输出电流动态可调的基准电流产生电路制造技术

技术编号:15546759 阅读:188 留言:0更新日期:2017-06-05 20:11
本发明专利技术涉及一种基准电流产生电路,尤其是一种输出电流动态可调的基准电流产生电路,属于微电子的技术领域。按照本发明专利技术提供的技术方案,所述输出电流动态可调的基准电流产生电路,包括基准电流产生本体电路以及与所述基准电流产生本体电路输出端连接的基准电流调节电路,基准电流产生本体电路与带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref连接,并将所述低温漂基准电压Vref转换为所需的基准电流,基准电流调节电路将基准电流产生本体电路转换得到的基准电流调节至所需的基准调节电流值输出。本发明专利技术结构紧凑,能将基准电压转换为低温漂高稳定的基准电流输出,能对产生的基准电流进行动态调节,安全可靠。

Reference current generating circuit with dynamically adjustable output current

The invention relates to a reference current generating circuit, in particular to a reference current generating circuit with adjustable output current, belonging to the technical field of micro electronics. According to the technical scheme provided by the invention, the reference current of the output current dynamic adjustable circuit, including the reference current generating circuit and the body with the reference current generating circuit connected with the output end body reference current regulating circuit, reference current generating body circuit and bandgap reference circuit with low temperature drift and reference voltage Vref connection and the low temperature drift reference voltage Vref is converted to the required reference current, the reference current regulating circuit will reference current generating circuit body is adjusted to the required reference current obtained by adjusting the current value of the output reference. The invention is compact in structure, and can convert the reference voltage into a low temperature drift high and stable reference current output, and can dynamically adjust the reference current generated, and is safe and reliable.

