一种复合透明电极、有机发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种复合透明电极、有机发光二极管及其制备方法，属于显示技术领域，其可解决现有的OLED的透明电极溅射工艺中易损伤有机发光功能层或易产生压降的问题。本发明专利技术的复合透明电极在金属层与透明导电氧化物层之间设置覆盖层，其中，透明导电氧化物层作为辅助电极通过第一开孔与金属层相连，使导电度增加，减小压降；当OLED中采用该复合透明电极时，覆盖层可以减少金属层界面的等离子体效应，提高出光效率；此外，在形成透明导电氧化物层的溅射工艺中，覆盖层可以保护有机发光功能层，减少溅射工艺过程中对有机发光功能层的损伤。本发明专利技术的OLED适用于各种显示装置。

Composite transparent electrode, organic light emitting diode and preparation method thereof

The present invention provides a composite transparent electrode, an organic light emitting diode and a preparation method thereof, belonging to the technical field of display and easy damage of the organic light-emitting layer or easy to produce pressure drop problem which can solve the existing OLED transparent electrode sputtering process. The composite transparent electrode of the invention is arranged between the metal layer and the transparent conductive oxide layer covering layer, wherein the transparent conductive oxide layer as the auxiliary electrode is connected through the first hole and the metal layer, the conductivity increased, reduce the pressure drop; when the OLED in the composite transparent electrode layer, metal layer can reduce the plasma effect the interface, the light emitting efficiency is improved; in addition, in the form of sputtering transparent conductive oxide layer, covering layer can protect the organic light emitting layer function, reduce the damage to the organic light emitting layer sputtering process function. The OLED of the invention is suitable for various display devices.

