用以改进配件寿命的用于高压缩应力薄膜沉积的设备制造技术

在此公开一种用于延长处理配件部件的处理寿命的方法和设备。在一些实施方式中，处理配件包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、在内壁和外壁之间的上表面以及在内壁和外壁之间的相对的下表面，其中靠近内壁的上表面的第一部分是凹形的，且其中上表面的第二部分水平延伸远离第一部分；和第二环，所述第二环具有上表面和相对的下表面，其中下表面的第一部分经配置以安置在第一环的第二部分上，其中下表面的第二部分是凸形的，且延伸至，但不接触，第一环的上表面的凹形第一部分。

Apparatus for high compression stress film deposition for improved service life of parts

Disclosed herein is a method and apparatus for prolonging the processing life of a processing accessory component. In some embodiments, processing parts include: the first ring, the first ring is defined on the inner wall and the outer diameter of the inner diameter of the definition in the outer wall, the inner wall and the outer wall between the upper surface and the inner wall and the outer wall between the bottom surface of the inner wall near the upper surface of the part is concave, and the upper surface of the second part level extending away from the first part; and second, the second ring has an upper surface and a lower surface opposite, which under the first part surface configured to placement in the second part of the first ring, the second part surface is convex, and extends to, but not contact, the upper surface of the first concave part of the first ring.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用以改进配件寿命的用于高压缩应力薄膜沉积的设备
本公开内容的实施方式一般涉及基板处理系统。
技术介绍
高应力压缩膜，例如钛-钨(TiW)合金膜，一般沉积在处理腔室中，所述处理腔室适于在基板(例如硅(Si)晶片上)执行各种沉积、蚀刻以及热处理，以及其他处理。这些过程往往造成此种薄膜在处理腔室的各种暴露部件表面上的沉积，所述部件例如处理配件(例如，热环、沉积环、保持环以及类似物)、处理屏蔽物(热屏蔽物、等离子体屏蔽物以及类似物)以及类似物，其中一些或全部的薄膜材料可以剥离部件表面。如此，这些部件被定期检查、翻新(例如，清洁)，和/或替换-通常在一组维护时间表上(例如，预定数量的制造周期之后)，导致处理延迟。因此，本专利技术人提供了改进的方法和设备以用于延长处理配件部件的处理寿命。
技术实现思路
本公开内容的实施方式包括用于延长处理配件部件的处理寿命的方法和设备。在一些实施方式中，处理配件包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、设置在内壁与外壁之间的上表面，以及设置在内壁与外壁之间的相对的下表面，其中靠近内壁的上表面的第一部分是凹形的，且其中上表面的第二部分水平延伸远离第一部分；以及第二环，所述第二环具有上表面和相对的下表面，其中下表面的第一部分经配置以安置在第一环的第二部分上，其中下表面的第二部分是凸形的，且延伸至但不接触第一环的上表面的凹形第一部分。