气相生长装置及气相生长方法制造方法及图纸

实施方式的气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给路，向n个反应室供给工艺气体；主质量流量控制器，设置于主气体供给路，控制工艺气体的流量；分支部，将主气体供给路分支；n条副气体供给路，在分支部分支，向n个反应室供给被分流的工艺气体；n个第一截止阀，设置在n条副气体供给路的分支部与n个反应室之间，以至分支部的距离比至反应室的距离短的方式配置，能够截断工艺气体的流动；以及n个副质量流量控制器，设置在n条副气体供给路的n个第一截止阀与n个反应室之间，控制流经n条副气体供给路的工艺气体的流量。

Gas phase growing device and gas phase growing method

The implementation of the vapor phase growth apparatus includes a reaction chamber n, n is an integer of 2 or more; the main gas supply to the N Road, a reaction chamber supplying process gas; the main mass flow controller is arranged in the main gas supply, gas flow control technology; sub branch, the main gas supply branch; n side gas supply branch road, in part, a reaction chamber n to process gas supply is shunt; n first stop valve is arranged in the branch of N road and N gas supply side reaction chamber, and configure the branch distance than to the reaction chamber short distance way to cut the process gas flow; and a pair of N mass flow controller is arranged between the first valve and n n reaction chamber N gas supply side of the road, through the control of process gas n gas supply side road traffic.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】气相生长装置及气相生长方法
本专利技术涉及供给气体而进行成膜的气相生长装置及气相生长方法。
技术介绍
作为成膜高品质的半导体膜的方法，存在通过气相生长使单晶膜在晶片等基板上生长的外延生长技术。在使用外延生长技术的气相生长装置中，将晶片载置在被保持为常压或者减压状态的反应室内的支撑部上。然后，一边对该晶片加热，一边从反应室上部的例如喷气板向晶片表面供给作为成膜原料的源气体等工艺气体。在晶片表面发生源气体的热反应等，从而在晶片表面成膜出外延单晶膜。近年来，作为发光器件和功率器件的材料，GaN(氮化镓)类的半导体器件受到关注。作为成膜出GaN类半导体膜的外延生长技术，存在有机金属气相生长法(MOCVD法)。在有机金属气相生长法中，作为源气体，可以使用例如三甲基镓(TMG)、三甲基铟(TMI)、三甲基铝(TMA)等有机金属、以及氨(NH3)等。而且，为了提高生产性，有时使用具备多个反应室的气相生长装置。专利文献1中记载有在使用具备多个反应室的气相生长装置进行成膜时，在一个反应室的处理中产生了异常的情况下，停止处理的方法。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003-49278号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题本专利技术要解决的课题在于，提供即使在一个反应室内的处理中产生了异常的情况下，也能够通过其它反应室正常地继续进行处理的气相生长装置及气相生长方法。用于解决课题的手段本专利技术的一方案的气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给路，向所述n个反应室供给工艺气体；主质量流量控制器，设置于所述主气体供给路，控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量；分支部，将所述主气体供给路分支；n条副气体供给路，在所述分支部从所述主气体供给路分支，向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体；n个第一截止阀，设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间，以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置，能够截断所述工艺气体的流动；以及n个副质量流量控制器，设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。优选为还具备控制部，所述控制部基于所述n个反应室的任一个反应室中的异常的检测判断是否截断所述工艺气体，在判断为要截断的情况下，将能够截断所述工艺气体向所述检测到异常的反应室的流动的所述第一截止阀关闭，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的所述反应室供给的所述工艺气体的总流量，基于计算出的总流量控制所述主质量流量控制器。在上述方案的气相生长装置中，优选还具备n个第二截止阀，所述n个第二截止阀设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，能够截断所述工艺气体的流动。本专利技术的一方案的气相生长方法中，向n个反应室的各个搬入基板，n为2以上的整数，向主气体供给路导入被控制为规定的流量的工艺气体，向从所述主气体供给路分支的n条副气体供给路分别导入被控制流量而分流的所述工艺气体，从所述n条副气体供给路向所述n个反应室分别供给所述工艺气体，在所述基板上成膜，在所述n个反应室中的任一个反应室产生了异常的情况下，瞬时截断所述工艺气体向与所述产生了异常的反应室连接的所述副气体供给路的导入，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的反应室供给的所述工艺气体的总流量，控制向所述主气体供给路导入的所述工艺气体的流量。