表面上的间隔物。半导体器件还包括以网格型来布置而与第一接触交叠的多个第三接触。半导体器件还包括形成在第三接触之上以与第三接触接触的数据储存元件。数据储存元件包括电容器或可变电阻元件。刻蚀阻止图案包括绝缘材料。刻蚀阻止图案包括氮化物材料。在一种实施方式中，提供了一种包括半导体存储器的电子设备。该半导体存储器可以包括：多个第一底接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个源极接触，交替地布置在第一底接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个源极线，分别连接至所述多个源极接触之中的沿第二方向布置的源极接触；多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个源极线之上以与源极线交叠，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于源极线的线宽；多个第二底接触，布置为与第一底接触交叠；以及多个可变电阻元件，布置在所述多个第二底接触之上以与第二底接触接触。以上电子设备的实施方式可以包括下面中的一种或更多种。刻蚀阻止图案包括线图案。刻蚀阻止图案以具有凹部和凸部的狗骨头型来形成，且刻蚀阻止图案的凸部位于与第一底接触相对应的位置处。源极线包括具有凹部和凸部的狗骨头型，且源极线的凹部位于与第一底接触相对应的位置处。源极线包括具有凹部和凸部的狗骨头型，且源极线的凸部位于沿第二方向布置的源极接触之上。源极线和刻蚀阻止图案包括具有凹部和凸部的狗骨头型。源极线包括具有凹部和凸部的狗骨头型，而刻蚀阻止图案包括反狗骨头型，反狗骨头型的凸部和凹部分别与源极线的凹部和凸部交叠。电子设备还包括形成在源极线的两个侧表面上的间隔物。刻蚀阻止图案包括绝缘材料。刻蚀阻止图案包括氮化物材料。可变电阻元件具有包括金属氧化物、相变材料、含铁电介质材料或铁磁材料的单层结构或多层结构。所述电子设备还可以包括微处理器，所述微处理器包括：控制单元，被配置成：从微处理器的外部接收包括命令的信号，以及执行对命令的提取、解码或者对微处理器的信号的输入或输出的控制；操作单元，被配置成基于控制单元对命令解码的结果来执行操作；以及存储器单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址，其中，半导体存储器是微处理器中的存储器单元的部分。所述电子设备还可以包括处理器，所述处理器包括：核心单元，被配置成基于从所述处理器的外部输入的命令而通过使用数据来执行与所述命令相对应的操作；高速缓冲存储器单元，被配置成储存用于执行操作的数据、与执行操作的结果相对应的数据或被执行操作的数据的地址；以及总线接口，连接在核心单元与高速缓冲存储器单元之间，且被配置成在核心单元与高速缓冲存储器单元之间传输数据，其中，半导体存储器是处理器中的高速缓冲存储器单元的部分。所述电子设备还可以包括处理系统，所述处理系统包括：处理器，被配置成对处理器接收到的命令解码，以及针对基于对命令解码的结果来控制对信息的操作；辅助存储器件，被配置成储存用于对命令解码的程序和所述信息；主存储器件，被配置成：调用并储存来自辅助存储器件的程序和信息，使得处理器在运行程序时能够通过使用程序和信息来执行操作；以及接口设备，被配置成执行处理器、辅助存储器件和主存储器件中的至少一种与外部之间的通信，其中，半导体存储器是处理系统中的辅助存储器件或主存储器件的部分。所述电子设备还可以包括数据储存系统，所述数据储存系统包括：储存设备，被配置成：储存数据，且无论电源如何都保存所储存的数据；控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制向储存设备输入数据和从储存设备输出数据；暂时储存设备，被配置成暂时地储存在储存设备与外部之间交换的数据；以及接口，被配置成执行储存设备、控制器和暂时储存设备中的至少一种与外部之间的通信，其中，半导体存储器是数据储存系统中的储存设备或暂时储存设备的部分。所述电子设备还可以包括存储系统，所述存储系统包括：存储器，被配置成：储存数据，且无论电源如何都保存所储存的数据；存储器控制器，被配置成根据从外部输入的命令来控制向存储器输入数据和从存储器输出数据；缓冲存储器，被配置成对在存储器与外部之间交换的数据进行缓冲；以及接口，被配置成执行存储器、存储器控制器和缓冲存储器中的至少一种与外部之间的通信，其中，半导体存储器是存储系统中的存储器或缓冲存储器的部分。在一种实施方式中，用于制造包括半导体存储器的电子设本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个狗骨头型导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触，且具有凹部和凸部；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠。

【技术特征摘要】
2015.11.26 KR 10-2015-01662871.一种半导体器件，包括：多个第一接触，沿第一方向和与第一方向交叉的第二方向以预定距离布置；多个第二接触，交替地布置在第一接触之间，且沿第一方向和第二方向以预定距离布置；多个狗骨头型导线，分别连接至所述多个第二接触之中的沿第二方向布置的第二接触，且具有凹部和凸部；以及多个刻蚀阻止图案，分别形成在所述多个导线之上以与导线交叠。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，导线的凹部位于与第一接触相对应的位置处。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，导线的凸部位于沿第二方向布置的第二接触之上。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，刻蚀阻止图案以具有凹部和凸部的狗骨头型来形成，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的线宽。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，刻蚀阻止图案具有凹部和凸部，且以反狗骨头型来形成，所述反狗骨头型的凸部和凹部分别与导线的凹部和凸部交叠。7.如权利要求1所述的半导体器件，其中，刻蚀阻止图案以线型来形成，且刻蚀阻止图案的线宽等于或大于导线的凸部的线宽。8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括形成在导线的两个侧表面上的间隔物。9.如权利要求1所述的半导体器件，还包括以网格型布置而...

【专利技术属性】
技术研发人员：文珠荣，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR