像素结构和液晶显示面板制造技术

本发明专利技术提供一种像素结构和液晶显示面板，其中，像素结构包括至少三个子像素，各子像素包括一数据线、一栅极扫描线、一公共电极、像素区、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；像素区包括同层设置的主区像素电极和子区像素电极；其中，第三薄膜晶体管的漏极与公共电极电连接，公共电极与像素区同层设置。由于第三薄膜晶体管的源极与子区像素电极电连接，第三薄膜晶体管的漏极与公共电极电连接，而公共电极与子区像素同层设置，那么第三薄膜晶体管的漏极与公共电极电连接时不再需要额外的深孔连接，这种像素结构降低了面板的制作难度，同时由于深孔数量的减少，会进一步增加面板开口率，提升面板良率。

Pixel structure and liquid crystal display panel

The invention provides a pixel structure and a liquid crystal display panel, wherein the pixel structure comprises at least three sub pixels, each pixel including a data line, a grid scanning line, a common electrode, a pixel region, a first thin film transistor, a second thin film transistor and a third thin film transistor; pixel region includes a pixel electrode and a main area the sub area with the pixel electrode layer is arranged; wherein, the third thin film transistor has a drain connected with the public electrode, the common electrode and the pixel area of the same layer. Because of the third thin film transistor source connected with the sub region pixel electrode, third thin film transistor has a drain connected with the public electrode and the common electrode, and the sub region with the pixel layer, then the third thin film transistor drain electrode is electrically connected with the public no longer need the extra deep connection, the pixel structure reduces the difficulty make the panel, at the same time due to reduced number of deep hole, will further increase the panel opening rate, improve panel yield.

