像素结构、阵列基板及显示面板制造技术

本发明专利技术公开了一种像素结构、阵列基板及显示面板。像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括主像素单元和子像素单元。主像素单元设置为接收来自扫描线的扫描信号，进而接收来自数据线的数据信号，而具有主像素电压。子像素单元设置为接收来自扫描线的扫描信号，进而接收来自数据线的数据信号和来自稳压线的稳压信号，而具有不同于主像素电压的子像素电压。稳压线设置在显示面板的非显示区域。本发明专利技术有利于提高显示面板的开口率。

Pixel structure, array substrate and display panel

The invention discloses a pixel structure, an array substrate and a display panel. The pixel structure includes a plurality of pixel units, each pixel unit including a main pixel unit and a sub-pixel unit. The main pixel unit is configured to receive a scan signal from the scan line, and thereby receive a data signal from the data line, having a main pixel voltage. The sub-pixel unit is configured to receive a scan signal from the scan line, thereby receiving a data signal from the data line and a voltage stabilizing signal from the voltage stabilizing line, and having a sub-pixel voltage different from the main pixel voltage. The voltage stabilizing line is arranged on the non display area of the display panel. The invention is beneficial to improve the opening rate of the display panel.

【技术实现步骤摘要】
像素结构、阵列基板及显示面板
本专利技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种像素结构，还涉及一种具有该像素结构的阵列基板，以及具有该阵列基板的显示面板。
技术介绍
目前，液晶显示技术已经被广泛的使用在各类电子产品中。随着液晶显示技术的发展，液晶显示器的分辨率越来越高，呈现出的画质越来越清晰，同时像素尺寸越来越小。为了确保显示器的画面质量，像素设计就需要满足更高的要求。在现有技术中，通常采用低色偏(Lowcolor)技术来增加显示设备的视角，以实现显示设备的广视角。低色偏技术的实现方式包括两种：设置共享电容(ChargeSharing电容)，以及设计3T(三TFT)结构。由于面板产业对高穿透率的追求，使在一定的制程能力下要求像素的开口率越来越高。为了不影响显示设备视角的前提下提升像素的开口率，通常采用设计3T结构的方式来实现低色偏技术。在3T结构中，第二道金属层经由过孔与透明金属氧化物层相连。然而，该过孔会降低像素的开口率，进而影响显示面板的光线穿透率。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是采用3T结构来实现低色偏技术时，3T结构中用于连通第二道金属层和透明金属氧化物的过孔会降低像素的开口率，进而影响显示面板的光线穿透率。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种像素结构、阵列基板及显示面板。根据本专利技术的第一个方面，所述像素结构包括多个像素单元，每个像素单元包括：主像素单元，设置为接收来自扫描线的扫描信号，进而接收来自数据线的数据信号，而具有主像素电压；以及子像素单元，设置为接收来自所述扫描线的扫描信号，进而接收来自所述数据线的数据信号和来自稳压线的稳压信号，而具有不同于所述主像素电压的子像素电压；其中，所述稳压线设置在显示面板的非显示区域。优选的，所述主像素单元包括第一开关元件和第一像素电极；其中，所述第一开关元件的栅极连接所述扫描线，源极连接所述数据线，漏极连接所述第一像素电极。可选的，所述子像素单元包括第二开关元件、第三开关元件和第二像素电极；其中，所述第二开关元件的栅极连接所述扫描线，源极连接所述数据线，漏极分别连接所述第二像素电极和所述第三开关元件的源极；所述第三开关元件的栅极连接所述扫描线，漏极连接所述稳压线。进一步可选的，所述第一开关元件的栅极、所述第二开关元件的栅极和所述第三开关元件的栅极同层设置。优选的，所述第一开关元件的源极和漏极、所述第二开关元件的源极和漏极、所述第三开关元件的源极和漏极、以及所述稳压线同层设置。进一步优选的，所述第一像素电极和所述第二像素电极中的一项或两项由透明金属氧化物材料制成。可选的，所述第一开关元件、所述第二开关元件和所述第三开关元件中的一项或多项为薄膜晶体管。进一步可选的，所述稳压线的材质包括依次叠加设置的钼/铝/钼金属材质。根据本专利技术的第二个方面，提供了一种阵列基板，包括：纵横交错的多条扫描线和多条数据线；以及上述像素结构。根据本专利技术的第三个方面方面，提供了一种显示面板，包括：上述阵列基板；彩膜基板；以及设置在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：应用本专利技术实施例提供的像素结构，由于用于向子像素单元提供稳压信号的稳压线设置在显示面板的非显示区域，因此该稳压线不会影响显示区域像素的开口率，进而提高了液晶显示器的穿透率，从而使得显示效果更佳。