一种恒流状态下谷底开通控制电路制造技术

本发明专利技术涉及开关控制技术领域，尤其涉及一种恒流状态下谷底开通控制电路，包括：采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容；本发明专利技术的一种恒流状态下谷底开通控制电路是系统工作在恒流时，使得AC‑DC开关电源始终工作在第一个谷底时开通，在恒压工作状态时，始终在谷底开启功率MOS管，大大降低系统的辐射，与一般的谷底开通电路相比，系统效率可以提高2个百分点。

【技术实现步骤摘要】
一种恒流状态下谷底开通控制电路
本专利技术涉及开关控制
，尤其涉及一种恒流状态下谷底开通控制电路。
技术介绍
一般AC-DC开关电源系统中，为了提高效率及减小系统的辐射干扰，都会采用开关谷底导通模式，但是开关电源存在两种工作模式，一种是恒压工作模式，就是输出电压恒定，另一种就是恒流工作模式，此时的输出电压是低于恒压输出时的电压；现在的开关电源全部是恒压谷底开通，并且均不是第一个谷底开通，而恒流工作模式采用的是消磁时间与周期固定比例的方式，一般采用1：1，完全没有谷底开通，如果采用恒流工作模式实现谷底开通，在恒流结构上面必须有突破性创新，现在有结构实现恒流谷底开通，但是线路结构过于复杂，芯片成本过高，总体性价比较低。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供一种恒流状态下谷底开通控制电路。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：一种恒流状态下谷底开通控制电路，包括：采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容；所述谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与采样电路连接；所述谷底检测电路与第三开关控制电路连接；所述副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与运算器连接；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与运算器连接；所述基准电压电路与第一开关控制电路连接；所述第二开关控制电路接地；所述比较器包括正极输入端、负极输入端和输出端；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与积分器的输入端连接；所述积分器的输出端与所述比较器的正极输入端连接；所述比较器的输出端通过第三开关控制电路与MOS管连接；所述MOS管通过采样电阻接地；所述MOS管与所述比较器的负极输入端连接；所述MOS管与原边电感连接；所述副边电感的一端与二极管的正极连接；所述二极管的负极与第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与所述副边电感的另一端连接。本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的恒流状态下谷底开通控制电路是系统工作在恒流时，使得AC-DC开关电源始终工作在第一个谷底时开通，在恒压工作状态时，始终在谷底开启功率管，大大降低系统的辐射。由于恒流采用第一谷底导通，副边消磁占空比大于之前的1：1，在高线电压工作时，副边消磁占空比可以达到10：1，在同样输出电流情况下，峰值电流可以减小10倍，如此在副边续流二极管上面的消耗及寄生电阻的消耗大大减小，另外原边电流也减小为原来的十分之一，在采样电阻上面的消耗变为原来的十分之一，综合下来减小系统损耗在0.3W以上，与一般的谷底开通电路相比，系统效率可以提高2个百分点。本专利技术提供的恒流状态下谷底开通控制电路采用消磁时间与聚磁时间决定原边峰值电流的逻辑架构，实现峰值电流可变，消磁占空比可变，第一谷底开通，恒流模式工作在BCM，大大提高了系统效率，在原芯片成本的基础上面实现恒流模式下的第一谷底导通。附图说明图1为本专利技术的恒流状态下谷底开通控制电路的电路连接图。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。本专利技术最关键的构思在于：系统工作在恒流时，使得AC-DC开关电源始终工作在第一个谷底时开通，大大降低系统的辐射，提高系统效率。请参照图1，本专利技术提供的一种恒流状态下谷底开通控制电路，包括：采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容；所述谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与采样电路连接；所述谷底检测电路与第三开关控制电路连接；所述副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与运算器连接；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与运算器连接；所述基准电压电路与第一开关控制电路连接；所述第二开关控制电路接地；所述比较器包括正极输入端、负极输入端和输出端；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与积分器的输入端连接；所述积分器的输出端与所述比较器的正极输入端连接；所述比较器的输出端通过第三开关控制电路与MOS管连接；所述MOS管通过采样电阻接地；所述MOS管与所述比较器的负极输入端连接；所述MOS管与原边电感连接；所述副边电感的一端与二极管的正极连接；所述二极管的负极与第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与所述副边电感的另一端连接。