一种高速PCB的制作方法及PCB技术

技术编号:15525196 阅读:194 留言:0更新日期:2017-06-04 13:31
本发明专利技术提供一种高速PCB的制作方法及PCB,包括以下步骤,1)正常的内层图形制作后进行层压;2)层压后减铜到6μm‑8μm;3)对深微孔和一阶盲孔区整体+4.5mil蚀铜开窗;4)激光钻孔完成深微孔、一阶盲孔加工,4)第一次机械钻需要树脂塞孔的通孔;6)第一次孔内金属化;7)第一次通孔背钻;8)真空塞孔;9)干膜盖孔,将对深微孔、一阶盲孔和第一次通孔单边+5mil盖干膜;10)化学减铜+陶瓷磨板减铜到20μm‑25μm;11)机械钻第二通孔;12)第二次孔内金属化和POFV盖帽;13)对第二通孔进行背钻加工,加工出连接型功能孔;14)外层图形转移和蚀刻精细线路图形;15)完成阻焊和表面处理。本发明专利技术能实现高复杂高速PCB的制作,制作周期短,成本低。

A method of making high speed PCB and PCB

\u672c\u53d1\u660e\u63d0\u4f9b\u4e00\u79cd\u9ad8\u901fPCB\u7684\u5236\u4f5c\u65b9\u6cd5\u53caPCB\uff0c\u5305\u62ec\u4ee5\u4e0b\u6b65\u9aa4\uff0c1)\u6b63\u5e38\u7684\u5185\u5c42\u56fe\u5f62\u5236\u4f5c\u540e\u8fdb\u884c\u5c42\u538b\uff1b2)\u5c42\u538b\u540e\u51cf\u94dc\u52306\u03bcm\u20118\u03bcm\uff1b3)\u5bf9\u6df1\u5fae\u5b54\u548c\u4e00\u9636\u76f2\u5b54\u533a\u6574\u4f53+4.5mil\u8680\u94dc\u5f00\u7a97\uff1b4)\u6fc0\u5149\u94bb\u5b54\u5b8c\u6210\u6df1\u5fae\u5b54\u3001\u4e00\u9636\u76f2\u5b54\u52a0\u5de5\uff0c4)\u7b2c\u4e00\u6b21\u673a\u68b0\u94bb\u9700\u8981\u6811\u8102\u585e\u5b54\u7684\u901a\u5b54\uff1b6)\u7b2c\u4e00\u6b21\u5b54\u5185\u91d1\u5c5e\u5316\uff1b7)\u7b2c\u4e00\u6b21\u901a\u5b54\u80cc\u94bb\uff1b8)\u771f\u7a7a\u585e\u5b54\uff1b9)\u5e72\u819c\u76d6\u5b54\uff0c\u5c06\u5bf9\u6df1\u5fae\u5b54\u3001\u4e00\u9636\u76f2\u5b54\u548c\u7b2c\u4e00\u6b21\u901a\u5b54\u5355\u8fb9+5mil\u76d6\u5e72\u819c\uff1b10)\u5316\u5b66\u51cf\u94dc+\u9676\u74f7\u78e8\u677f\u51cf\u94dc\u523020\u03bcm\u201125\u03bcm\uff1b11)\u673a\u68b0\u94bb\u7b2c\u4e8c\u901a\u5b54\uff1b12)\u7b2c\u4e8c\u6b21\u5b54\u5185\u91d1\u5c5e\u5316\u548cPOFV\u76d6\u5e3d\uff1b13)\u5bf9\u7b2c\u4e8c\u901a\u5b54\u8fdb\u884c\u80cc\u94bb\u52a0\u5de5\uff0c\u52a0\u5de5\u51fa\u8fde\u63a5\u578b\u529f\u80fd\u5b54\uff1b14)\u5916\u5c42\u56fe\u5f62\u8f6c\u79fb\u548c\u8680\u523b\u7cbe\u7ec6\u7ebf\u8def\u56fe\u5f62\uff1b15)\u5b8c\u6210\u963b\u710a\u548c\u8868\u9762\u5904 Daniel. The invention can realize the manufacture of the high complexity and high speed PCB, and has a short production cycle and low cost.

