Some embodiments include a transistor having a drain region and a source region. The conductive gate is positioned between the source region and the drain region. The first channel material is located between the gate and the source region. The first channel material is separated from the gate by one or more insulating material. The second channel material is located between the first channel material and the source region and directly contacts the source region. The first channel material and the second channel material are transition metal chalcogenide. One of the source region and the drain region is a hole reservoir region, and the other is an electron reservoir region. A tunnel dielectric material may be located between the first channel material and the second channel material.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶体管及形成晶体管的方法
本专利技术涉及晶体管及形成晶体管的方法。
技术介绍
存储器是一种类型的集成电路,且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造为个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可被称为位线、数据线、传感线,或数据/传感线)及存取线(其也可被称为字线)向存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。数字线可沿着阵列的列导电地互连存储器单元,且存取线可沿着阵列的行导电地互连存储器单元。可通过数字线与存取线的组合而对每一存储器单元唯一地寻址。存储器单元可为易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在延长的时间段内(包含当计算机关闭时)存储数据。易失性存储器会耗散且因此需要被刷新/重写,在许多情况中为每秒多次。无论如何,存储器单元都经配置以在至少两种不同可选择状态中保留或存储存储器。在二进制系统中,所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中,至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两种层级或状态的信息。场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区域,其间具有半导电沟道区域。导电栅极邻近于沟道区域且是通过薄栅极绝缘体而与沟道区域分离。将合适电压施加到栅极会允许电流从源极/漏极区域中的一者通过沟道区域流动到另一者。当从栅极移除电压时,会很大程度上防止电流流动通过沟道区域。晶体管可用于许多类型的存储器中。晶体管也可并入到除了存储器之外的集成电路中。附图说明图1是实例实施例晶体管的图解横截面图。图2是描绘图1的晶体管的操作状态的带隙图。图3是另一实例实施例晶体管的图解横截面图。图4到14是可用于制造包括实例实 ...
【技术保护点】
一种晶体管,其包括:源极区域及漏极区域;所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域,且另一者为电子储集器区域;导电栅极,其位于所述源极区域与所述漏极区域之间;第一沟道材料,其位于所述栅极与所述源极区域之间;所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开;第二沟道材料,其位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间,且直接接触所述源极区域;且其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.16 US 14/516,3961.一种晶体管,其包括:源极区域及漏极区域;所述源极区域及所述漏极区域中的一者为空穴储集器区域,且另一者为电子储集器区域;导电栅极,其位于所述源极区域与所述漏极区域之间;第一沟道材料,其位于所述栅极与所述源极区域之间;所述第一沟道材料是通过一或多种绝缘材料而与所述栅极隔开;第二沟道材料,其位于所述第一沟道材料与所述源极区域之间,且直接接触所述源极区域;且其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属硫族化物。2.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述源极区域及所述漏极区域分别为所述空穴储集器区域及所述电子储集器区域。3.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述源极区域及所述漏极区域分别为所述电子储集器区域及所述空穴储集器区域。4.根据权利要求1所述的晶体管,其进一步包括位于所述第一沟道材料与所述第二沟道材料之间的隧道电介质材料。5.根据权利要求4所述的晶体管,其中所述隧道电介质材料具有小于或等于10个单层的厚度。6.根据权利要求4所述的晶体管,其中所述隧道电介质材料具有大于10个单层的厚度。7.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述第一沟道材料直接接触所述漏极区域。8.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述第一沟道材料不直接接触所述漏极区域。9.根据权利要求8所述的晶体管,其中半导体材料在所述第一沟道材料与所述漏极区域之间延伸;且直接接触所述第一沟道材料及所述漏极区域两者。10.根据权利要求9所述的晶体管,其中所述半导体材料包括硅。11.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料具有在从1个单层到约7个单层的范围内的厚度。12.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为过渡金属二硫族化物及/或过渡金属三硫族化物。13.根据权利要求1所述的晶体管,其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料为相对于彼此不同的组成物。14.根据权利要求13所述的晶体管,其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料中的一者包括硫化物,且另一者包括硒化物。15.根据权利要求13所述的晶体管,其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材料中的一者包括硫化钼,且另一者包括硒化钨。16.一种晶体管,其包括:电子储集器漏极区域;导电栅极,其位于所述漏极区域之上;底部绝缘材料,其位于所述栅极与所述漏极区域之间;顶部绝缘材料,其位于所述栅极之上;及侧壁绝缘材料,其沿着所述栅极的侧壁且从所述栅极的顶部延伸到所述栅极的底部;第一沟道材料,其沿着所述侧壁绝缘材料延伸越过所述顶部绝缘材料,且直接接触所述漏极区域;位于所述栅极上方的所述第一沟道材料的区域是所述第一沟道材料的顶部区域;隧道电介质材料,其位于所述第一沟道材料的所述顶部区域之上;第二沟道材料,其位于所述隧道电介质材料之上;空穴储集器源极区域,其直接靠着所述第二沟道材料;且其中所述第一沟道材料及所述第二沟道材...
【专利技术属性】
技术研发人员:卡迈勒·M·考尔道,古尔特杰·S·桑胡,钱德拉·穆利,
申请(专利权)人:美光科技公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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