10G小型化EML激光器的光探测器装配结构制造技术

本发明专利技术涉及光器件领域，具体涉及一种应用于10G EML激光器中的光探测器装配结构。提出了一种10G小型化EML激光器的光探测器装配结构，包括硅基板、探测器芯片及热沉，硅基板上装配有激光器芯片，激光器芯片正后方位置处的硅基板上开设有凹槽，探测器芯片贴装于热沉表面，经金线绑定后的探测器芯片及热沉置于凹槽中，并与凹槽壁粘接固定。本发明专利技术同现有技术相比，有利于降低成本，更有助于实现高速率小型化激光器的自动化封装平台，大大提高生产效率。

Optical detector assembly structure of 10G compact EML laser

The present invention relates to the field of optical devices, optical detector assembly structure relates to a specific application to 10G in EML laser. The light detector assembly structure of a miniature 10G EML laser, including silicon substrate, detector chip and heat sink, the silicon substrate is equipped with laser chip and laser chip is positioned on the silicon substrate is provided with a groove, a detector chip mounted on the heat sink surface, the detector chip after the binding of gold and the heat sink is placed in the groove, and groove wall is fixed. Compared with the prior art, the invention is beneficial to reduce the cost and is more helpful for realizing the automatic encapsulation platform of the high rate and compact laser and greatly improving the production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
10G小型化EML激光器的光探测器装配结构
本专利技术涉及光器件领域，具体涉及一种应用于10GEML激光器中的光探测器装配结构。
技术介绍
10G小型化电吸收调制激光发射器是一款专门应用于长途干线数据传输的光电元器件，它主要包含激光器芯片、光探测器、隔离器、密封管壳、光接口和带柔性电路等。其中，光探测器作为激光器的主要组件，其作用是把光信号转换成电信号，通过监控激光器芯片的光功率，从而检测其特性。目前市场上有正面进光和侧面进光两种类型的光探测器，二者的价格相差近20倍，正面进光探测器的价格低，但存在激光器芯片和正面接光芯片高度差问题，如果采用正面接光芯片，传统做法是激光器芯片放在一个额外加工的一定厚度的氮化铝热沉上，使激光器芯片的中心高度和正面接光的背光芯片中心高度一致，以便能够接收到激光器芯片的背光，这样在设计结构上需要增加热沉，相应增加了热负载，功耗也会相应增加。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有光探测器装配结构存在的不足，提供了一种结构精巧、效果明显、工艺简单、成本低廉的光探测器装配结构。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案为：提出了一种10G小型化EML激光器的光探测器装配结构，包括硅基板、探测器芯片及热沉，硅基板上装配有激光器芯片，激光器芯片正后方位置处的硅基板上开设有凹槽，探测器芯片贴装于热沉表面，经金线绑定后的探测器芯片及热沉置于凹槽中，并与凹槽壁粘接固定。所述探测器芯片与激光器芯片之间的夹角为6-8°。所述热沉为硅基板或氮化铝材质。本文提出了一种正面进光光探测器的低成本装配结构，在硅基板上挖槽并将探测器芯片及热沉置于凹槽中，实现激光器芯片与探测器芯片的对准，使得激光器芯片后面发出的光正好打入背光监测芯片中，达到最佳接收目的，同时探测器芯片摆放位置和激光器芯片成6-8°角，可有效防止光反射对激光器前向光路影响，从而达到更好的监测激光器芯片功率的目的。本专利技术在不增加激光器芯片热沉的基础上，通过挖槽来匹配激光器芯片的高度，实现了低成本正面接光芯片的应用。同现有技术相比，有利于降低成本，更有助于实现高速率小型化激光器的自动化封装平台，大大提高生产效率。附图说明图1为探测器芯片与热沉装配示意图；图2为光探测器装配完成后的激光器内部结构剖面图；图3为光探测器装配完成后的激光器内部结构俯视图。图4为激光器芯片与探测器芯片的位置关系示意图；图中：1-热沉，2-探测器芯片，3-凹槽，4-激光器芯片，5-硅基板。具体实施方式下面将结合附图说明本专利技术的具体实施方式。10G小型化EML激光器的光探测器装配结构，包括硅基板5、探测器芯片2及热沉1，硅基板上装配有激光器芯片4，激光器芯片4正后方位置处的硅基板上开设有凹槽3。如图1所示，探测器芯片2贴装于热沉1上表面并进行金线绑定；如图2、3所示，组装后的探测器芯片2及热沉1放入硅基板的凹槽3中，紧贴凹槽壁放置，并用导电银胶于凹槽壁粘贴固定。其中，热沉可采用硅基板或氮化铝材质。本实施例中，凹槽的大小为0.35*0.6*0.1mm，凹槽的大小也可根据实际需求进行调整，凹槽的深度设置需要保证激光器芯片后面发出的光可以正好打入背光监测芯片中，以达到最佳接收目的，同时探测器芯片摆放位置和激光器芯片成成α角（见图4），α=6-8°，α角以6°为最佳，可有效防止光反射对激光器前向光路影响，从而达到更好的监测激光器芯片功率的目的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
10G小型化EML激光器的光探测器装配结构，其特征在于：包括硅基板、探测器芯片及热沉，硅基板上装配有激光器芯片，激光器芯片正后方位置处的硅基板上开设有凹槽，探测器芯片贴装于热沉表面，经金线绑定后的探测器芯片及热沉置于凹槽中，并与凹槽壁粘接固定。

【技术特征摘要】
1.10G小型化EML激光器的光探测器装配结构，其特征在于：包括硅基板、探测器芯片及热沉，硅基板上装配有激光器芯片，激光器芯片正后方位置处的硅基板上开设有凹槽，探测器芯片贴装于热沉表面，经金线绑定后的探测器芯片及热沉置于凹槽中，并与凹槽壁粘接固...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文臣，张彩，张亮，
申请(专利权)人：大连藏龙光电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：辽宁,21