半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法制造方法及图纸

涉及一种能够应对半导体装置的设置面处的翘曲等、且能够降低接触电阻的半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法。半导体装置的评价装置具有：卡盘台(3)，其在表面形成多个探针孔(21)，并且该卡盘台(3)对半导体装置(5)进行吸附；以及多个卡盘内探针(7)，其一端插入至各探针孔(21)，另一端从卡盘台(3)的表面凸出，并且与在卡盘台(3)设置的半导体装置(5)的设置面接触，至少1个卡盘内探针(7)的从卡盘台(3)的表面凸出的高度与其他卡盘内探针(7)的从卡盘台(3)的表面凸出的高度不同。

Evaluation device of semiconductor device and evaluation method of semiconductor device

The invention relates to an evaluation device for a semiconductor device that can cope with warpage at the setting surface of a semiconductor device, and a method for evaluating a semiconductor device, as well as a method for reducing the contact resistance. The evaluation device includes: a semiconductor device (3), the chuck table on the surface to form a plurality of probe holes (21), and the chuck table (3) of the semiconductor device (5) for adsorption; and a plurality of chuck probe (7), the end is inserted to the probe holes (21), the other end from the chuck table (3) of the convex surface, and the chuck table (3) semiconductor device set (5) set the surface contact, at least 1 chuck probe (7) from the chuck table (3) surface of the protruding height and other chuck probe (7) from Taiwan (Chuck 3) the height of different surface convex table.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法
本说明书所公开的技术涉及一种半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法，例如涉及利用多个探针而对半导体装置的电气特性进行评价的半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法。
技术介绍
在对处于半导体晶片状态或者半导体芯片状态的半导体装置的电气特性进行测定时，通常使用通过真空吸附使半导体装置的1个面与卡盘台的表面接触而进行固定的方法。就电流沿半导体装置的纵向、即面外方向流动的纵向型构造的半导体装置而言，对半导体装置的1个面进行固定的卡盘台的表面成为1个测定电极。因此，半导体装置与卡盘台的表面之间的密接性对接触电阻造成影响，其结果，对半导体装置的电气特性造成影响。作为使半导体装置与卡盘台的表面之间的密接性恶化的原因，想到下述情况等，即，经常随半导体装置一起带入的异物被夹持于半导体装置与卡盘台的表面之间，或者由半导体装置自身的平坦度引起密接性恶化，例如在半导体晶片存在翘曲。另外，在异物被夹持于半导体装置与卡盘台的表面之间的情况下，对半导体装置的电气特性造成影响。不仅如此，在异物被夹持于半导体装置与卡盘台的表面之间的情况下，有时在半导体装置的与该异物的接触部分、或者半导体装置的与该异物的接触部分的附近产生裂纹等缺陷，半导体装置的一部分发生破损。例如在专利文献1中，公开了一种降低由半导体晶片的平坦度的差异引起的电极电位的测定误差的评价装置。专利文献1所公开的评价装置通过在半导体晶片支撑台处具有与各个功率半导体元件的数量相对应的探针电极，从而能够抑制各功率半导体元件与相对应的探针电极在水平方向上的相对距离的波动，降低测定误差。探针电极经由受到通断控制的选择开关组而与评价装置连接。专利文献1：日本特开平5-333098号公报然而，专利文献1中示出的半导体晶片支撑台处的探针电极不能够应对半导体晶片的翘曲或者异物。
技术实现思路
本说明书所公开的技术用于解决上述问题，涉及一种能够应对半导体装置的设置面处的翘曲等、且能够降低接触电阻的半导体装置的评价装置以及半导体装置的评价方法。本说明书所公开的技术的一个方式涉及的半导体装置的评价装置具有：卡盘台，其在表面形成多个探针孔，并且该卡盘台对半导体装置进行吸附；以及多个卡盘内探针，其一端插入至各所述探针孔，另一端从所述卡盘台的所述表面凸出，并且与在所述卡盘台设置的所述半导体装置的设置面接触，至少1个所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度与其他所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度不同。本说明书所公开的技术的一个方式涉及的半导体装置的评价方法，其是使用评价装置进行的，该评价装置具有：卡盘台，其在表面形成多个探针孔，并且该卡盘台对半导体装置进行吸附；以及多个卡盘内探针，其一端插入至各所述探针孔，另一端从所述卡盘台的所述表面凸出，并且与在所述卡盘台设置的所述半导体装置的设置面接触，在所述评价方法中，至少1个所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度与其他所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度不同。专利技术的效果根据本说明书所公开的技术的一个方式涉及的半导体装置的评价装置，由于至少1个卡盘内探针的从卡盘台的表面凸出的高度不同，因此例如即使半导体装置的设置面呈翘曲的形状，也能够使卡盘内探针的凸出高度与半导体装置的设置面相对应。由此，在对半导体装置的电气特性进行评价时，能够降低半导体装置的设置面与卡盘内探针之间的接触电阻。其结果，能够通过减少电损耗而提高半导体装置的电气特性的评价精度。根据本说明书所公开的技术的一个方式涉及的半导体装置的评价方法，由于卡盘内探针的从卡盘台的表面凸出的高度不同，因此即使半导体装置的设置面呈翘曲的形状，也能够使卡盘内探针的凸出高度与半导体装置的设置面相对应。由此，在对半导体装置的电气特性进行评价时，能够降低半导体装置的设置面与卡盘内探针之间的接触电阻。本说明书所公开的技术涉及的目的、特征、方案和优点，通过以下的详细说明和附图而变得更明确。附图说明图1是概略地例示出实施方式涉及的用于实现半导体装置的评价装置的结构的图。图2是概略地例示出实施方式涉及的用于实现卡盘台的结构的图。图3是例示出图1所例示的实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的表面侧探针与其周边部的结构的图。图4是例示出图1所例示的实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图5是概略地例示出实施方式涉及的用于实现卡盘台的结构的图。图6是图5所例示的实施方式涉及的卡盘台的A-A部的剖视图。图7是例示出实施方式涉及的卡盘台处的配线的情况的透视图。图8是例示出实施方式涉及的卡盘台处的配线的情况的透视图。图9是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图10是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图11是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图12是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图13是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图14是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图15是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图16是例示出图15所例示的卡盘内探针的、柱塞部被压入后的状态的图。图17是例示出实施方式涉及的半导体装置的评价装置之中的卡盘内探针与其周边部的结构的图。图18是例示出图17所例示的卡盘内探针的结构的图。图19是概略地例示出卡盘内探针的高度或者配置的分布的图。图20是概略地例示出卡盘内探针的高度或者配置的分布的图。图21是概略地例示出卡盘内探针的高度或者配置的分布的图。图22是概略地例示出卡盘内探针的高度或者配置的分布的图。图23是概略地例示出卡盘台的结构的俯视图。图24是概略地例示出卡盘台的结构的俯视图。图25是例示出实施方式涉及的卡盘台处的配线的情况的透视图。标号的说明2探针基体，3卡盘台，4评价及控制部，5半导体装置，6信号线，7卡盘内探针，9移动臂，8A、8B、31A、31B连接部，10表面侧探针，11、111、111A接触部，12、112、112A、112B柱塞部，13压入部，14筒部，15、115电连接部，16绝缘板，17、17A弹簧部，18A、18B连接焊盘，19柱塞厚部，20、20A、20B、20C、20D、20E柱塞凸出部，21探针收容孔，22、22A、22B、22C配线，23主体部，24中框部，25外框部，26吸气口，27吸附机构，28真空吸附孔，29吸附空间，30真空吸附槽，32A、32BO型环槽，33筒部件，34垫片，35接触凸部，36接触凹部，37锪孔部，38连结槽，128锪孔吸附孔。具体实施方式下面，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是概略性示出的图，在不同的附图分别示出的图像的大小和位置的相互关系并非一定是准确地记载的，可以适当进行变更。另外，在以下所示的说明中，对相同的结构要素标注相同的标号而进行图示，它们的名称和功能也相同。由此，有时省略针对它们的详细说明。另外，在以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置的评价装置，其具有：卡盘台，其在表面形成多个探针孔，并且该卡盘台对半导体装置进行吸附；以及多个卡盘内探针，其一端插入至各所述探针孔，另一端从所述卡盘台的所述表面凸出，并且与在所述卡盘台设置的所述半导体装置的设置面接触，至少1个所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度与其他所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度不同。