在一些实施方式中，物理气相沉积腔室包括：腔室主体，所述腔室主体具有第一体积；腔室盖，所述腔室盖包括设置在腔室主体顶上的目标组件；基板支撑件，所述基板支撑件设置在第一体积内，与目标组件相对，并具有基板处理表面；屏蔽物，所述屏蔽物设置在腔室主体内，所述屏蔽物包括一个或多个侧壁，所述侧壁经配置以围绕第一体积，其中所述屏蔽物向下延伸到基板支撑件的顶表面下方，并向上返回直到达到基板支撑件的顶表面，以在屏蔽物的底部形成U形部分；以及处理配件。在一些实施方式中，处理配件可以包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、设置在内壁和外壁之间的上表面，以及设置在内壁和外壁之间的相对的下表面，其中靠近内壁的上表面的第一部分是凹形的，且其中上表面的第二部分水平延伸远离第一部分；以及第二环，所述第二环具有上表面以及相对的下表面，其中下表面的第一部分经配置以安置在第一环的第二部分上，其中下表面的第二部分是凸形的，且延伸至但不接触第一环的上表面的凹形第一部分，其中第二环的下表面进一步包括第三部分，所述第三部分具有第一突出表面和第二突出表面，所述第一突出表面和第二突出表面向下延伸远离第二环的下表面，其中第一突出表面和第二突出表面被间隔开来以定义开口，其中屏蔽物的终端部分被设置在开口中以支撑第二环，且其中第二突出表面包括靠近第一环的外壁的渐缩(tapered)部分，其中所述渐缩部分经配置以对准第二环和第一环。本公开内容的其他和进一步实施方式描述如下。附图说明可参考附图中描绘的本公开内容的示例性的实施方式来理解本公开内容的以上简要总结的和以下更加详细描述的实施方式。然而应当注意到的是，附图仅示出了本公开内容的典型实施方式，并且因此将不被视为对本公开内容的范围的限制，因为本公开内容可允许其它等效实施方式。图1根据本公开内容的一些实施方式描绘了处理腔室的示意截面图，所述处理腔室具有基板支撑件。图2根据本公开内容的一些实施方式描绘了处理配件及周围的部件。图3根据本公开内容的一些实施方式描绘了处理配件及周围的部件。图4根据本公开内容的一些实施方式描绘了处理配件及周围的部件。为了促进理解，已尽可能使用相同的参考符号来指定附图共有的相同元件。所述附图并非按比例绘制，且为了清晰度可被简化。应体会到的是，一个实施方式的元件及特征可有益地结合到其他实施方式中，而无需进一步详述。具体实施方式本公开内容的实施方式包括用于延长处理配件部件的处理寿命的方法和设备。在一些实施方式中公开了处理配件，所述处理配件包括，例如，盖环和沉积环，以用于基板处理腔室。当通过物理气相沉积处理来沉积高压缩应力膜(诸如钛-钨(TiW)合金膜)时，在此描述的创造性的处理配件的实施方式有利地改善TiW薄膜沉积处理以及其他高应力压缩膜沉积的处理配件寿命，并改善工具开机时间和降低处理成本。图1描绘了物理气相沉积(PVD)腔室100的简化截面图。PVD腔室100包括根据本公开内容的一些实施方式的基板支撑件106。根据在此提供的教导，适合用于修改的PVD腔室范例包含具有非常高的频率(VHF)源、Plus和SIPPVD处理腔室，两者均可购自圣克拉拉，加利福尼亚州的应用材料公司。来自应用材料公司或其他制造商的其他处理腔室也可从根据在此公开的创造性的设备的修改获益，且被用来执行在此公开的创造性的方法的实施方式。在本公开内容的一些实施方式中，PVD腔室100包括腔室盖101，所述腔室盖设置在腔室主体104顶上，且可从腔室主体104移除。腔室盖101可包括目标组件102和接地组件103。腔室主体104包含基板支撑件106，以用于在基板支撑件106上接收基板108。基板支撑件106可以位于较低的接地外壳壁110内，所述接地外壳壁可为腔室主体104的腔室壁。较低的接地外壳壁110可电耦合到腔室盖101的接地组件103，使得RF回流路径被提供给设置在腔室盖101上方的RF电源182。或者，其他RF回流路径是可能的，诸如那些从基板支撑件106透过处理配件屏蔽物(例如，如以下所讨论的屏蔽物138)行进，并最终回到腔室盖101的接地组件103的回流路径。RF电源182可提供RF功率至目标组件102，如以下所讨论的。基板支撑件106具有接收材料的表面，所述接收材料的表面面向目标114(或来源材料)的主表面，并支撑基板108，以使所述基板在平面位置中被来自所述目标的材料溅射涂布，所述平面位置与目标114的主表面相对。在一些实施方式中，基板108可通过真空保持在基板支撑件106上。在一些实施方式中，基板支撑件106可包括介电构件105，所述介电构件具有基板处理表面109，以用于在所述基板处理表面上支撑基板108。在一些实施方式中，基板支撑件106可包括一个或多个第一导电构件107，所述第一导电构件设置在介电构件105下方并具有面向相邻于介电构件105的表面118的介电构件。