The invention discloses an integrated circuit with phase shift optical mask manufacturing method comprises the following steps: roasting, exposure, development and etching, photoresist, two etching, cleaning, detection, repair and two cleaning, two exposure, photoresist coating, chromium film, two times to go to light resistance, measurement, third times, second times of cleaning, paste film detection and delivery. The invention of the integrated circuit with phase shift optical mask manufacturing method, and a test procedure in the traditional production process, and timely repair of defects can be found in two times before exposure, because the surface layer of protective layer of chromium metal phase shift, no damage, after the defect repair completed, follow-up process. In order to overcome the traditional photomask due to defect repair by scanning often cause phase shift layer damage and scrap defects caused by mask.
【技术实现步骤摘要】
一种集成电路用相位移光掩模制造方法
本专利技术涉及一种光掩模及其制造方法，具体涉及一种集成电路用相位移光掩模制造方法。
技术介绍
半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺，例如，在半导体基底的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电层上刻蚀金属互连图形等。随着大规模集成电路工艺技术的迅速发展，对光掩模的质量，包括各种掩模精度、缺陷密度和光掩模的耐用性能等都提出了极高的要求。由于光掩模的质量是影响集成电路功能和芯片成品率的重要因素之一。为保证光掩模的质量，必须对光掩模的缺陷密度、精度及图形质量等进行严格的控制。传统的光掩膜通常在掩膜制作完成后对该待检光掩模进行清洗，随后再进行图形检查以确定该待检光掩模是否合格，如果合格则送入贴膜机进行贴膜后出货，否则进一步判断是否可以采用修补设备进行修补，但在缺陷修补过程中，常因扫描造成相移层损伤而造成掩膜的报废。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是克服现有的光掩膜通常在掩膜制作完成后对掩膜进行检查，发现缺陷时进行缺陷修补，但在缺陷修补过程中，常因扫描造成相移层损伤而造成掩膜的报废的缺陷，提供一种一种集成电路用相位移光掩模制造方法。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了如下的技术方案：一种集成电路用相位移光掩模制造方法，依次包括以下步骤：曝光、烘烤、显影、蚀刻、去光阻、二次蚀刻、清洗、检测、修补、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去铬膜、二次去光阻、量测、第三次清洗、贴护膜、第二次检测、出货。本专利技术的集成电路用相位移光掩模制造方法，在传统的制作流程中加一道检查工序，可以在二次曝光前及时发现缺陷并进行修补，因表面...
【技术保护点】
一种集成电路用相位移光掩模制造方法,其特征在于，依次包括以下步骤：曝光、烘烤、显影、蚀刻、去光阻、二次蚀刻、清洗、检测、修补、二次清洗、二次曝光、光阻涂布、去铬膜、二次去光阻、量测、第三次清洗、贴护膜、第二次检测、出货。
【技术特征摘要】
1.一种集成电路用相位移光掩模制造方法,其特征在于，依次包括以下步骤：曝光、烘烤、显影、蚀刻、去光阻、二次蚀刻、...
【专利技术属性】
技术研发人员：王兴平，华卫群，尤春，张鹏，周家万，
申请(专利权)人：无锡中微掩模电子有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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