发光二极管组件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管组件，包含基板、发光二极管芯片及封装体，发光二极管芯片设于基板上并具有一光轴，封装体包覆发光二极管芯片。封装体包含反光层及透光层，反光层设于发光二极管芯片前方并对称光轴设置，透光层设于反光层及发光二极管芯片之间。由发光二极管组件的侧剖面观之，封装体呈圆弧状地包覆发光二极管，且反光层在基板上的垂直投影范围大于发光二极管芯片于基板上的垂直投影范围。

LED assembly

The utility model discloses a light emitting diode assembly comprises a substrate, a light-emitting diode chip and a packaging body, light emitting diode chip is arranged on the substrate and has an optical axis, coating the light emitting diode chip package. The package body comprises a reflecting layer and a light transmitting layer, wherein the reflecting layer is arranged in front of the LED chip and is symmetrically arranged on the optical axis, and the light transmitting layer is arranged between the reflecting layer and the LED chip. From the angle of the side section of light-emitting diode component package, arc coated light emitting diode, and a reflective layer on the substrate of the vertical projection range is larger than the vertical projection range of the light emitting diode chip on the substrate.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管组件
本技术是关于半导体元件，且特别是有关于具有反射层的发光二极管封装。
技术介绍
发光二极管为一种半导体元件，主要透过半导体化合物将电能转换为光能以达到发光效果；因其具有高发光效率、使用寿命长、体积小及环保无汞等特点，已被广泛地应用于作为室内外照明。此外，发光二极管更因具备窄谱输出的特点而被逐渐被应用于影像辨识(如脸部辨识、虹膜辨识或车牌辨识)。请参阅图1，其绘示现有发光二极管组件的剖视图。在图1中，发光二极管组件1包含基板10、发光二极管芯片12及封装胶体14；基板10可以为印刷电路板(printedcircuitboard,PCB)，且其上预先形成有多个电路布线(未图示)；发光二极管芯片12固设于基板10上，并与电路布线形成电性连接；封装胶体14呈圆形弧状地包覆发光二极管芯片12。封装胶体14为环氧树脂或硅树脂等高透明性树脂作为材料，且封装胶体14经设计使具有外凸弧面来达到扩大通过的光线的折射角度的效果，以产生如图2所示的呈朗伯(Lambertian)发散的发光场形。在图2中，发光二极管组件1的发散角(以相对强度大于0.4为例)约在光轴I两侧各40度左右；沿着图1所绘示的发光二极管组件1的光轴I(即0度)的射出的光线(中心光源)最强，愈远离光轴I的光线愈弱；这使得发光二极管组件1的发散角内的光线的均匀度低。
技术实现思路
本技术提出一种发光二极管组件，用以解决现有技术所述的发光二极管组件在发散角内的光线均匀度低的问题，并可进一步地扩大照射范围。依据本技术的一种发光二极管组件包含基板、发光二极管芯片及封装体，发光二极管芯片设于基板上并具有光轴，封装体包覆发光二极管芯片。封装体包含反光层及透光层，反光层设于发光二极管芯片前方，用以反射发光二极管芯片发出的部分光线使产生反射光线；透光层设于反光层及发光二极管芯片之间。由发光二极管组件的侧剖面观之，封装体呈圆弧状地包覆发光二极管。在本技术另一实施方式中，反光层可对称光轴设置，反光层在基板上的垂直投影范围可大于发光二极管芯片于基板上的垂直投影范围；反光层在平行于光轴的方向上的厚度可随着远离光轴而减少，且反光层及透光层的接面可设计使呈圆弧状，且接面的曲率半径可小于封装体的曲率半径。在本技术的又一实施方式中，发光二极管组件更可以包含反光薄膜，呈环状地设于基板上，并用以反射前述反射光线。在本技术的再一实施方式中，发光二极管组件还可包含波长转换物质，此波长转换物质位于透光层中。该发光二极管芯片用以产生波长介于700nm～980nm的红外光。附图说明图1绘示现有发光二极管组件的剖视图；图2为现有发光二极管组件的强度与发光角度关系的曲线图；图3绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管组件的剖视图；图4绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管组件的俯视图；图5为本技术第一实施方式的发光二极管组件光强度与发光角度关系的曲线图；图6绘示依照本技术第二实施方式的发光二极管组件的剖视图；及图7绘示依照本技术第三实施方式的发光二极管组件的剖视图。