例如，介电构件105和一个或多个第一导电构件107可为静电卡盘(chuck)、RF电极或类似物的一部分，所述静电卡盘、RF电极或类似物可被用于提供夹持或RF功率至基板支撑件106。基板支撑件106可在腔室主体104的第一体积120中支撑基板108。第一体积120可以是腔室主体104的内部体积的一部分，所述内部体积的一部分用于处理基板108，且可在基板108的处理期间从所述内部体积的其余部分(例如，非处理体积)分离。第一体积120在处理期间被定义为基板支撑件106上方的区域(例如，在处理位置时，目标114与基板支撑件106之间)。在一些实施方式中，基板支撑件106可垂直移动，以允许基板108透过腔室主体104的下部分中的负载锁定阀或开口(未显示)来转移到基板支撑件106上，并随后为了特定应用而上升或下降。可提供连接到底部腔室壁124的波纹管122以维持腔室主体104的内部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种处理配件，所述处理配件包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、设置在所述内壁和所述外壁之间的上表面以及设置在所述内壁和所述外壁之间的相对的下表面，其中靠近所述内壁的所述上表面的第一部分是凹形的，且其中所述上表面的第二部分水平延伸远离所述第一部分；和第二环，所述第二环具有上表面和相对的下表面，其中所述下表面的第一部分经配置以安置在所述第一环的所述第二部分上，其中所述下表面的第二部分是凸形的，且延伸至，但不接触，所述第一环的所述上表面的凹形第一部分。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.10.14 US 62/063,926;2015.09.24 US 14/864,0311.一种处理配件，所述处理配件包括：第一环，所述第一环具有定义内径的内壁、定义外径的外壁、设置在所述内壁和所述外壁之间的上表面以及设置在所述内壁和所述外壁之间的相对的下表面，其中靠近所述内壁的所述上表面的第一部分是凹形的，且其中所述上表面的第二部分水平延伸远离所述第一部分；和第二环，所述第二环具有上表面和相对的下表面，其中所述下表面的第一部分经配置以安置在所述第一环的所述第二部分上，其中所述下表面的第二部分是凸形的，且延伸至，但不接触，所述第一环的所述上表面的凹形第一部分。2.如权利要求1所述的处理配件，其中所述下表面的所述第二部分和所述第一环的所述上表面的所述凹形第一部分形成0.053英寸或更小的缝隙。3.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，其中所述第一环是钛。4.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，其中所述第二环是钛。5.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，其中所述上表面的所述凹形第一部分是由大约为2.86英寸或更大的半径所定义。6.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，其中所述第一环的所述内径小于将在包括所述处理配件的处理腔室中处理的基板的直径。7.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，其中所述第一环进一步包括靠近所述内壁的平坦内边缘表面。8.如权利要求7所述的处理配件，进一步包括缺口，所述缺口位于所述平坦内边缘表面和所述第一环的所述上表面的所述凹形第一部分之间。9.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，其中所述第二环的所述下表面进一步包括第三部分，所述第三部分具有第一突出表面和第二突出表面，所述第一突出表面和所述第二突出表面向下延伸远离所述第二环的所述下表面，其中所述第一突出表面和所述第二突出表面被间隔开来，以定义开口。10.如权利要求9所述的处理配件，其中所述第二突出表面包括渐缩部分，所述渐缩部分靠近所述第一环的所述外壁，其中所述渐缩部分经配置以对准所述第二环和所述第一环。11.如权利要求1-2中任一项所述的处理配件，...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏群奇，希兰库玛·萨万戴亚，阿南塔克里希纳·朱普迪，曹志涛，欧岳生，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US