本专利技术的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本专利技术而了解。本专利技术的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。附图说明附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例共同用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1示出了本专利技术实施例像素结构中像素单元的等效电路示意图；图2示出了本专利技术实施例像素结构中像素单元的结构示意图；图3示出了本专利技术实施例用于制作阵列基板的方法的流程示意图；图4示出了本专利技术实施例阵列基板的结构示意图。具体实施方式以下将结合附图及实施例来详细说明本专利技术的实施方式，借此对本专利技术如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。需要说明的是，只要不构成冲突，本专利技术中的各个实施例以及各实施例中的各个特征可以相互结合，所形成的技术方案均在本专利技术的保护范围之内。在现有技术中，采用3T结构来实现低色偏技术时，3T结构中用于连通第二道金属层和透明金属氧化物层的过孔会降低像素的开口率，进而会影响显示面板的光线穿透率。实施例一为解决现有技术中存在的上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种像素结构。本实施例的像素结构包括多个像素单元。图1示出了本实施例像素结构中像素单元的结构示意图。如图1所示，本实施例像素结构中每个像素单元包括主像素单元1和子像素单元2。主像素单元1，设置为接收来自扫描线GATE的扫描信号，进而接收来自数据线DATA的数据信号，而具有主像素电压。子像素单元2，设置为接收来自同一扫描线GATE的扫描信号，进而接收来自同一数据线DATA的数据信号和来自稳压线的稳压信号Acom，而具有子像素电压。这里，子像素电压不同于主像素电压。在本实施例中，稳压线设置在显示面板的非显示区域。本实施例旨在对现有技术中的3T结构进行改进。在现有的3T结构中，子像素单元的稳压信号Acom由透明金属氧化物层提供。透明金属氧化物层与子像素单元的开关元件的漏极不在同一层，因此透明金属氧化物层需要通过过孔与子像素单元的开关元件的漏极相连通，从而将稳压信号Acom传输给子像素单元。然而，过孔会降低显示区域像素的开口率。在本实施例中，稳压信号Acom主要由位于显示面板的非显示区的稳压线提供，因此，稳压线不会造成显示区域像素开口率的降低，从而有效解决了现有技术中由上述过孔带来的开口率降低的缺陷。本实施例的像素结构工作时，稳压线向子像素单元2提供稳压信号Acom，子像素单元2具有的子像素电压被稳压信号Acom拉低，进而低于主像素单元1具有的主像素电压。由于子像素电压较小，子像素单元2对应的液晶分子的翻转幅度较小，从而沿与液晶光学轴垂直方向入射的光线数据就较少。可以看出，通过调整子像素电压，可以形成多个最佳显示角度，从而实现了显示设备的广视角。可以看出，本实施例稳压线能够在不影响广视角效果的前提下，增加像素结构的开口率，从而提升了显示面板的穿透率。实施例二本实施例对实施例一的主像素单元1和子像素单元2的结构进行了优化。参照图1和图2所示，隶属于同一像素单元的主像素单元1和子像素单元2对应的扫描线GATE和数据线DATA都相同。即，由同一条扫描线GATE向同一像素单元的主像素单元1和子像素单元2提供扫描信号，主像素单元1和子像素单元2被同时开启。同样地，由同一条数据线DATA向同一像素单元的主像素单元1和子像素单元2提供数据信号，主像素单元1和子像素单元2被写入同样的图像显示数据。具体地，主像素单元1包括第一开关元件T1和第一像素电极。第一开关元件T1的栅极连接扫描线GATE，源极连接数据线DATA，漏极连接第一像素电极。子像素单元2包括第二开关元件T2、第三开关元件T3和第二像素电极。第二开关元件T2的栅极连接扫描线GATE，源极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括多个像素单元，每个像素单元包括：主像素单元，设置为接收来自扫描线的扫描信号，进而接收来自数据线的数据信号，而具有主像素电压；以及子像素单元，设置为接收来自所述扫描线的扫描信号，进而接收来自所述数据线的数据信号和来自稳压线的稳压信号，而具有不同于所述主像素电压的子像素电压；其中，所述稳压线设置在显示面板的非显示区域。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构，其特征在于，包括多个像素单元，每个像素单元包括：主像素单元，设置为接收来自扫描线的扫描信号，进而接收来自数据线的数据信号，而具有主像素电压；以及子像素单元，设置为接收来自所述扫描线的扫描信号，进而接收来自所述数据线的数据信号和来自稳压线的稳压信号，而具有不同于所述主像素电压的子像素电压；其中，所述稳压线设置在显示面板的非显示区域。2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述主像素单元包括第一开关元件和第一像素电极；其中，所述第一开关元件的栅极连接所述扫描线，源极连接所述数据线，漏极连接所述第一像素电极。3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，所述子像素单元包括第二开关元件、第三开关元件和第二像素电极；其中，所述第二开关元件的栅极连接所述扫描线，源极连接所述数据线，漏极分别连接所述第二像素电极和所述第三开关元件的源极；所述第三开关元件的栅极连接所述扫描线，漏极连接所述稳压线。4.根据权利要求3所述的像素结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯托，徐向阳，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44