【技术实现步骤摘要】
一种高速PCB的制作方法及PCB
本专利技术涉及电路板的制作方法,尤其涉及一种高速PCB的制作方法及PCB。
技术介绍
随着高密度集成电路技术和微电子技术的高速发展,使电子产品的体积变得更轻、更薄、更小,功能高度密集,性能越来越强。目前为达到产品的高速,高密要求,PCB设计将深微孔、盲孔、背钻、POFV(PlatingOverFilledVia,需塞孔)、密集线等工艺复合在一起,这对深微孔加工,高厚径比通盲孔电镀工艺能力,高厚径比通、盲孔、背钻孔、树脂塞孔控制,线路精度控制能力,表面处理兼容性等都提出了极大挑战,现有的常规设备和工艺方法难以实现此高速PCB的制作,需要在关键流程采用更先进的设备资源(激光钻孔,脉冲电镀、真空树脂塞机)和开发新的工艺方法来实现高速PCB的制作。现有技术的难以实现高速PCB的制作,品质难以保证,且制作周期长,成本相对比较高。
技术实现思路
鉴于以上所述,本专利技术有必要提供一种制作周期短、成本低的制作方法,高速PCB的制作方法及通过所述制作方法制得的PCB。一种高速PCB的制作方法,包括以下步骤:1)若干芯板分别在内层图形制作后进行层压,形成一多层板;2)将多层板的面铜层减铜;3)对减铜后的面铜层上需要加工深微孔和盲孔的区域进行开窗;4)对开窗形成的窗孔进行激光钻孔,制得深微孔,阶梯盲孔;5)对激光钻孔后的多层板进行第一次机械钻孔,制得若干后续需要树脂塞孔的第一通孔;6)对多层板进行第一次孔内金属化,第一通孔内覆铜,同时多层板的面铜层铜层加厚;7))对第一次孔内金属化后的多层板的若干第一通孔进行背钻,以加工出功能型背钻孔;8)通过真空塞孔方式对深微孔,阶梯盲孔、功能型背钻孔以及第一通孔进行树脂塞孔填充;9)采用干膜盖孔、化学减铜、以及陶瓷磨板方式对多层板的面铜层进行再次减铜;10)对减铜后的多层板进行第二次机械钻孔,以钻出连接型功能的第二通孔;11)对多层板进行第二次孔内金属化和已树脂塞孔的孔进行盖帽镀铜;12)对若干第二通孔进行背钻加工,加工出信号传输的过孔;13)对多层板进行外层图形转移和蚀刻精细线路图形。进一步地,步骤1)中,所述芯板具有基材层及形成在基材层底面的底铜层,芯板在压合前,若干芯板的底铜层上形成信号传输线路、屏蔽层以及镂空区,镂空区以供激光或机械钻孔穿过。进一步地,步骤2)中减铜厚度至6μm-8μm。进一步地,步骤3)中,开窗孔时,窗孔的直径尺寸比盲孔直径尺寸宽4.5mil。进一步地,步骤4)中,深微孔为激光烧蚀上芯板的基材层后,并且经过基材层底面底铜层的镂空区,至下方芯板的底铜层处形成。进一步地,步骤8)中,垂直真空塞孔机将低膨胀系数的热固型树脂对深微孔、盲孔、背钻孔以及通孔进行塞孔,塞孔需要从CS、SS两面塞,第一次塞孔从背钻孔数多的一面先塞,再反过来塞另外一面;塞孔树脂固化后塞孔凹陷不可超过75μm,后续将进行POFV盖帽镀铜,作为焊接点。进一步地,步骤9)中,首先通过砂带磨板磨平板面预设的厚度,将板面残留树脂去除干净。进一步地,步骤9)中,干膜封盖的尺寸超出孔口边缘5mil。进一步地,步骤9)中,干膜封盖孔后通过化学减铜,将面铜铜厚减至20μm-25μm。进一步地,步骤9)中,化学减铜后,再通过砂带磨板将干膜盖孔处的突出铜进行减铜磨平。相较于现有技术,本专利技术提供的高速PCB的制作方法,通过采取一次压合方式和深微孔,取代传统的逐次层压技术,并采用盲孔蚀铜方式激光完成深微孔和一阶盲孔的制作,再钻出需要树脂塞孔的POFV的孔,完成一次电镀后,通过背钻的方式将信号孔(直径0.25mm)进行背钻,去除影响信号传输的多余残铜,再采用真空塞孔机将孔内塞好树脂,使用砂带磨板机磨平板面,再采用干膜将孔盖住后进行减铜,减铜后再通过砂带磨板机磨平板面,再通过第二次钻孔(压接孔),第二次电镀完成孔内金属化和POFV盖帽镀铜,外层图形的转移和蚀刻精细线路的新的工艺制作方法完成高速PCB的制作,制作周期短、成本低。附图说明上述说明仅是本专利技术技术方案的概述,为了更清楚地说明本专利技术的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,描述中的附图仅仅是对应于本专利技术的具体实施例,对于本领域普通技术人员来说,在不付出创造性劳动的前提下,在需要的时候还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术高速PCB的制作方法的流程示意图;图2为本专利技术内层图形制作后的芯板进行层压后形成的压合板的结构示意图;图3为压合板在表面减铜并且对盲孔区蚀铜开窗后的结构示意图;图4为压合板在开窗后的窗孔进行激光钻孔完成深微孔、一阶盲孔加工后的结构示意图;图5为压合板在深微孔、一阶盲孔加工后的压合板完成机械钻孔后的结构示意图;图6为压合板在机械钻孔后进行第一次孔内金属化后的结构示意图;图7为压合板在第一次孔内金属化后通过背钻去除多余孔铜并且通过真空塞孔将深微孔和VIA孔进行塞孔后的结构示意图;图8为压合板塞孔后选择干膜进行减铜后的结构示意图;图9为压合板在减铜后采用陶瓷磨板去除孔口突点后的结构示意图;图10为压合板在去除孔口突点后进行第二次钻孔后的结构示意图;图11为压合板在二次钻孔后的进行第二次孔内金属化后的结构示意图;图12为压合板在第二次孔内金属化后进行外层图形转移和蚀刻图形,阻焊和表面处理后的结构示意图。具体实施方式为了详细阐述本专利技术为达成预定技术目的而所采取的技术方案,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的部分实施例,而不是全部的实施例,并且,在不付出创造性劳动的前提下,本专利技术的实施例中的技术手段或技术特征可以替换,下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。请参阅图1,一种高速PCB的制作方法,采用全新的工艺路线实现高速PCB的制作。具体制作步骤如下:1)若干芯板分别在内层图形制作后进行层压,形成一多层板;请参阅图2,多层板10通过若干芯板11压合形成,在多层板10的上下表面形成有面铜层111,面铜层111的厚度标配为17μm-34μm铜箔,因为高速板材压板时流动性较差使用17μm铜箔容易起皱,为改善此问题本专利技术实施例采用34μm铜箔进行压板。每一芯板11具有基材层113及形成在基材层113底面的底铜层115,两两芯板11之间通过半固化片12连接,半固化片12连接在芯板11的基材层113顶面与另一芯板11底面的底铜层115之间,面铜层111较层压的多层板10中间位置的底铜层115的厚度厚,面铜层111可在层压后,在多层板10表面进行镀铜形成。进一步地,芯板11在压合前,若干芯板11的底铜层115上形成有镂空区1151,镂空区1151未有铜而可供激光穿过。2)将多层板的面铜层减铜;将面铜层厚度减至6μm-8μm,通过减铜,以便在后续孔内金属化后,将减铜后的面铜层加厚,从而面铜层的厚度可维持在适当的铜厚,以便后续外层精细线路蚀刻制作,因为铜厚越薄,蚀刻线路精度越好控制,否则未经减铜后的面铜层在后续孔内金属化后,面铜层厚度进一步加厚,不利于蚀刻线路精度控制。减铜的方式采用化学减铜,即通过硫酸与双氧水组合的药水与铜进行反应,从而达到减铜目的。3)对减铜后的面铜层上需要加工深微孔和盲孔的区域进行开窗。请参阅图3,在多本文档来自技高网...
一种高速PCB的制作方法及PCB