【技术特征摘要】
2015.11.18 JP 2015-2254751.一种半导体装置的评价装置，其具有：卡盘台，其在表面形成多个探针孔，并且该卡盘台对半导体装置进行吸附；以及多个卡盘内探针，其一端插入至各所述探针孔，另一端从所述卡盘台的所述表面凸出，并且与在所述卡盘台设置的所述半导体装置的设置面接触，至少1个所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度与其他所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度不同。2.根据权利要求1所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘台的周边部处的所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度，比所述卡盘台的其他部分处的所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度高。3.根据权利要求1所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘台的周边部处的所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度，比所述卡盘台的其他部分处的所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度低。4.根据权利要求1所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘内探针的从所述卡盘台的所述表面凸出的高度，对应于所述卡盘台之上的从中心起的距离而不同。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘内探针在所述卡盘台之上均等地配置。6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘台的周边部处的所述卡盘内探针比所述卡盘台的其他部分处的所述卡盘内探针配置得密。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘台由金属部件构成。8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，所述卡盘台由树脂部件构成。9.根据权利要求1至8中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，还具有金属制的筒部件，该筒部件在各所述探针孔的内壁的至少一部分处形成。10.根据权利要求1至9中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，各所述卡盘内探针具有：棒状的柱塞部；以及弹簧部，其沿所述柱塞部而设置，各所述柱塞部具有直径比其他部分大的柱塞厚部，各所述弹簧部的一端与各所述柱塞厚部接触，另一端与各所述探针孔的底部接触。11.根据权利要求10所述的半导体装置的评价装置，其中，至少1个所述弹簧部的长度与其他所述弹簧部的长度不同。12.根据权利要求10或者11所述的半导体装置的评价装置，其中，至少1个所述柱塞部的长度与其他所述柱塞部的长度不同。13.根据权利要求10至12中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，各所述柱塞厚部在各所述柱塞部的长度方向上的设置位置能够变更。14.根据权利要求10至13中任一项所述的半导体装置的评价装置，其中，还具有垫片，该垫片配置在所述弹簧部的一...

【专利技术属性】
技术研发人员：野口贵也，冈田章，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP