晶体封装结构及采用其的晶体振荡器制造技术

本发明专利技术公开一种晶体封装结构及采用其的晶体振荡器，包括上盖和底板，所述上盖的下端与所述底板的上表面连接；所述上盖靠近所述底板的一端设有开口；在与所述底板平行的方向上，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积大于所述上盖靠近所述底板的一端的横截面积。本发明专利技术提供的晶体封装结构及采用其的晶体振荡器，能增大晶体封装结构的内部空间，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。

【技术实现步骤摘要】
晶体封装结构及采用其的晶体振荡器
本专利技术涉及电子元器件
，尤其涉及一种晶体封装结构及采用其的晶体振荡器。
技术介绍
晶体振荡器的封装结构主要由上盖和底板组成，为了保证晶体振荡器的气密性，如图1所示，上盖1的上部在与底板2平行的方向上的横截面积比底板2的面积小；上盖1的下端向底板2的边沿弯折，且与底板2的边沿平齐。这样设计的晶体振荡器，由于上盖1的上部在与底板2平行的方向上的横截面积比底板2的面积小，所以上盖1的上部空间较小，晶体振荡器的内部器件与上盖1短路的风险较大。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于：提供一种晶体封装结构，能增大封装结构的内部空间，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。本专利技术的另一个目的在于：提供一种晶体振荡器，能增大封装结构的内部空间，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。为达以上目的，本专利技术采用以下技术方案：一种晶体封装结构，包括上盖和底板，所述上盖的下端与所述底板的上表面连接；所述上盖靠近所述底板的一端设有开口；在与所述底板平行的方向上，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积大于所述上盖靠近所述底板的一端的横截面积。具体地，对所述上盖的开口进行缩口处理，使上盖的开口面积小于底板的上表面的面积，方便上盖与底板之间进行连接。同时设置上盖的上部的横截面积大于上盖的下部的横截面积，就可以保证上盖的上部的内部空间大于上盖的下部的内部空间。进而增大晶体封装结构的内部空间，尤其是增大晶体封装结构的上部的内部空间。当将晶体振荡器的内部器件安置在晶体封装结构的上部时，增大晶体振荡器的内部器件与上盖的距离，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。作为一种优选的实施方式，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积等于所述底板的上表面的面积。具体地，使所述上盖远离所述底板的一端的横截面积等于所述底板的上表面的面积，可以保证在不扩大原来的晶体封装结构的整体体积的情况下，增大晶体封装结构的内部空间，尤其是增大晶体封装结构的上部的内部空间。作为一种优选的实施方式，所述上盖在与所述底板平行的方向上的横截面积从远离所述底板到靠近所述底板逐渐减小。具体地，使所述上盖在与所述底板平行的方向上的横截面积从远离所述底板到靠近所述底板逐渐减小，减小加工难度，减低生产成本。优选地，所述上盖的上部在与所述底板平行的方向上的横截面积不变且大于上盖的下部在与所述底板平行的方向上的横截面积。作为一种优选的实施方式，所述上盖在与所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的横截面积为远离所述底板的一端的横截面积的87.8％～93.8％。具体地，经过多次实验证明，在与所述底板平行的方向上，当上盖的底部的横截面积为上盖的顶部的横截面积的87.8％～93.8％时，上盖的上部空间利用率较大，且能保证上盖的下端开口不会太小以至于使晶体难以进入上盖的内部空腔。进一步地，所述上盖在与所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的横截面积为远离所述底板的一端的横截面积的91.8％。具体地，经过多次实验证明，在与所述底板平行的方向上，当上盖的底部的横截面积为上盖的顶部的横截面积的91.8％时，上盖的上部空间利用率最大，且结构性能稳定，材料的有效利用率最高。作为一种优选的实施方式，所述底板的上表面设有第一凹槽，所述上盖的底部插入所述第一凹槽。具体地，通过把上盖的底部插入第一凹槽中，然后使上盖和底板进行粘合，其气密性较好，不易泄漏。进一步地，所述底板的上表面设有第一凸台和第二凸台，所述第二凸台位于所述第一凸台远离所述底板的边沿的一侧；所述第一凸台与所述第二凸台之间形成所述第一凹槽。进一步地，所述第二凸台的中部设有第二凹槽。具体地，在所述第二凸台的中部设置第二凹槽，会增大底板与晶体振荡器的内部器件之间的距离，降低晶体振荡器的内部器件与底板短路的风险。一种晶体振荡器，包括石英晶体和任一上述实施方式中的晶体封装结构，所述石英晶体设置在所述晶体封装结构的内部。具体地，当将晶体振荡器的内部器件安置在晶体封装结构的上部时，晶体振荡器的内部器件与上盖的距离较大，晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险降低。作为一种优选的实施方式，所述底板的底部设有绝缘部。具体地，在所述底板的底部设有绝缘部，可以防止底板与电路板之间直接接触导致短路。本专利技术的有益效果为：提供一种晶体封装结构及采用其的晶体振荡器，通过减少上盖的下部的横截面积，以增大封装结构的内部空间，降低晶体振荡器的内部器件与上盖短路的风险。附图说明下面根据附图和实施例对本专利技术作进一步详细说明。图1为
技术介绍
所述的晶体封装结构的剖面示意图；图2为实施例一所述的晶体封装结构的剖面示意图；图3为设有第二凹槽的晶体封装结构的剖面示意图；图4为横截面积逐渐变小的晶体封装结构的剖面示意图。图1～图4中：1、上盖；2、底板；201、第一凸台；202、第二凸台；203第一凹槽；204、第二凹槽；205、绝缘部。具体实施方式下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本专利技术的技术方案。实施例一如图2所示，一种晶体封装结构，包括上盖1和底板2，上盖1的下端与底板2的上表面连接；上盖1靠近底板2的一端设有开口；在与底板2平行的方向上，上盖1远离底板2的一端的横截面积等于底板2的上表面的面积；上盖1在与底板2平行的方向上的横截面积从远离底板2到靠近底板2先保持不变，然后减小；上盖1在与底板2平行的方向上靠近底板2的一端的横截面积为远离底板2的一端的横截面积的91.8％。具体地，对上盖1的开口进行缩口处理，使上盖1的开口面积小于底板2的上表面的面积，方便上盖1与底板2之间进行连接。同时设置上盖1的上部的横截面积大于上盖1的下部的横截面积，就可以保证上盖1的上部的内部空间大于上盖1的下部的内部空间。使上盖1远离底板2的一端的横截面积等于底板2的上表面的面积，可以保证在不扩大原来的晶体封装结构的整体体积的情况下，增大晶体封装结构的内部空间，尤其是增大晶体封装结构的上部的内部空间。当将晶体振荡器的内部器件安置在晶体封装结构的上部时，增大晶体振荡器的内部器件与上盖1的距离，降低晶体振荡器的内部器件与上盖1短路的风险。底板2的上表面设有第一凸台201和第二凸台202，第二凸台202位于第一凸台201远离底板2的边沿的一侧；第一凸台201与第二凸台202之间形成第一凹槽203。上盖1的底部插入第一凹槽203，然后通过焊接或者点胶等方式使上盖1和底板2进行粘合。上盖1和底板2采用凹槽插接的连接方式，有效增强了封装结构的气密性。于本实施例中，如图3所示，第二凸台202的中部还可以设有第二凹槽204，这样设置可以增大底板2与晶体振荡器的内部器件之间的距离，降低晶体振荡器的内部器件与底板2短路的风险。于本实施例中，如图4所示，上盖1在与底板2平行的方向上的横截面积也可以为：从远离底板2到靠近底板2逐渐减小。于本实施例中，上盖1在与底板2平行的方向上靠近底板2的一端的横截面积也可以为远离底板2的一端的横截面积的87.8％或者93.8％。具体地，经过多次实验证明，在与底板2平行的方向上，当上盖1的底部的横截面积为上盖1的顶部的横截面积的87.8％～93.8％时，上盖1的上部空间利用率较大，且能保证上盖1的下端开口不会太小以至于使晶体难以进入上盖1的内部空腔。进一步地本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体封装结构，包括上盖和底板，其特征在于，所述上盖的下端与所述底板的上表面连接；所述上盖靠近所述底板的一端设有开口；在与所述底板平行的方向上，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积大于所述上盖靠近所述底板的一端的横截面积。

【技术特征摘要】
1.一种晶体封装结构，包括上盖和底板，其特征在于，所述上盖的下端与所述底板的上表面连接；所述上盖靠近所述底板的一端设有开口；在与所述底板平行的方向上，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积大于所述上盖靠近所述底板的一端的横截面积。2.根据权利要求1所述的晶体封装结构，其特征在于，所述上盖远离所述底板的一端的横截面积等于所述底板的上表面的面积。3.根据权利要求1所述的晶体封装结构，其特征在于，所述上盖在与所述底板平行的方向上的横截面积从远离所述底板到靠近所述底板逐渐减小。4.根据权利要求1所述的晶体封装结构，其特征在于，所述上盖在与所述底板平行的方向上靠近所述底板的一端的横截面积为远离所述底板的一端的横截面积的87.8％～93.8％。5.根据权利要求4所述的晶体封装结构，其特征在于，所述上...

【专利技术属性】
技术研发人员：周文，邱文才，周柏雄，
申请(专利权)人：广东大普通信技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44