【技术保护点】
一种高速PCB的制作方法,包括以下步骤:1)若干芯板分别在内层图形制作后进行层压,形成一多层板;2)将多层板的面铜层减铜;3)对减铜后的面铜层上需要加工深微孔和盲孔的区域进行开窗;4)对开窗形成的窗孔进行激光钻孔,制得深微孔,阶梯盲孔;5)对激光钻孔后的多层板进行第一次机械钻孔,制得若干后续需要树脂塞孔的第一通孔;6)对多层板进行第一次孔内金属化,第一通孔内覆铜,同时多层板的面铜层铜层加厚;7))对第一次孔内金属化后的多层板的若干第一通孔进行背钻,以加工出功能型背钻孔;8)通过真空塞孔方式对深微孔,阶梯盲孔、功能型背钻孔以及第一通孔进行树脂塞孔填充;9)采用干膜盖孔、化学减铜、以及陶瓷磨板方式对多层板的面铜层进行再次减铜;10)对减铜后的多层板进行第二次机械钻孔,以钻出连接型功能的第二通孔;11)对多层板进行第二次孔内金属化和已树脂塞孔的孔进行盖帽镀铜;12)对若干第二通孔进行背钻加工,加工出信号传输的过孔;13)对多层板进行外层图形转移和蚀刻精细线路图形。

【技术特征摘要】
1.一种高速PCB的制作方法,包括以下步骤:1)若干芯板分别在内层图形制作后进行层压,形成一多层板;2)将多层板的面铜层减铜;3)对减铜后的面铜层上需要加工深微孔和盲孔的区域进行开窗;4)对开窗形成的窗孔进行激光钻孔,制得深微孔,阶梯盲孔;5)对激光钻孔后的多层板进行第一次机械钻孔,制得若干后续需要树脂塞孔的第一通孔;6)对多层板进行第一次孔内金属化,第一通孔内覆铜,同时多层板的面铜层铜层加厚;7))对第一次孔内金属化后的多层板的若干第一通孔进行背钻,以加工出功能型背钻孔;8)通过真空塞孔方式对深微孔,阶梯盲孔、功能型背钻孔以及第一通孔进行树脂塞孔填充;9)采用干膜盖孔、化学减铜、以及陶瓷磨板方式对多层板的面铜层进行再次减铜;10)对减铜后的多层板进行第二次机械钻孔,以钻出连接型功能的第二通孔;11)对多层板进行第二次孔内金属化和已树脂塞孔的孔进行盖帽镀铜;12)对若干第二通孔进行背钻加工,加工出信号传输的过孔;13)对多层板进行外层图形转移和蚀刻精细线路图形。2.根据权利要求1所述的高速PCB的制作方法,其特征在于:所述芯板具有基材层及形成在基材层底面的底铜层,芯板在压合前,若干芯板的底铜层上形成有信号传输线路、屏蔽层以及镂空区,镂空区以供激光或机械钻孔穿过。3.根据权利要求1所述的高速PCB的制作...

【专利技术属性】
技术研发人员:王小平杜红兵纪成光刘梦茹焦其正金俠
申请(专利权)人:生益电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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