其中，附图标记：1、3、3a发光二极管组件10、30基板12、32发光二极管芯片14封装胶体33封装体34透光层35接面36反射层37反射薄膜38波长转换粒子d直径具体实施方式请参阅图3及图4，其等分别绘示依照本技术第一实施方式的发光二极管组件的剖视图及俯视图。发光二极管组件3包含基板30、发光二极管芯片32、封装体33。基板30可以为印刷电路板，或者基板30也可以为预先布设有电路图案(未图示)的陶瓷基板、铝基板或铜基板等具有良好导热或散热效果的材质制作而成。发光二极管芯片32在操作中能够根据所用的半导体材料的成分，发射一特定颜色的光颜色的光；在本实施方式中，发光二极管芯片32用以产生波长介于700nm～980nm的红外光。如图3所示，封装体33呈圆弧状地包覆发光二极管芯片32。封装体33包含反光层34及透光层36；反光层36设在发光二极管芯片32的上方，透光层34设在发光二极管芯片32及反光层36之间，并密封发光二极管芯片32。透光层34由玻璃或其他耐热及光学透明材料(例如为环氧树脂或硅树脂)制成，用以供发光二极管芯片32发出的光线于其中传递，并可避免粉尘或水气附着于发光二极管芯片32。在此要特别说明的是，图3所绘示的发光二极管芯片32以覆晶形式的发光二极管芯片为例，故无导线连接在发光二极管芯片32的电极(未图示)及基板30的电路布线之间；然而，若发光二极管芯片32为水平结构或垂直结构的发光二极管芯片时，透光层34必须同时密封发光二极管芯片32及连接在发光二极管芯片32的电极及基板30的电路布线间的导线。反光层36可由金属制成或由白色、灰色等具有反光特性的胶体制成，用以反射发光二极管芯片32发出并传递至其上的光线，使产生反射光线。反射光线传递至基板30后，经基板30供承载发光二极管芯片30的表面再次反射后，朝向发光二极管芯片30的前方传递。简言之，发光二极管芯片32发出的光线的传递路径有二，其一为直接经透光层34折射后传递至设于发光二极管芯片32前方的被照射面，其二为经透光层34传递至反光层34后，经反光层34反射后向基板30传递，之后再由基板30反射并经透光层34折射后传递至被照射面。反光层36可设计使对称于发光二极管芯片32的光轴I，且其在平行于光轴I的方向上的厚度随着远离光轴I而减少，使透光层34及反光层36间的接面35大致呈圆弧状地朝向发光二极管芯片32的方向凹陷。由发光二极管组件3的侧剖面观之，反光层36于基板30上的垂直投影范围大于发光二极管芯片32于基板30上的垂直投影范围，接面35的曲率半径小于封装体33的曲率半径。反光层36的使用可以有效地降低发光二极管组件3正向出光的强度，并可扩大发光二极管组件3照射范围。举例来说，以一般商业常见42mil*42mil(约当1mm*1mm，即1mm2)的面积规格的发光二极管芯片32而言，本实施方式的反射部36的直径d(如图4所示)可设计约为1.6mm。请参阅图5，其为本技术第一实施方式的发光二极管组件的强度与发光角度关系的曲线图。为了方面说明，图5更以虚线表示现有发光二极管组件的强度与发光角度关系曲线A。在图5中，曲线B表示本实施方式的发光二极管组件3的强度与发光角度关系。由图5所示曲线B可知，发光二极管组件3的发光场形呈蝙蝠翼(batwing)状，光发散角(以相对强度大于0.4为例)约在光轴I(即0度)两侧各65度左右，且在光轴I两侧各约35度的光线最强，故可以提供一个范围大且均匀的照射面。要特别说明的是，基板30供承载发光二极管芯片32的表面300可以为不经过特殊处理的光滑表面，然前述表面需使用非吸光材质制作即可；如此一来，才能够有效地避免经反射层36反射后的光线被基板30大量吸收而影响发光二极管组件3的整体光利用效率。然而，为了更有效地提高光利用效力，基板30供承载发光二极管芯片32的表面300上也可设有反光薄膜37，如图6所示。发光二极管组件3a的反光薄膜37可经设计而设在经反射层36反射后的光线的光学传递路径，并可例如呈环形设置，并用以反射传递于其上的光线；也就是说，由发光二极管芯片32发出的部分光线会本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管组件，其特征在于，包含:一基板；一发光二极管芯片，设于该基板上，该发光二极管芯片具有一光轴；以及一封装体，包含:一反光层，设于该发光二极管芯片前方，该反光层用以反射该发光二极管芯片发出的部分光线使形成一反射光线；以及一透光层，设于该反光层及该发光二极管芯片之间，其中，由该发光二极管组件的侧剖面观之，该封装体呈圆弧状地包覆该发光二极管芯片。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管组件，其特征在于，包含:一基板；一发光二极管芯片，设于该基板上，该发光二极管芯片具有一光轴；以及一封装体，包含:一反光层，设于该发光二极管芯片前方，该反光层用以反射该发光二极管芯片发出的部分光线使形成一反射光线；以及一透光层，设于该反光层及该发光二极管芯片之间，其中，由该发光二极管组件的侧剖面观之，该封装体呈圆弧状地包覆该发光二极管芯片。2.如权利要求1所述的发光二极管组件，其特征在于，反光层对称该光轴设置。3.如权利要求2所述的发光二极管组件，其特征在于，该反光层在平行于该光轴的方向上的厚度随着远离该光轴而减少。4.如权利要求1或3所述的发光二极管组件，其特征在于，该反光层及该透光层间的一接面...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志宏，吴明昌，吴健旸，林坤立，陈政廷，黄冠尧，
申请(专利权)人：研晶光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：中国台湾,71