从上述描述可知，本专利技术的有益效果在于：本专利技术提供的恒流状态下谷底开通控制电路是系统工作在恒流时，使得AC-DC开关电源始终工作在第一个谷底时开通，在恒压工作状态时，始终在谷底开启功率管，大大降低系统的辐射。由于恒流采用第一谷底导通，副边消磁占空比大于之前的1：1，在高线电压工作时，副边消磁占空比可以达到10：1，在同样输出电流情况下，峰值电流可以减小10倍，如此在副边续流二极管上面的消耗及寄生电阻的消耗大大减小，另外原边电流也减小为原来的十分之一，在采样电阻上面的消耗变为原来的十分之一，综合下来减小系统损耗在0.3W以上，与一般的谷底开通电路相比，系统效率可以提高2个百分点。本专利技术提供的恒流状态下谷底开通控制电路采用消磁时间与聚磁时间决定原边峰值电流的逻辑架构，实现峰值电流可变，消磁占空比可变，第一谷底开通，恒流模式工作在BCM，大大提高了系统效率，在原芯片成本的基础上面实现恒流模式下的第一谷底导通。进一步的，所述采样电路包括辅助绕组、第一电阻和第二电阻；所述辅助绕组的一端通过第一电阻分别与谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路连接；所述辅助绕组的另一端通过第二电阻分别与谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路连接；所述辅助绕组的另一端接地。进一步的，所述MOS管包括栅极、源极和漏极；所述MOS管的栅极与第三开关控制电路连接；所述MOS管的源极与比较器的负极输入端连接；所述MOS管的漏极与原边电感连接。进一步的，所述积分器包括第三电阻和第二电容；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与所述第三电阻的一端连接；所述第三电阻的另一端通过第一电容接地；所述第三电阻的另一端与所述比较器的正极输入端连接。请参照图1，本专利技术的实施例一为：本专利技术提供的一种恒流状态下谷底开通控制电路，包括：采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器CMP、第三开关控制电路、采样电阻Rcs、MOS管N1、原边电感Lp、副边电感Ls、二极管DIODE和第一电容Cout；所述谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与采样电路电连接；所述副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与运算器连接；其中所述谷底检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种恒流状态下谷底开通控制电路，其特征在于，包括：采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容；所述谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与采样电路连接；所述谷底检测电路与第三开关控制电路连接；所述副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与运算器连接；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与运算器连接；所述基准电压电路与第一开关控制电路连接；所述第二开关控制电路接地；所述比较器包括正极输入端、负极输入端和输出端；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与积分器的输入端连接；所述积分器的输出端与所述比较器的正极输入端连接；所述比较器的输出端通过第三开关控制电路与MOS管连接；所述MOS管通过采样电阻接地；所述MOS管与所述比较器的负极输入端连接；所述MOS管与原边电感连接；所述副边电感的一端与二极管的正极连接；所述二极管的负极与第一电容的一端连接；所述第一电容的另一端与所述副边电感的另一端连接。...

【技术特征摘要】
1.一种恒流状态下谷底开通控制电路，其特征在于，包括：采样电路、谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路、CV控制电路、运算器、第一开关控制电路、基准电压电路、第二开关控制电路、积分器、比较器、第三开关控制电路、采样电阻、MOS管、原边电感、副边电感、二极管和第一电容；所述谷底检测电路、副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与采样电路连接；所述谷底检测电路与第三开关控制电路连接；所述副边消磁时间检测电路、原边开关开启时间检测电路和CV控制电路分别与运算器连接；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与运算器连接；所述基准电压电路与第一开关控制电路连接；所述第二开关控制电路接地；所述比较器包括正极输入端、负极输入端和输出端；所述第一开关控制电路和第二开关控制电路分别与积分器的输入端连接；所述积分器的输出端与所述比较器的正极输入端连接；所述比较器的输出端通过第三开关控制电路与MOS管连接；所述MOS管通过采样电阻接地；所述MOS管与所述比较器的负极输入端连接；所述MOS管与原边电感连接；所述副边电...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨川，
申请(专利权)人：深圳市群芯科创电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44