The embodiment of the invention provides a method for preparation of Ordered Silver Nanoparticles array, the method includes: preparing ordered nano array template OAB aluminum bowl samples; plating silver film thickness of 10nm vapor in surface heat of the OAB array template samples; the OAB array template samples annealed at 500 C under vacuum 1H, get Ordered Silver nanosphere array structure. The technical proposal has the following beneficial effects: (1) the prepared silver nanosphere array is highly ordered. (2) the size distribution is small and the structure is adjustable. (3) there is no need to transfer the OAB template to other substrates, so the ordered Ag nanospheres can be prepared in large area. (4) the ordered array of silver nanospheres has an ultra high density (> 10)
【技术实现步骤摘要】
一种制备有序银纳米球阵列的方法
本专利技术涉及纳米材料制备
,尤其涉及一种制备有序银纳米球阵列的方法。
技术介绍
拉曼散射光谱由于其对分子和化学键振动峰的特异性,成为一个功能强大的分子检测技术。表面增强拉曼散射(SERS,SurfaceEnhancedRamanScattering)因其具有灵敏度高,快速检测,可以获得常规拉曼光谱所不易得到的结构信息,被广泛应用于表面研究、生物表面科学,食品安全等领域。SERS效应主要存在于金属纳米结构间的间隙,即“热点”(hotspot),由于金属表面等离子共振效应,“热点”附近的电磁场得到极大的增强。最近的研究表明“热点”对SERS信号有很大的增强,对待检测物质有很高的灵敏度,甚至可以实现单分子检测。由于贵金属纳米结构在光电,传感器和催化应用等领域具有独特的性质,因此被广泛研究。尤其,被排成有序的周期性阵列,它们的一些性能将大幅度提高。例如,通过自下而上的方法,贵金属纳米粒子自组装可以形成热点。热点的随机分布通常会导致SERS信号不均匀。有序的周期性贵金属阵列(如金,银,铂)赋予了基底具有很好的SERS均匀性。为了获得具有良好的重现性和高灵敏度的SERS基底,制备小尺寸(<100nm),高密度有序的热点阵列是关键。目前,材料学家们投入了大量的时间精力去制备有序周期性纳米阵列。如利用电子束光刻(EBL),聚焦离子束刻蚀(FIB)和纳米压印等技术精确控制纳米图案。然而,专业化的刻蚀设备非常昂贵,并且制备过程复杂,时间周期长。为了克服这些限制,科学家们开发了一些纳米技术来代替这些昂贵的刻蚀设备,如相转移刻蚀,纳米球刻蚀 ...
【技术保护点】
一种制备有序银纳米球阵列的方法,其特征在于,所述方法包括:制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品;在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜;将所述OAB阵列模板样品在500℃真空下退火1h,获得有序银纳米球阵列结构。
【技术特征摘要】
1.一种制备有序银纳米球阵列的方法,其特征在于,所述方法包括:制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品;在所述OAB阵列模板样品的表面热蒸镀10nm厚的银膜;将所述OAB阵列模板样品在500℃真空下退火1h,获得有序银纳米球阵列结构。2.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法,其特征在于,所述在制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品之前,将铝片样品在400℃氮气氛围下退火4h,然后在电化学条件下抛光。3.如权利要求2所述制备有序银纳米球阵列的方法,其特征在于,所述铝片样品纯度为99.999%。4.如权利要求1所述制备有序银纳米球阵列的方法,其特征在于,所述制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品包括:利用二次氧化的方法制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品。5.如权利要求4所述制备有序银纳米球阵列的方法,其特征在于,所述利用二次氧化的方法制备有序铝纳米碗OAB阵列模板样品,包括:一次氧化是将铝片样品在0.3wt.%H2SO4,温度为0.6℃,24V的电化学条件下,氧化24h后,然后将铝片样品转移至1.8wt.%铬酸和6wt.%H3PO4、温度为43℃的混合溶液中去除上述所获得的氧化层;二次氧化是在与所述一次氧化相同的条件,即0.3wt.%H2SO4,温度为0.6℃,24V的电化学条件下,继续氧化180s,然后将...
【专利技术属性】
技术研发人员:张璋,曾志强,苏绍强,高兴森,
申请(专利权)人:华南师范大学,
类型:发明
国别省市:广东,44
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