The invention relates to a method for manufacturing the high deposition rate PCVD single-mode fiber core, which is characterized in that the pure quartz tube is placed in a microwave resonant cavity in the furnace, pure quartz tube through the cylindrical microwave cavity periodic rotation, while the microwave cavity relatively pure quartz tube lining axial reciprocating movement; mixed gas inlet pipe in the end from the liner, and the mixed gas flow type: four pure silicon tetrachloride vapor 500~3000sccm, pure oxygen 2000 sccm~8000sccm, four germanium chloride vapor 10~200sccm, freon 0~50sccm; the other end of the liner is a gas discharge end, gas discharge end is connected with the vacuum pump, pressure control in the liner in 10 ~ 30mBar; the deposition rate of YISHION silicon within the liner was 2.0~5.5g/min, deposition after shrinkage beds deposited tube melting into solid mandrel in electric melting. The invention effectively improves the deposition rate and the production efficiency of the PCVD process, makes the deposition rate and the processing quality better balanced, and further improves the processing quality and the accuracy of the core layer.
【技术实现步骤摘要】
一种高沉积速率PCVD工艺制作单模光纤芯棒的方法
本专利技术涉及一种光纤芯棒的制造方法,具体涉及一种具有较高沉积速率和沉积效率的PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法。
技术介绍
通信玻璃光纤制备过程包括芯棒制棒和拉丝两个工艺,而拉丝的光纤性能主要取决于芯棒制备,因此,芯棒的制造工艺被认为是光纤制造工艺的核心技术。目前,制造石英芯棒的方法根据实现方式主要分成管内法和管外法,管外法包括轴向化学气相沉积工艺(VAD)和外部化学气相沉积工艺(OVD),管内法主要包括改进化学气相沉积工艺(MCVD)和等离子体化学气相沉积工艺(PCVD)。作为公知技术的等离子体化学气相沉积工艺,其制备原理如下:在接近真空状态的低压条件下,反应物气体在高频微波直接作用下被电离成带有巨大能量的等离子体,微波等离子体具有极高的活性,能迅速反应形成纯硅或掺杂的高温氧化物,在温度较低的石英衬管内壁直接以玻璃态沉积。PCVD沉积工艺具有如下特征:1、等离子体间的反应属于非均匀相反应过程,本质不受温度影响,能减少反应过程对温度的敏感性,较低的PCVD工艺沉积温度,衬管不易变形;2、PCVD工艺负压等离子化的反应机理与其它气相沉积工艺氯化物水解反应机理不同,反应速率快,沉积效率高(可控制在大于91%范围),多组分、高掺杂容易;3、PCVD气体电离不受衬管热量限制,高频谐振腔能快速移动,能使沉积的每一层玻璃厚度控制在微米级,折射率剖面分布控制更为精确。尽管PCVD工艺采用的热源,微波可直接作用于反应气体,但以前受制于高频微波系统输出功率的大小和设备的稳定性,沉积速率很难显著提高。与管外法气相沉积工艺相比 ...
【技术保护点】
一种高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法,其特征在于取外径为30~60毫米,内径25~50毫米,壁厚大于或等于4毫米,长度为1.0~2.5米的纯石英衬管,经过两端延长、清洗干燥后,进行PCVD加工;将纯石英衬管置于微波谐振腔保温炉内,炉内温度:900℃~1300 ℃,纯石英衬管穿过筒形微波谐振腔周期性的旋转,同时微波谐振腔相对纯石英衬管作轴向往复移动;混合气体从衬管的一端进入管内,混合气体的种类和流量为:纯四氯化硅蒸气500~3000sccm,纯氧气2000 sccm~ 8000sccm, 四氯化锗蒸气10~200sccm, 氟利昂0~50sccm;衬管的另一端是气体排出端,气体排出端连接真空泵,控制衬管内压力在10~30mBar;衬管内的沉积速率以纯硅计为2.0~5.5g/min,沉积完成后,在电热熔缩床上将沉积管熔缩成实心芯棒。
【技术特征摘要】
1.一种高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法,其特征在于取外径为30~60毫米,内径25~50毫米,壁厚大于或等于4毫米,长度为1.0~2.5米的纯石英衬管,经过两端延长、清洗干燥后,进行PCVD加工;将纯石英衬管置于微波谐振腔保温炉内,炉内温度:900℃~1300℃,纯石英衬管穿过筒形微波谐振腔周期性的旋转,同时微波谐振腔相对纯石英衬管作轴向往复移动;混合气体从衬管的一端进入管内,混合气体的种类和流量为:纯四氯化硅蒸气500~3000sccm,纯氧气2000sccm~8000sccm,四氯化锗蒸气10~200sccm,氟利昂0~50sccm;衬管的另一端是气体排出端,气体排出端连接真空泵,控制衬管内压力在10~30mBar;衬管内的沉积速率以纯硅计为2.0~5.5g/min,沉积完成后,在电热熔缩床上将沉积管熔缩成实心芯棒。2.按权利要求1所述的高沉积速率PCVD工艺制造单模光纤芯棒的方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴建鹏,夏先辉,吴伟,
申请(专利权)人:长飞光纤光缆股份有限公司,
类型:发明
国别省市:湖北,42
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