【技术实现步骤摘要】
输出电流动态可调的基准电流产生电路
本专利技术涉及一种基准电流产生电路,尤其是一种输出电流动态可调的基准电流产生电路,属于微电子的

技术介绍
基准电流产生电路是数模混合集成电路中的基本模块,同时也是重要模块之一。通过基准电流产生电路能够将带隙基准电路产生的基准电压信号转换为具有低温度系数和高稳定性的电流信号,驱动后续电路工作,广泛运用于ADC、DAC等数模混合电路中。除了低温度系数和高稳定性等要求外,实际应用中往往需要对基准电流的大小进行调节。例如在高精度电流舵型数模转换器中,经常需要对DAC的满幅输出电流大小进行调节,一种方法是通过设计辅助DAC来调节输出电流大小,但这需要引入较多的额外电路,增加了电路的规模和设计复杂度;另一种方法是通过调节基准电流的大小来实现(基准电流一般为DAC电流源阵列提供电流偏置),相对于辅助DAC,调节基准电流的方法引入的额外电路规模较小,设计复杂度较低,较易实现;现有的调节基准电流方式仍然难以满足动态调节的要求。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种输出电流动态可调的基准电流产生电路,其结构紧凑,能将基准电压转换为低温漂高稳定的基准电流输出,能对产生的基准电流进行动态调节,安全可靠。按照本专利技术提供的技术方案,所述输出电流动态可调的基准电流产生电路,包括基准电流产生本体电路以及与所述基准电流产生本体电路输出端连接的基准电流调节电路,基准电流产生本体电路与带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref连接,并将所述低温漂基准电压Vref转换为所需的基准电流,基准电流调节电路将基准电流产生本体电路转换得到的基准电流调节至所需的基准调节电流值输出。所述基准电流产生本体电路包括负反馈运算放大器A0,所述负反馈运算放大器A0的正输入端与低温漂基准电压Vref连接,负反馈运算放大器A0的负输入端与NMOS管MN0的源极端以及电阻R1的第一端连接,负反馈运算放大器A0的输出端与NMOS管MN0的栅极端连接,NMOS管MN0的漏极端与PMOS管MP3的漏极端连接,PMOS管MP3的源极端与PMOS管MP0的漏极端连接,PMOS管MP0的源极端与电压VDD连接,PMOS管MP0的栅极端与基准电流调节电路连接,PMOS管MP3的栅极端与偏置电压Vbias连接。所述基准电流调节电路包括第一调节支路以及与所述第一调节支路连接的第二调节支路;第一调节支路包括PMOS管MP1以及PMOS管MP4,PMOS管MP1的源极端与PMOS管MP0的源极端连接,PMOS管MP1的栅极端与PMOS管MP0的栅极端连接,PMOS管MP1的漏极端与PMOS管MP4的源极端连接,PMOS管MP4的栅极端与PMOS管MP3的栅极端以及偏置电压Vbias连接,PMOS管MP4的漏极端与NMOS管MN1的漏极端连接,NMOS管MN1的栅极端与NMOS管MN0的栅极端以及负反馈运算放大器A0的输出端连接,NMOS管MN1的源极端与PMOS管MP6的漏极端以及NMOS管MN3的漏极端连接,PMOS管MP6的源极端与NMOS管MN0的源极端以及电阻R1的第一端连接,NMOS管MN3的源极端接地,PMOS管MP6的栅极端、NMOS管MN3的栅极端均与电流控制端K1连接;第二调节支路包括PMOS管MP2以及PMOS管MP5,PMOS管MP2的源极端与PMOS管MP0的源极端、PMOS管MP1的源极端连接,PMOS管MP2的栅极端与PMOS管MP0的栅极端、PMOS管MP1的栅极端相互连接,以形成基准调节电流输出端OUT,PMOS管MP2的漏极端与PMOS管MP5的源极端连接,PMOS管MP5的栅极端与PMOS管MP3的栅极端、PMOS管MP4的栅极端以及偏置电压Vbias连接,PMOS管MP5的漏极端与NMOS管MN2的漏极端连接,NMOS管MN2的栅极端与NMOS管MN0的栅极端、NMOS管MN1的栅极端以及负反馈运算放大器A0的输出端连接,NMOS管MN2的源极端与PMOS管MP7的漏极端以及NMOS管MN4的漏极端连接,PMOS管MP7的源极端与NMOS管MN0的源极端以及电阻R1的第一端连接,NMOS管MN4的源极端接地,PMOS管MP7的栅极端、NMOS管MN3的栅极端均与电流控制端K2连接。所述PMOS管MP0的尺寸与PMOS管MP1的尺寸、PMOS管MP2的尺寸相同。所述PMOS管MP3的尺寸与PMOS管MP4的尺寸、PMOS管MP5的尺寸相同。本专利技术的优点:基准电流产生本体电路与带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref连接,并将所述低温漂基准电压Vref转换为所需的基准电流,基准电流调节电路将基准电流产生本体电路转换得到的基准电流调节至所需的基准调节电流值输出,从而能对产生的基准电流进行动态调节,安全可靠。附图说明图1为本专利技术的电路图。图2为本专利技术的电路原理图。图3为本专利技术与DAC电流源阵列中配合使用的电路图。附图标记说明:11-基准电流产生本体电路、12-第一调节支路以及13-第二调节支路。具体实施方式下面结合具体附图和实施例对本专利技术作进一步说明。如图1所示:为了能将基准电压转换为低温漂高稳定的基准电流输出,能对产生的基准电流进行动态调节,本专利技术包括基准电流产生本体电路11以及与所述基准电流产生本体电路11输出端连接的基准电流调节电路,基准电流产生本体电路11与带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref连接,并将所述低温漂基准电压Vref转换为所需的基准电流,基准电流调节电路将基准电流产生本体电路11转换得到的基准电流调节至所需的基准调节电流值输出。如图1所示,基准电流产生本体电路11包括负反馈运算放大器A0、PMOS管MP0、PMOS管MP3、NMOS管MN0以及电阻R1;所述负反馈运算放大器A0的正输入端与低温漂基准电压Vref连接,负反馈运算放大器A0的负输入端与NMOS管MN0的源极端以及电阻R1的第一端连接,负反馈运算放大器A0的输出端与NMOS管MN0的栅极端连接,NMOS管MN0的漏极端与PMOS管MP3的漏极端连接,PMOS管MP3的源极端与PMOS管MP0的漏极端连接,PMOS管MP0的源极端与电压VDD连接,PMOS管MP0的栅极端与基准电流调节电路连接,PMOS管MP3的栅极端与偏置电压Vbias连接。本专利技术实施例中,负反馈运算放大器A0的正端输入信号为带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref,负反馈运算放大器A0的负输入端与电阻R1的第一端相连接,负反馈运算放大器A0的输出端接所述NMOS管MN0的栅极端,上述负反馈运算放大器A0、电阻R1和NMOS管MN0组成了基准电流产生本体电路11的核心单元,通过负反馈运算放大器A0将电阻R1第一端的电压钳制在基准电压Vref,电阻R1的第二端接地,由此,产生流过电阻R1的基准电流,其大小为Vref/R,其中R为电阻R1的阻值。所述PMOS管MP0和PMOS管MP3组成了一对共源共栅电流镜,其中,所述PMOS管MP0为镜像电流管,用于将基准电流产生本体电路11转换的基准电流镜像给基准电流调节电路,所述PMOS管MP3用于增大电流源的输出阻抗。进一步地,所述基准电流调节电路包括第一调节支路12以及与所述第一调节支路12连本文档来自技高网...
输出电流动态可调的基准电流产生电路

