含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。

QLED containing noble metal nano material and preparation method thereof

The invention provides a noble metal containing nano materials including QLED, anode, which are sequentially overlapped hole injection layer, a hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer and a cathode, wherein the QLED containing noble metal nanomaterials, and the noble metal nano materials nano noble metal core-shell structure composite materials, including noble metal core and wrapping the precious metal core shell structure; the hole injection layer, a hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer in at least one layer doped with the noble metal nano core-shell structure composite material; or the noble metal nano composite material of core-shell structure as the noble metal nano nuclear shell is arranged in the hole injection layer, a hole transport layer, quantum dot light emitting layer, an electron transport layer, electron injection layer two adjacent either Between structures.

【技术实现步骤摘要】
含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法
本专利技术属于平板显示
，尤其涉及一种含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法。
技术介绍
量子点具有发光峰窄、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。为了提高量子点的发光效率，通常在QLED器件的空穴注入层中掺入贵金属的纳米颗粒或空穴注入层上旋涂一层纳米颗粒，利用贵金属纳米颗粒的局域表面等离子体共振(LSPR)增强量子点的发光效率。当金属纳米颗粒成膜后，纳米颗粒会相距很近，这样在入射电场的驱动下，它们之间的相互作用无法忽略，当两个金属纳米颗粒靠得很近时，一个偶极子的辐射场会破坏相邻的偶极子的辐射场，造成自由电子所受的力的变化，从而导致共振频率的变化，影响其增强效应。另外，贵金属纳米颗粒的表面缺陷会导致电子和空穴无辐射复合，影响发光效率。因此，如何进一步修饰贵金属纳米颗粒，更好利用其LSRP增强效应，从而提高QLED器件的发光效率是目前研究的一个重点。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种含有贵金属纳米材料的QLED及其制备方法，旨在解决现有含有贵金属纳米材料的QLED中的贵金属纳米颗粒影响LSRP增强效应、且贵金属纳米颗粒的表面缺陷会导致电子和空穴无辐射复合，同时影响发光效率的问题。本专利技术是这样实现的，一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。以及，一种含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，包括以下步骤：制备纳米贵金属核壳结构复合材料；在空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料中的至少一种中添加所述纳米贵金属核壳结构复合材料，制备对应的功能层材料；提供阳极，依次沉积空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料，得到对应的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，在所述电子注入层上形成阴极。一种含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，包括以下步骤：制备纳米贵金属核壳结构复合材料；提供阳极，依次沉积空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料，得到对应的空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，在所述电子注入层上形成阴极，且在所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间沉积有所述纳米贵金属核壳结构复合材料，形成纳米贵金属核壳层。本专利技术提供的含有贵金属纳米材料的QLED，含有纳米贵金属核壳结构复合材料，所述纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层中，或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。贵金属纳米颗粒经过包裹后形成的纳米贵金属核壳结构，可以有效调节贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属纳米颗粒与量子点发光材料的距离，从而有效发挥贵金属纳米颗粒的LSRP增强效应；同时，所述纳米贵金属核壳结构复合材料可以有效减少贵金属纳米颗粒的表面缺陷，减少电子和空穴无辐射复合，提高QLED器件的发光效率。本专利技术提供的含有贵金属纳米材料的QLED的制备方法，只需将纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂中空穴注入材料、空穴传输材料、量子点发光材料、电子传输材料、电子注入材料的一种中，或沉积在所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间即可，可采用溶液法加工制备获得，方法简单易控，可实现产业化生产。附图说明图1是本专利技术实施例1提供的纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在空穴注入层中的QLED结构示意图；图2是本专利技术实施例2提供的纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在量子点发光层中的QLED结构示意图；图3是本专利技术实施例3提供的纳米贵金属核壳结构复合材料掺杂在电子传输层中的QLED结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例提供了一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。本专利技术实施例中，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料。本专利技术实施例所述纳米贵金属核壳结构复合材料包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构。进一步的，所述纳米贵金属核壳结构复合材料中，所述贵金属核可以是金、银、铜、铂中的一种，也可以是金、银、铜、铂形成的合金；所述壳层结构的材料为二氧化硅、二氧化钛、碳、高分子材料。所述高分子材料包括但不限于聚乙烯吡咯烷酮。优选的，所述壳层结构的厚度为1-100nm。若所述壳层结构的厚度过薄，则不能有效增加贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属纳米颗粒与量子点发光材料的距离，因此，LSRP增强效应的发挥依然受限，且贵金属纳米颗粒的表面缺陷依然存在，影响电子和空穴无辐射复合，进而影响发光效率。若所述壳层结构的厚度过厚，所述贵金属纳米颗粒的间距过大，会超出相邻贵金属纳米颗粒产生LSRP增强效应的感应距离，进而，不能发挥贵金属纳米颗粒的增强效应。在上述范围内，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的壳层结构的厚度可调。从而可以根据所述纳米贵金属核壳结构复合材料的掺杂对象(如空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层)的不同，而设置成不同厚度的壳层结构，进而更有效地调节贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属纳米颗粒与量子点发光材料的距离，充分利用贵金属纳米颗粒的LSRP增强效应。本专利技术实施例中，所述贵金属核和所述壳层结构组成的所述纳米贵金属核壳结构复合材料的形状没有明确的限定，可以是球形、棒状、立方体、片状或其他形状。本专利技术实施例中，贵金属纳米颗粒经过包裹后形成的纳米贵金属核壳结构，可以有效调节贵金属纳米颗粒的间距以及贵金属纳米颗粒与量子点发光材料的距离，从而有效发挥贵金属纳米颗粒的LSRP增强效应；同时，所述纳米贵金本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。

【技术特征摘要】
1.一种含有贵金属纳米材料的QLED，包括依次层叠设置的阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述QLED中含有贵金属纳米材料，且所述贵金属纳米材料为纳米贵金属核壳结构复合材料，包括贵金属核和包裹所述贵金属核的壳层结构；所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料；或所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间。2.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述壳层结构的材料为二氧化硅、二氧化钛、碳、聚乙烯吡咯烷酮、高分子材料。3.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述壳层结构的厚度为1-100nm。4.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的贵金属核为金、银、铜、铂及其合金。5.如权利要求1所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的形状包括球形、棒状、立方体、片状。6.如权利要求1-5任一所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层中的至少一层掺杂有所述纳米贵金属核壳结构复合材料，且以被掺杂的功能层的总重量为100％计，所述纳米贵金属核壳结构复合材料的掺杂重量百分比为0.1-10％。7.如权利要求1-5任一所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述纳米贵金属核壳结构复合材料作为纳米贵金属核壳层设置在空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层的任一相邻两层结构之间，且所述纳米贵金属核壳层的厚度为1-100nm。8.如权利要求1-5任一所述的含有贵金属纳米材料的QLED，其特征在于，所述QLED...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44