IIC器件可变总线地址的电路制造技术

本实用新型专利技术涉及IIC器件总线地址控制领域，公开了一种IIC器件可变总线地址的电路，解决两个以上的主控芯片的系统中，出现某个芯片不能正常和IIC器件进行通讯的问题。包括一个IIC器件，在IIC器件的通信端连接有多个用于与其通信的主控芯片，IIC器件的每一个地址脚都通过一个控制电路与每个主控芯片的其中一个信号控制端连接；控制电路包括电源端、MOS管、电阻一和电阻二，其中，MOS管的漏极与电阻一的一端、IIC器件的地址脚连接，MOS管的源极接地，MOS管的栅极与电阻二的一端连接，电阻一的另一端与电源端连接，电阻二的另一端与主控芯片的信号控制端连接。本实用新型专利技术适用于拥有两个以上的主控芯片的IIC器件总线通信系统。

【技术实现步骤摘要】
IIC器件可变总线地址的电路
本技术涉及IIC器件总线地址控制领域，特别涉及IIC器件可变总线地址的电路。
技术介绍
在电子产品中，大量采用集成电路来实现各种功能，每个集成电路都有各自独立的作用。在一个完整的系统中，一般都有一个或几个主控芯片，再加上外围的集成电路，达到功能的实现。在外围的集成电路中，存在一些需要和主控芯片进行通讯的器件，在各种通讯协议中，IIC总线通讯占据绝大多数实际的应用。对于采用IIC总线通讯的器件，在系统中，为达到通讯正常，只能具备一个唯一的总线地址。当前的电子产品设计中，一般是在产品前期的设计规划中，通过给IIC器件赋予一个的固定总线地址来实现。这种固定IIC器件总线地址的方法，在一个独立、封闭、固定的系统上，是很容易实现的，但是，若有两个或以上的复杂系统，在实现互联互通的过程中，若要对同一IIC器件进行通讯，就可能存在由于主控芯片对该器件定义的总线地址不同，而导致某个系统不能正常和该器件进行通讯的问题。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是：提供一种IIC器件可变总线地址的电路，解决两个以上的主控芯片的系统中，出现某个芯片不能正常和IIC器件进行通讯的问题。为解决上述问题，本技术采用的技术方案是：IIC器件可变总线地址的电路，包括一个IIC器件，在IIC器件的通信端连接有多个用于与其通信的主控芯片，IIC器件的每一个地址脚都通过一个控制电路与每个主控芯片的其中一个信号控制端连接；所述控制电路包括电源端、MOS管、电阻一和电阻二，其中，MOS管的漏极与电阻一的一端、IIC器件的地址脚连接，MOS管的源极接地，MOS管的栅极与电阻二的一端连接，电阻一的另一端与电源端连接，电阻二的另一端与主控芯片的信号控制端连接。进一步的，上述主控芯片的数量为两个。进一步的，在电阻二的另一端与主控芯片的信号控制端之间连接有信号隔离器件。本技术的有益效果是：通过在主控芯片与IIC器件设置控制电路，每个主控芯片可以独立控制同一个IIC器件，改变其总线地址以满足主控芯片自身的地址定义要求，从而确保通讯正常。附图说明图1是本技术的电路图。图中编号：U1为IIC器件，master1为第一主控芯片，master2为第二主控芯片，SCL/SDA为IIC器件的通信端，VCC为电源端，A0-An为IIC器件的第一至第n+1地址脚，Rn1为第n+1地址脚处的上拉电阻，Rn2为第n+1地址脚处的电阻二，R01为第一地址脚处的上拉电阻，R02为第一地址脚处的电阻二，R11为第二地址脚处电阻一，R12为第二地址脚处的电阻二，Q0-Qn分别为第一至第n+1处的地址脚处的MOS管，C0-Cn分别为主控芯片的各个信号控制端。具体实施方式下面结合附图及具体实施例就本技术的技术方案做进一步说明。如图1所示，IIC器件U1其通讯端SDA/SCL同时连接两个主控芯片master1、master2，IIC器件U1的第一地址脚A0连接到上拉电阻R01的一端，上拉电阻R01的另一端连接到电源端VCC，其中电源端VCC的电压值是能够满足IIC器件U1的高电平定义的值，第一地址脚A0同时连接到MOS管Q0的漏极，MOS管Q0的源极接地，MOS管Q0的栅极连接电阻二R02的一端，电阻二R02的另一端连接第一主控芯片master1的信号控制端C0，当第一主控芯片master1控制其信号控制端C0为低电平时，则第一地址脚A0为高电平，当第一主控芯片master1控制其信号控制端C0为高电平时，则第一地址脚A0为低电平。同理，对于IIC器件U1的其他地址脚A1......An，采用与第一地址脚A0相同控制电路进行设计。实施例中，通过改变第一主控芯片master1或者第二主控芯片master2的信号控制端的输出电平，确定IIC器件U1的总线地址，从而实现通讯的正常实施。上述电阻R01，R01......Rn1,R02，R12......Rn2为可变电阻器,具体取值根据满足MOS管电路充分导通的实际需求而定。上述MOS管也可以采用晶体三极管来代替实现。此外，为避免多个主控芯片的信号控制端之间互相影响，可分别在主控芯片的信号控制端C0-Cn与电阻二R02-Rn2之间增加信号隔离器件，如光耦。以上描述了本技术的基本原理和主要的特征，说明书的描述只是说明本技术的原理，在不脱离本技术精神和范围的前提下，本技术还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本技术范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
IIC器件可变总线地址的电路，包括一个IIC器件，其特征在于，在IIC器件的通信端连接有多个用于与其通信的主控芯片，IIC器件的每一个地址脚都通过一个控制电路与每个主控芯片的其中一个信号控制端连接；所述控制电路包括电源端、MOS管、电阻一和电阻二，其中，MOS管的漏极与电阻一的一端、IIC器件的地址脚连接，MOS管的源极接地，MOS管的栅极与电阻二的一端连接，电阻一的另一端与电源端连接，电阻二的另一端与主控芯片的信号控制端连接。

【技术特征摘要】
1.IIC器件可变总线地址的电路，包括一个IIC器件，其特征在于，在IIC器件的通信端连接有多个用于与其通信的主控芯片，IIC器件的每一个地址脚都通过一个控制电路与每个主控芯片的其中一个信号控制端连接；所述控制电路包括电源端、MOS管、电阻一和电阻二，其中，MOS管的漏极与电阻一的一端、IIC器件的地址脚连接，MOS管的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，廖鹏，
申请(专利权)人：四川长虹电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51