【技术保护点】
一种输出电流动态可调的基准电流产生电路,其特征是:包括基准电流产生本体电路(11)以及与所述基准电流产生本体电路(11)输出端连接的基准电流调节电路,基准电流产生本体电路(11)与带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref连接,并将所述低温漂基准电压Vref转换为所需的基准电流,基准电流调节电路将基准电流产生本体电路(11)转换得到的基准电流调节至所需的基准调节电流值输出。

【技术特征摘要】
1.一种输出电流动态可调的基准电流产生电路,其特征是:包括基准电流产生本体电路(11)以及与所述基准电流产生本体电路(11)输出端连接的基准电流调节电路,基准电流产生本体电路(11)与带隙基准电路提供的低温漂基准电压Vref连接,并将所述低温漂基准电压Vref转换为所需的基准电流,基准电流调节电路将基准电流产生本体电路(11)转换得到的基准电流调节至所需的基准调节电流值输出。2.根据权利要求1所述的输出电流动态可调的基准电流产生电路,其特征是:所述基准电流产生本体电路(11)包括负反馈运算放大器A0,所述负反馈运算放大器A0的正输入端与低温漂基准电压Vref连接,负反馈运算放大器A0的负输入端与NMOS管MN0的源极端以及电阻R1的第一端连接,负反馈运算放大器A0的输出端与NMOS管MN0的栅极端连接,NMOS管MN0的漏极端与PMOS管MP3的漏极端连接,PMOS管MP3的源极端与PMOS管MP0的漏极端连接,PMOS管MP0的源极端与电压VDD连接,PMOS管MP0的栅极端与基准电流调节电路连接,PMOS管MP3的栅极端与偏置电压Vbias连接。3.根据权利要求2所述的输出电流动态可调的基准电流产生电路,其特征是:所述基准电流调节电路包括第一调节支路(12)以及与所述第一调节支路(12)连接的第二调节支路(13);第一调节支路(12)包括PMOS管MP1以及PMOS管MP4,PMOS管MP1的源极端与PMOS管MP0的源极端连接,PMOS管MP1的栅极端与PMOS管MP0的栅极端连接,PMOS管MP1的漏极端与PMOS管MP4的源极端连接,PMOS管MP4的栅极端与PMOS管MP3的栅极端以及偏置电压Vbias连接,PMOS管MP4的漏极端与NMOS管MN1的漏极端连接,NM...

【专利技术属性】
技术研发人员:于宗光苏小波张涛季惠才张甘英邹家轩
申请(专利权)人:中国电子科技集团公司第五十八研究所
类型:发明
国别省市:江苏,32

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