【技术实现步骤摘要】
像素结构和液晶显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种像素结构和液晶显示面板。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)是最广泛使用的平板显示器之一，LCD包括设置有场发生电极诸如像素电极和公共电极的一对面板以及设置在两个面板之间的液晶(LiquidCrystal，简称LC)层。当电压被施加到场发生电极从而在LC层中产生电场，该电场决定了液晶层中的LC分子的取向，从而调整入射到液晶层的光的偏振，使LCD显示图像。目前业界发展出一种称为高分子安定化垂直配向(PolymerStabilizedVerticalAlignment,简称PSVA)的技术，该技术是在液晶材料中掺入适当浓度的单体化合物(monomer)并且震荡均匀。接着，将混合后的液晶材料置于加热器上加温到达等向性(Isotropy)状态。当液晶混合物降至室温时，液晶混合物会回到向列型(nematic)状态。然后，将液晶混合物注入至液晶盒并施与电压。当施加电压使液晶分子排列稳定时，则使用紫外光或加热的方式让单体化合物进行聚合反应以成聚合物层，由此达到稳定配向的目的。传统的VA4domain模式液晶面板在广视角观看时，往往会出现色偏的问题。为改善广视角面板的色偏，现有的广视角面板将像素分为两个区。面板工作时，一个主区(main)的亮度较高，另外一个子区(sub)亮度较低，以通过该两个亮度不同的区来改善面板的广视角特性。其中每个子像素包括数据线D、栅极扫描线Gn+1(Gn)、公共线、主区像素(即main像素)、子区像素(即sub像素)、驱动main像素和sub像素的第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2以及将sub像素亮度拉低的第三薄膜晶体管T3和下拉电容Cdown。当第n+1行栅极进行扫描时，第n行像素的第三薄膜晶体管T3同时被打开，Sub像素上的电荷与上一帧存储在下拉电容Cdown上的电荷会中和一部分，使得Sub像素的电压被拉低。进而实现色偏补偿，电路原理如图1所示。由于下拉电容Cdown和与下拉电容连接的栅极扫描线会占用面板一定的开口率，为了增加开口率，改进后的像素设计将第三薄膜晶体管T3的栅极连接到了与第一薄膜晶体管T1和第二薄膜晶体管T2相同的栅极扫描线上，同时将第三薄膜晶体管T3的漏极直接连接到了阵列基板侧的公共电极上，这样做的优点是省去了一条栅极扫描线和下拉电容Cdown。但由于第三薄膜晶体管T3漏极要直接连接到与栅极同层设置的公共电极上，因此需要用深孔连接。这样会增加面板的制作难度，降低面板的良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构和液晶显示面板，用以解决现有技术中薄膜晶体管需要深孔连接至公共电极导致增加面板制作难度的技术问题。本专利技术一方面提供一种像素结构，包括至少三个子像素，各子像素包括一数据线、一栅极扫描线、一公共电极、像素区、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，像素区包括同层设置的主区像素电极和子区像素电极，其中，第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管的栅极与栅极扫描线电连接，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源极与数据线电连接，第一薄膜晶体管的漏极与主区像素电极电连接，第二薄膜晶体管的漏极、第三薄膜晶体管的源极均与子区像素电极电连接，第三薄膜晶体管的漏极与公共电极电连接，公共电极与像素区同层设置。进一步的，公共电极为平行于栅极扫描线与数据线设置的网状结构。进一步的，上述像素结构包括三个子像素，三个子像素呈一行三列排列设置。进一步的，三个子像素分别为红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素。进一步的，上述像素结构包括四个子像素，四个子像素分别为红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素及白色子像素。本专利技术另一方面提供一种液晶显示面板，包括：扫描驱动电路、数据驱动电路和上述的像素结构，其中，栅极扫描线与扫描驱动电路连接并用于传送扫描驱动电路产生的扫描信号，数据线与数据驱动电路连接并用于传送数据驱动电路产生的灰度信号。进一步的，液晶显示面板为垂直配向型液晶显示面板。本专利技术提供的像素结构和液晶显示面板，由于第三薄膜晶体管的源极与子区像素电极电连接，第三薄膜晶体管的漏极与公共电极电连接，而公共电极与像素区(包括子区像素)同层设置，那么第三薄膜晶体管的漏极与公共电极电连接时不再需要额外的深孔连接，这种像素结构降低了面板的制作难度，同时由于深孔数量的减少，会进一步增加面板开口率，提升面板良率。附图说明在下文中将基于实施例并参考附图来对本专利技术进行更详细的描述。其中：图1为现有技术中的一像素结构的电路图；图2为本专利技术实施例提供的像素结构示意图；图3为本专利技术实施例提供的像素结构电路图。在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。具体实施方式下面将结合附图对本专利技术作进一步说明。请参考图2和图3，本专利技术提供一种像素结构，包括至少三个子像素1，各子像素1包括一数据线11、一栅极扫描线12、一公共电极19、像素区、第一薄膜晶体管15(T1)、第二薄膜晶体管16(T2)和第三薄膜晶体管17(T3)；像素区包括同层设置的主区像素电极141和子区像素电极142；其中，第一薄膜晶体管15(T1)、第二薄膜晶体管16(T2)和第三薄膜晶体管17(T3)的栅极与栅极扫描线12电连接，第一薄膜晶体管15(T1)和第二薄膜晶体管16(T2)的源极与数据线11电连接，第一薄膜晶体管15(T1)的漏极与主区像素电极141电连接，第二薄膜晶体管16(T2)的漏极、第三薄膜晶体管17(T3)的源极均与子区像素电极142电连接，第三薄膜晶体管17(T3)的漏极与公共电极19电连接，公共电极19与像素区14同层设置。孔20用于连通第二薄膜晶体管16(T2)与主区像素电极141。公共电极19为平行于栅极扫描线12与数据线11设置的网状结构，标号18为公共线。优选的，数据线11与栅极扫描线12垂直设置。像素区14包括位于同层的主区像素电极141和子区像素电极142。由于第三薄膜晶体管17(T3)的源极与子区像素电极142电连接，第三薄膜晶体管17(T3)的漏极与公共电极19电连接，而公共电极19与像素区14(包括子区像素)同层设置，那么第三薄膜晶体管17(T3)的漏极与公共电极19电连接时不再需要额外的深孔连接。即不用为第三薄膜晶体管17(T3)的漏极与公共电极19之间的连接专门设置深孔，这种像素结构降低了面板的制作难度。同时由于深孔数量的减少，会进一步增加面板开口率，提升面板良率。在本专利技术一个具体实施例中，子区像素电极142与彩膜基板(即CF基板)上的公共电极ITO31可构成第一液晶电容Clc1。子区像素电极142与阵列基板(即Array基板)上的公共电极19可构成第一存储电容Cst1。在本专利技术另一个具体实施例中，主区像素电极141与彩膜基板上的公共电极ITO31可构成第一液晶电容Clc2。主区像素电极141与阵列基板上的公共电极19可构成第一存储电容Cst2。在本专利技术一个具体实施例中，三个子像素1呈一行三列排列设置。三个子像素1分别为红色子像素、绿色子像素及蓝色子像素。即红色子像素用于显示红色光，绿色子像素用于显示绿色光。蓝色子像素用于显示蓝色光。在另一个具体实施例中，像素结构包括四个子像素。四本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括至少三个子像素，各所述子像素包括一数据线、一栅极扫描线、一公共电极、像素区、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；像素区包括同层设置的主区像素电极和子区像素电极；其中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管的栅极与所述栅极扫描线电连接，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的源极均与所述子区像素电极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共电极电连接，所述公共电极与所述像素区同层设置。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括至少三个子像素，各所述子像素包括一数据线、一栅极扫描线、一公共电极、像素区、第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管；像素区包括同层设置的主区像素电极和子区像素电极；其中，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管的栅极与所述栅极扫描线电连接，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的源极与所述数据线电连接，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述主区像素电极电连接，所述第二薄膜晶体管的漏极、所述第三薄膜晶体管的源极均与所述子区像素电极电连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述公共电极电连接，所述公共电极与所述像素区同层设置。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述公共电极为平行于所述栅极扫描线与所述数据线设置的网状结构。...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44