The invention discloses an array structure of quantum dot light-emitting diode device and a preparation method thereof, wherein the device from the bottom to the top comprises a substrate, a bottom electrode, a hole injection layer, a hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer and the top electrode, wherein, the bottom electrode is provided with a layer with honeycomb the pore structure of anodic aluminum oxide film, the hole injection layer, a hole transport layer, quantum dot light emitting layer and electron transporting layer are deposited in the honeycomb pores of anodic alumina film in. The invention of QLED device traditional layered structure change to QLED array structure, the array structure of QLED devices can be divided into light emitting surface lattice, can reduce the device heat but also can better isolate water molecules and other harmful gases on the QLED device in each functional layer damage, so as to extend the QLED the service life of the device.
【技术实现步骤摘要】
一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法
本专利技术涉及量子点
,尤其涉及一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法。
技术介绍
半导体量子点(Quantumdot,QDs)具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管(Quantumdotlight-emittingdiode,QLED),具有色彩饱和、能效更高、色温更佳等优点,有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。在传统的QLED器件结构中,除了量子点发光层外,还需要引入两个电极和在电极与量子点之间添加各种功能层,这些功能层包括电子注入层、电子传输层、空穴传输层、空穴注入层等。QLED器件在外加偏压作用下,载流子(电子和空穴)进入发光层,然后以辐射跃迁的方式复合发光。量子点发光二极管器件的结构对其性能及寿命有着重要的影响,传统结构的量子点发光二极管器件通常因为发热问题和有害气体分子的影响,导致QLED器件的使用寿命缩短。因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足,本专利技术的目的在于提供一种阵列结构量子点发光二极管器件及其制备方法,旨在解决传统结构的量子点发光二极管器件使用寿命较短的问题。本专利技术的技术方案如下:一种阵列结构量子点发光二极管器件,从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极,其中,所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜,所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。所述的阵列结 ...
【技术保护点】
一种阵列结构量子点发光二极管器件,从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极,其特征在于,所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜,所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。
【技术特征摘要】
1.一种阵列结构量子点发光二极管器件,从下至上依次包括衬底、底电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极,其特征在于,所述底电极上还设置有一层具有蜂窝孔结构的阳极氧化铝膜,所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层和电子传输层均沉积在所述阳极氧化铝膜的蜂窝孔内。2.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件,其特征在于,所述蜂窝孔的孔径为10~500nm。3.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件,其特征在于,所述蜂窝孔的孔间距为30~600nm。4.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件,其特征在于,所述蜂窝孔的孔深为100nm~150μm。5.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件,其特征在于,所述电子传输层上还设置有一导热层。6.根据权利要求5所述的阵列结构量子点发光二极管器件,其特征在于,所述导热层材料为石墨烯或碳化硅中的一种。7.根据权利要求1所述的阵列结构量子点发光二极管器件,其特征在于,所述量子点发光层的材料为II-VI族化合物、III-V族化合物、II-V族化合物、III-VI化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物、I...
【专利技术属性】
技术研发人员:李乐,向超宇,张滔,辛征航,张东华,
申请(专利权)人:TCL集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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