The embodiment of the invention relates to a color film substrate and preparation method thereof, display device is provided, which relates to the technical field of display, based on no additional patterning process times, obtain better color film substrate flatness, to ensure after the liquid crystal display device display quality. The method includes forming a first pixel sub area, located in the second sub-pixel region, third pixel area the first color resistance, second color resistance, third color resistance steps on a substrate; wherein, the first color resistance, second color resistance and third color resistance has a first thickness; forming a protective layer covering the substrate above; a transparent insulating layer is formed covering the protective layer; the transparent insulating layer thickness is greater than the first thickness; the transparent insulating layer to process a patterned spacer and spacer material retained part formed on the protection layer; wherein the spacer material retention department is located in the fourth sub-pixel region. And the spacer material retains the thickness is equal to the thickness of the first.
【技术实现步骤摘要】
一种彩膜基板及其制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种彩膜基板及其制备方法、显示装置。
技术介绍
RGBW(即Red,红色;Green,绿色;Blue,蓝色;White,白色)四色液晶显示装置是在RGB三色液晶显示装置基础上,增加了一个由透明材料构成的W像素以提高背光和液晶显示面板的透过率。由于RGBW四色液晶显示装置具有较高的光线透过率,亮度较高,对背光亮度的需求就可以降低,液晶显示装置的成本可以进一步减少,故市场的需求量越来越大。RGBW四色液晶显示装置具体包括上下对合的两个基板,其上侧的基板例如可以为彩膜基板,下侧的基板例如可以为阵列基板。彩膜基板中形成有规则排列的多个RGBW色阻。目前制备RGBW四色彩膜基板主要有PW工艺(即以PS材料制作W色阻,PS为PostSpacer,隔垫物)和CW工艺(即以OC材料制作W色阻,OC为OverCoat,保护层)两种。其中,如图1所示,PW工艺是在完成BM(BlackMatrix,黑矩阵)、RGB色阻之后,单独涂覆一层PS材料,通过构图工艺形成W色阻的制作,PS材料与RGB色阻的厚度相等,使得形成的W色阻的高度与RGB色阻的高度相等,彩膜基板具有较好的平坦度,但是该工艺需要额外增加一次构图工艺,增加了彩膜基板的制备时间,不利于大规模生产制造。如图2所示,CW工艺是在完成BM、RGB色阻之后直接涂覆彩膜基板上的OC层,不通过曝光、显影的构图工艺,彩膜基板的制备时间与现有的三色RGB彩膜基板时间相当,有利于大规模生产制造;但是由于OC层是直接覆盖到BM和RGB色阻上的,在BM限定出的对应于W色 ...
【技术保护点】
一种彩膜基板的制备方法,所述彩膜基板划分有多个第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域和第四子像素区域;所述制备方法包括,在衬底基板上形成分别位于所述第一子像素区域、所述第二子像素区域、所述第三子像素区域的第一色阻、第二色阻、第三色阻的步骤;其中,所述第一色阻、所述第二色阻和所述第三色阻具有第一厚度;形成覆盖所述衬底基板上方的保护层;其特征在于,所述制备方法还包括,形成覆盖所述保护层的透明绝缘层;其中,所述透明绝缘层的厚度大于所述第一厚度;对所述透明绝缘层进行一次构图工艺处理,在所述保护层上形成隔垫物和隔垫物材料保留部;其中,所述隔垫物材料保留部位于所述第四子像素区域,且所述隔垫物材料保留部的厚度等于所述第一厚度。
【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板的制备方法,所述彩膜基板划分有多个第一子像素区域、第二子像素区域、第三子像素区域和第四子像素区域;所述制备方法包括,在衬底基板上形成分别位于所述第一子像素区域、所述第二子像素区域、所述第三子像素区域的第一色阻、第二色阻、第三色阻的步骤;其中,所述第一色阻、所述第二色阻和所述第三色阻具有第一厚度;形成覆盖所述衬底基板上方的保护层;其特征在于,所述制备方法还包括,形成覆盖所述保护层的透明绝缘层;其中,所述透明绝缘层的厚度大于所述第一厚度;对所述透明绝缘层进行一次构图工艺处理,在所述保护层上形成隔垫物和隔垫物材料保留部;其中,所述隔垫物材料保留部位于所述第四子像素区域,且所述隔垫物材料保留部的厚度等于所述第一厚度。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述透明绝缘层由光刻胶材料构成;所述对所述透明绝缘层进行一次构图工艺处理,在所述保护层上形成隔垫物和隔垫物材料保留部;其中,所述隔垫物材料保留部位于所述第四子像素区域,且所述隔垫物材料保留部的厚度等于所述第一厚度,包括,采用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对所述透明绝缘层进行曝光、显影,形成完全保留部、部分保留部和完全去除区域;其中,所述完全保留部形成隔垫物;所述部分保留部形成位于所述第四子像素区域的隔垫物材料保留部,且所述部分保留部的厚度等于所述第一厚度;所述完全去除区域对应于所述透明绝缘层上的其他区域。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述灰色调掩膜板或所述半色调掩膜板中对应于待形成的隔垫物材料保留部的部分透过区域的遮光度根据待形成的所述隔垫物材料保留部的第一厚度与所述透明绝缘层的厚度的比值选取。4.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述采用灰色调掩膜板或半色调掩膜板对所述透明绝缘层进行曝光、显影,形成完全保留部、部分保...
【专利技术属性】
技术研发人员:蒋松阳,江亮亮,戴珂,尹傛俊,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,合肥鑫晟光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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