【技术实现步骤摘要】
一种复合透明电极、有机发光二极管及其制备方法
本专利技术属于显示
，具体涉及一种复合透明电极、有机发光二极管及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)具有轻薄、响应快、可适用柔性显示等突出的特点，是公认的平板显示和照明领域的新技术。OLED通常包括阳极和阴极，以及位于阳极和阴极之间的有机发光功能层。随着OLED技术的推进和产品的升级需求，市场对低功耗和高分辨率的要求越来越高。由于顶发射的有源矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclightemittingdiode，AMOLED)可避免薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)的遮挡，可实现较高的开口率和亮度，即顶发射AMOLED可以降低功耗和提升分辨率，同时提高OLED的寿命，所以顶发射AMOLED是目前较优选的技术。专利技术人发现现有技术中至少存在如下问题：顶发射AMOLED中一项关键技术是透明电极的制备，目前在中小尺寸显示产品中普遍采用的是薄金属透明电极，由于薄金属电极的阻抗较大，一旦尺寸变大就会产生压降的问题，所以薄金属电极适用于中小尺寸，此外金属电极表面通常存在等离子体产生的热效应使得发光效率降低；而大尺寸显示产品中通常选用透明导电氧化物(transparentconductingoxides，TCO)作为电极，例如氧化铟锡(Indiumtinoxide，ITO)、氧化铟锌(indiumzincoxide，IZO)等，TCO的优点是透过率高，可以镀比较厚，而厚的TCO导电率比较高，不会有压降问题，但TCO一般要用溅射方式镀膜，溅射工艺过程中的高能粒子对有机发光功能层通常会有损伤，导致漏电、发光效率低、寿命低等问题。
技术实现思路
本专利技术针对现有的OLED的透明电极溅射工艺中易损伤有机发光功能层或易产生压降的问题，提供一种复合透明电极、有机发光二极管及其制备方法。解决本专利技术技术问题所采用的技术方案是：一种复合透明电极，包括金属层和透明导电氧化物层，以及设于所述金属层与透明导电氧化物层之间的透明的覆盖层，所述覆盖层具有多个第一开孔，所述金属层与透明导电氧化物层通过所述第一开孔相连。优选的是，所述覆盖层由金属氧化物构成，所述金属氧化物的介电常数ε范围为ε>10。优选的是，所述金属氧化物包括Ga2O3、CaO、WO3中的任意一种或几种。优选的是，所述覆盖层的厚度范围为1-40nm。优选的是，所述金属层的厚度范围为1-20nm。优选的是，所述透明导电氧化物层的厚度范围为50-500nm。本专利技术还提供一种有机发光二极管，包括第一电极和第二电极，以及设于所述第一电极与第二电极之间的有机发光功能层，所述第二电极为上述的复合透明电极，其中，所述透明导电氧化物层远离所述有机发光功能层设置。优选的是，所述有机发光功能层包括多个子像素，相邻的子像素之间具有第二开孔，所述覆盖层覆盖所述子像素，所述第一开孔的尺寸小于或者等于所述第二开孔的尺寸。本专利技术还提供一种有机发光二极管的制备方法，包括以下步骤：形成第一电极和有机发光功能层；在所述有机发光功能层上形成上述的复合透明电极，其中，所述透明导电氧化物层远离所述有机发光功能层设置。优选的是，所述金属层通过蒸镀工艺形成，所述覆盖层通过蒸镀工艺形成，所述透明导电氧化物层通过溅射工艺形成。本专利技术的复合透明电极在金属层与透明导电氧化物层之间设置覆盖层，其中，透明导电氧化物层作为辅助电极通过第一开孔与金属层相连，使导电度增加，减小压降；当OLED中采用该复合透明电极时，覆盖层可以减少金属层界面的等离子体效应，提高出光效率；此外，在形成透明导电氧化物层的溅射工艺中，覆盖层可以保护有机发光功能层，减少溅射工艺过程中对有机发光功能层的损伤。本专利技术的OLED适用于各种显示装置。附图说明图1为本专利技术的实施例1的复合透明电极的结构示意图；图2为本专利技术的实施例3的有机发光二极管的结构示意图；其中，附图标记为：1、复合透明电极；11、金属层；12、覆盖层；13、透明导电氧化物层；14、第一开孔；2、第一电极；3、有机发光功能层；31、子像素；32、第二开孔。具体实施方式为使本领域技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细描述。实施例1：本实施例提供一种复合透明电极，如图1所示，包括金属层11和透明导电氧化物层13，以及设于所述金属层11与透明导电氧化物层13之间的透明的覆盖层12，所述覆盖层12具有多个第一开孔14，所述金属层11与透明导电氧化物层13通过所述第一开孔14相连。本实施例的复合透明电极在金属层11与透明导电氧化物层13之间设置覆盖层12，其中，透明导电氧化物层13作为辅助电极通过第一开孔14与金属层11相连，使导电度增加，减小压降；当OLED中采用该复合透明电极时，覆盖层12可以减少金属层11界面的等离子体效应，提高出光效率；此外，在形成透明导电氧化物层13的溅射工艺中，覆盖层12可以保护有机发光功能层3，减少溅射工艺过程中对有机发光功能层3的损伤。实施例2：本实施例提供一种复合透明电极，如图1所示，包括金属层11和透明导电氧化物层13，以及设于所述金属层11与透明导电氧化物层13之间的透明的覆盖层12，所述覆盖层12具有多个第一开孔14，所述金属层11与透明导电氧化物层13通过所述第一开孔14相连。其中，覆盖层12由金属氧化物构成，所述金属氧化物的介电常数ε范围为ε>10。需要说明的是，在上述数值范围内的材料可以减少金属层11界面的等离子体效应，同时可以减少溅射工艺过程中对有机发光功能层3的损伤。具体的，金属氧化物的材料可以选自Ga2O3、CaO、WO3等具有较高的介电常数的材料中的任意一种或几种。作为本实施例中的一种可选实施方案，具体的，金属层11由Ag材料构成；透明导电氧化物层13由TCO构成。覆盖层12的厚度为1nm，金属层11的厚度为10nm；透明导电氧化物层13的厚度为300nm。作为本实施例中的另一种可选实施方案，具体的，金属层11由Ag材料构成；透明导电氧化物层13由ITO构成。覆盖层12的厚度为40nm，金属层11的厚度为1nm；透明导电氧化物层13的厚度为500nm。作为本实施例中的另一种可选实施方案，具体的，金属层11由Ag材料构成；透明导电氧化物层13由IZO构成。覆盖层12的厚度为20nm，金属层11的厚度为20nm；透明导电氧化物层13的厚度为50nm。作为本实施例中的另一种可选实施方案，具体的，金属层11由Ag材料构成；透明导电氧化物层13由IZO构成。覆盖层12由WO3构成，其厚度为20nm，金属层11的厚度为10nm；透明导电氧化物层13的厚度为300nm。将该复合透明电极与不包含覆盖层的电极同时进行测试，测试结果见表1。其中，复合透明电极的透过率T％使用UV-visible光谱仪(PerkinElmer,Lambda750S)进行测试，器件性能(电流密度、亮度、效率)使用数字源表Keithley2400和亮度计CS1000进行测试。表1实施例3：本实施例提供一种有机发光二极管及其制备方法，如图2所示，包括第一电极2和第二电极，以及设于所述第一电本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种复合透明电极，其特征在于，包括金属层和透明导电氧化物层，以及设于所述金属层与透明导电氧化物层之间的透明的覆盖层，所述覆盖层具有多个第一开孔，所述金属层与透明导电氧化物层通过所述第一开孔相连。

【技术特征摘要】
1.一种复合透明电极，其特征在于，包括金属层和透明导电氧化物层，以及设于所述金属层与透明导电氧化物层之间的透明的覆盖层，所述覆盖层具有多个第一开孔，所述金属层与透明导电氧化物层通过所述第一开孔相连。2.根据权利要求1所述的复合透明电极，其特征在于，所述覆盖层由金属氧化物构成，所述金属氧化物的介电常数ε的范围为ε>10。3.根据权利要求2所述的复合透明电极，其特征在于，所述金属氧化物包括Ga2O3、CaO、WO3中的任意一种或几种。4.根据权利要求1所述的复合透明电极，其特征在于，所述覆盖层的厚度范围为1-40nm。5.根据权利要求1所述的复合透明电极，其特征在于，所述金属层的厚度范围为1-20nm。6.根据权利要求1所述的复合透明电极，其特征在于，所述透明导电氧化物层的厚度范围为50-500nm。7.一种有机发光二极管，包括第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：尤娟娟，吴长晏，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11