在上述方案的气相生长方法中，优选为，在成膜中检测到所述异常的情况下，维持所述工艺气体的供给直至成膜条件发生变化，之后，瞬时截断所述工艺气体向与所述产生了异常的反应室连接的所述副气体供给路的导入。专利技术效果根据本专利技术，可以提供即使在一个反应室内的处理中产生了异常的情况下，也能够通过其它反应室正常地继续进行处理的气相生长装置及气相生长方法。附图说明图1是实施方式的气相生长装置的构成图。图2是实施方式的分支部和第一截止阀的说明图。图3是实施方式的分支部和第一截止阀的示意图。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。此外，本说明书中，将气相生长装置可成膜地设置的状态下的重力方向定义为“下”，将其反方向定义为“上”。因此，“下部”是指相对于基准的重力方向的位置，“下方”是指相对于基准的重力方向。而且，“上部”是指相对于基准的重力方向的相反方向的位置，“上方”是指相对于基准的重力方向的相反方向。另外，“纵向”是指重力方向。另外，本说明书中，“工艺气体”是指为了在基板上成膜而使用的气体的总称，是包含例如源气体、载气、分离气体等的概念。另外，本说明书中，“分离气体”是指被导入气相生长装置的反应室内的工艺气体，是将多种原料气体的工艺气体间分离的气体的总称。本实施方式的气相生长装置具备：n(n为2以上的整数)个反应室；向n个反应室供给工艺气体的主气体供给路；设置于主气体供给路且控制流经主气体供给路的工艺气体的流量的主质量流量控制器；将主气体供给路分支的分支部；在分支部从主气体供给路分支并向n个反应室供给分流的工艺气体的n条副气体供给路；设置于n条副气体供给路的分支部和n个反应室之间，以至分支部的距离比至反应室的距离小的方式配置，可截断工艺气体的流动的n个第一截止阀；设置于n条副气体供给路的n个第一截止阀和n个反应室之间，控制流经n条副气体供给路的工艺气体的流量的n个副质量流量控制器。另外，本实施方式的气相生长方法中，向n(n为2以上的整数)个反应室分别搬入基板，向主气体供给路导入被控制为规定的流量的工艺气体，向从主气体供给路分支的n条副气体供给路分别导入被控制流量并分流的工艺气体，从n条副气体供给路向n个反应室分别供给工艺气体，在基板上成膜，在n个反应室中的任一个反应室产生了异常的情况下，将工艺气体向与产生了异常的反应室连接的副气体供给路的导入瞬时截断，并且计算向检测到异常的反应室以外的反应室供给的工艺气体的流量，控制导入主气体供给路的工艺气体的流量。本实施方式的气相生长装置及气相生长方法通过具备上述结构，在向多个反应室分配供给工艺气体时，在处理中于一个反应室产生了异常的情况下，能够以不给予其它反应室内的处理大的影响的方式停止工艺气体向产生了异常的反应室的供给。因此，能够实现即使在一个反应室内的处理产生了异常的情况下，也能够在其它反应室能够正常地继续进行处理的气相生长装置及气相生长方法。图1是本实施方式的气相生长装置的构成图。本实施方式的气相生长装置是使用MOCVD法(有机金属气相生长法)的外延生长装置。以下，主要以使GaN(氮化镓)外延生长的情况为例进行说明。本实施方式的气相生长装置具备四个反应室10a、10b、10c、10d。四个反应室例如分别是纵置的单片型的外延生长装置。反应室的数量不限于四个，可以设为两个以上的任意的数量。反应室的数量能够以n(n为2以上的整数)个来表示。本实施方式的气相生长装置具备向四个反应室10a～10d供给工艺气体的3条第一主气体供给路11、第二主气体供给路21、第三主气体供给路31。第一主气体供给路11例如向反应室10a～10d供给含有III族元素的有机金属和载气的第一工艺气体。第一工艺气体是在晶片上成膜III-V族半导体膜时的、含有III族元素的气体。III族元素例如是镓(Ga)、Al(铝)、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种气相生长装置，其特征在于，具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给路，向所述n个反应室供给工艺气体；主质量流量控制器，设置于所述主气体供给路，控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量；分支部，将所述主气体供给路分支；n条副气体供给路，在所述分支部从所述主气体供给路分支，向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体；n个第一截止阀，设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间，以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置，能够截断所述工艺气体的流动；以及n个副质量流量控制器，设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.11.07 JP 2014-2275461.一种气相生长装置，其特征在于，具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给路，向所述n个反应室供给工艺气体；主质量流量控制器，设置于所述主气体供给路，控制流经所述主气体供给路的所述工艺气体的流量；分支部，将所述主气体供给路分支；n条副气体供给路，在所述分支部从所述主气体供给路分支，向所述n个反应室供给被分流的所述工艺气体；n个第一截止阀，设置在所述n条副气体供给路的所述分支部与所述n个反应室之间，以至所述分支部的距离比至所述反应室的距离短的方式配置，能够截断所述工艺气体的流动；以及n个副质量流量控制器，设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之间，控制流经所述n条副气体供给路的所述工艺气体的流量。2.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，还具备控制部，所述控制部基于所述n个反应室的任一个反应室中的异常的检测判断是否截断所述工艺气体，在判断为要截断的情况下，将能够截断所述工艺气体向所述检测到异常的反应室的流动的所述第一截止阀关闭，并且计算向所述检测到异常的反应室以外的所述反应室供给的所述工艺气体的总流量，基于计算出的总流量控制所述主质量流量控制器。3.根据权利要求1所述的气相生长装置，其特征在于，还具备n个第二截止阀，所述n个第二截止阀设置在所述n条副气体供给路的所述n个第一截止阀与所述n个反应室之...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥英志，佐藤裕辅，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP