MCU长按复位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种MCU长按复位电路，包括：短按指示电路和MCU复位电路；所述短按指示电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、发光二极管D1和三极管Q1；所述MCU复位电路包括：三极管Q2，三极管Q2的基极连接相互并联的电阻R4和R5，R4接地，R5通过按键KEY连接电源，Q2的发射极连接MCU接地端，Q2的集电极通过电阻R6连接电源、通过电阻R7与电阻R2连接、通过并联电路电阻R8、二极管D2与并联电路电容C1、电容C2连接，所述电容C1、C2与MCU接地端连接，所述并联电路电阻R8、二极管D2的输出端连接MCU的RST引脚。本发明专利技术通过通过长按键，实现对MCU的复位，可靠的将短按按键和长按按键功能分离，通过同一个按键，采用不同按键时间处理不同任务。

【技术实现步骤摘要】
MCU长按复位电路
本专利技术涉及MCU控制
，尤其涉及一种MCU长按复位电路。
技术介绍
当今社会科技发展日新月异，新兴科技层出不穷，单片机（MCU）诞生于20世纪70年代末，已算是老科技了，但科技虽老并没有被淘汰的迹象，反而越发的生机蓬勃。究其原因主要是因为单片机具备高集成度、体积小、高可靠性、控制功能强、低电压、低功耗、便于生产便携式产品、优异的性能价格比以及易扩展等诸多优点，使其备受电子消费市场的青睐。单片机的使用离不开复位（RST），程序跑飞、异常掉电、程序卡死等诸多异常都需要复位单片机，否则就会出现故障难以排除的情况。通常使用的复位电路多采用直接将MCU的RST引脚直接上拉或者下来以达到复位的目的，在较为简单的场合的确可以实现功能并且使用较少的元器件，但是，当需要将此触发信号同时用于触发其他电路和MCU两个电路时，则不能实现对单一电路的控制，因为如果此两项功能的触发为同一触发源，两个动作同时发生，无法达到控制另一电路而不触发MCU复位的要求，因此，现有技术需要改进。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的一个技术问题是：提供一种MCU长按复位电路，以解决现有技术中存在的问题。根据本专利技术实施例的一个方面，提供的一种MCU长按复位电路，包括：短按指示电路和MCU复位电路；所述短按指示电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、发光二极管D1和三极管Q1，所述电阻R2与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1一端与电源连接，另一端与所述发光二极管D1串联后连接在三极管Q1的集电极上，所述电阻R3与所述三极管Q1的发射极连接，所述电阻R3的另一端接MCU的接地端；所述MCU复位电路包括：三极管Q2，所述三极管Q2的基极连接电阻R4和电阻R5，所述电阻R4和电阻R5并联，电阻R4接地，电阻R5与按键KEY连接，按键KEY的另一端与电源连接，所述三极管Q2的发射极连接MCU接地端，所述三极管Q2的集电极通过电阻R6连接电源，所述三极管Q2的集电极通过电阻R7与电阻R2连接，实现三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的集电极通过并联电路电阻R8、二极管D2与并联电路电容C1、电容C2连接，所述电容C1、C2与MCU接地端连接，所述并联电路电阻R8、二极管D2的输出端连接MCU的RST引脚；所述MCU接地端通过电阻R9接地。基于本专利技术上述MCU长按复位电路的另一个实施例中，所述电阻R9为0欧姆。基于本专利技术上述MCU长按复位电路的另一个实施例中，所述按键KEY短时按下时，所述MCU复位电路的三极管Q2导通，从而使短按指示电路的三极管Q1导通，发光二极管D1亮，三极管Q2的集电极并联电路电阻R8、二极管D2的输出端使MCU的RST引脚下降幅度不足以触发MCU复位，MCU不复位。基于本专利技术上述MCU长按复位电路的另一个实施例中，所述按键KEY长时间按下时，发光二极管D1导通，且电容C1通过电阻R8和三极管Q2放电时间足够长，三极管Q2的集电极并联电路电阻R8、二极管D2的输出端使MCU的RST引脚电平下降到触发MCU复位，MCU复位。基于本专利技术上述MCU长按复位电路的另一个实施例中，所述按键KEY松开时，电源通过电阻R6和二极管D2迅速对电容C2进行充电，MCU的RST引脚迅速回到电源电平，MCU正常工作。基于本专利技术上述MCU长按复位电路的另一个实施例中，所述电阻R6为1M欧姆。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：本专利技术通过对按键时长的不同，实现对两个任务的分离进行，通过短按按键，实现对指示灯的点亮，通过长按键，实现对MCU的复位，可靠的将短按按键和长按按键功能分离，通过同一个按键，采用不同按键时间处理不同任务，本专利技术的电路结构简单，实用性强。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所使用的附图做一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术的MCU长按复位电路的一个实施例的流程图。图中：1短按指示电路、2MCU复位电路。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例只是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。下面结合附图和实施例对本专利技术提供的一种MCU长按复位电路进行更详细地说明。图1是本专利技术的MCU长按复位电路的一个实施例的流程图，如图1所示，该实施例的MCU长按复位电路包括：短按指示电路1和MCU复位电路2；所述短按指示电路1包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、发光二极管D1和三极管Q1，所述电阻R2与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1一端与电源连接，另一端与所述发光二极管D1串联后连接在三极管Q1的集电极上，所述电阻R3与所述三极管Q1的发射极连接，所述电阻R3的另一端接MCU的接地端；所述MCU复位电路2包括：三极管Q2，所述三极管Q2的基极连接电阻R4和电阻R5，所述电阻R4和电阻R5并联，电阻R4接地，电阻R5与按键KEY连接，按键KEY的另一端与电源连接，所述三极管Q2的发射极连接MCU接地端，所述三极管Q2的集电极通过电阻R6连接电源，所述三极管Q2的集电极通过电阻R7与电阻R2连接，实现三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的集电极通过并联电路电阻R8、二极管D2与并联电路电容C1、电容C2连接，所述电容C1、C2与MCU接地端连接，所述并联电路电阻R8、二极管D2的输出端连接MCU的RST引脚；设置三极管Q2的集电极通过并联电路电阻R8、二极管D2的输出端为第一节点；所述MCU接地端通过电阻R9接地。所述电阻R9为0欧姆，所述电阻R6为1M欧姆。当电路处于稳态时，节点RST的电平为电源电压，MCU处于正常工作状态，第一节点也处于电源电平，三极管Q2不导通，发光二极管D1不发光；所述按键KEY短时按下时，所述MCU复位电路2的三极管Q2导通，从而使短按指示电路1的三极管Q1导通，发光二极管D1亮，三极管Q2的集电极并联电路电阻R8、二极管D2的输出端使MCU的RST引脚下降幅度不足以触发MCU复位，MCU不复位；在短按按键KEY时，电源正极接通到三极管Q1的基极，使三极管Q1导通，进而将第一节点的电压拉低，从而导致三极管Q1射极正偏，三极管Q2导通使发光二极管D1发光；而在按键按下的过程中，电容C2通过电阻R6和三极管Q2对地放电，导致节点RST电位由原来的电源电压缓慢下降，但短按的时间并不足以使RST的电位降到足以触发MCU复位的程度，故短按按键不会触发MCU复位。所述按键KEY长时间按下时，发光二极管D1导通，且电容C1通过电阻R8和三极管Q2放电时间足够长，三极管Q2的集电极并联电路电阻R8、二极管D2的输出端使MCU的RST引脚电平下降到触发MCU复位，MCU复位。所述按键KEY松开时，电源通过电阻R6和二极管D2迅速对电容C2进行充电，MCU的RST引脚迅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种MCU长按复位电路，其特征在于，包括：短按指示电路和MCU复位电路；所述短按指示电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、发光二极管D1和三极管Q1，所述电阻R2与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1一端与电源连接，另一端与所述发光二极管D1串联后连接在三极管Q1的集电极上，所述电阻R3与所述三极管Q1的发射极连接，所述电阻R3的另一端接MCU的接地端；所述MCU复位电路包括：三极管Q2，所述三极管Q2的基极连接电阻R4和电阻R5，所述电阻R4和电阻R5并联，电阻R4接地，电阻R5与按键KEY连接，按键KEY的另一端与电源连接，所述三极管Q2的发射极连接MCU接地端，所述三极管Q2的集电极通过电阻R6连接电源，所述三极管Q2的集电极通过电阻R7与电阻R2连接，实现三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的集电极通过并联电路电阻R8、二极管D2与并联电路电容C1、电容C2连接，所述电容C1、C2与MCU接地端连接，所述并联电路电阻R8、二极管D2的输出端连接MCU的RST引脚；所述MCU接地端通过电阻R9接地。

【技术特征摘要】
1.一种MCU长按复位电路，其特征在于，包括：短按指示电路和MCU复位电路；所述短按指示电路包括：电阻R1、电阻R2、电阻R3、发光二极管D1和三极管Q1，所述电阻R2与三极管Q1的基极连接，所述电阻R1一端与电源连接，另一端与所述发光二极管D1串联后连接在三极管Q1的集电极上，所述电阻R3与所述三极管Q1的发射极连接，所述电阻R3的另一端接MCU的接地端；所述MCU复位电路包括：三极管Q2，所述三极管Q2的基极连接电阻R4和电阻R5，所述电阻R4和电阻R5并联，电阻R4接地，电阻R5与按键KEY连接，按键KEY的另一端与电源连接，所述三极管Q2的发射极连接MCU接地端，所述三极管Q2的集电极通过电阻R6连接电源，所述三极管Q2的集电极通过电阻R7与电阻R2连接，实现三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极连接，所述三极管Q2的集电极通过并联电路电阻R8、二极管D2与并联电路电容C1、电容C2连接，所述电容C1、C2与MCU接地端连接，所述并联电路电阻R8、二极管D2的输出端连接...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴齐，吴翔龙，秦友强，吴伟，刘文清，
申请(专利权)人：东莞博力威电池有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44