光电元件及用于制造所述光电元件的方法技术

技术编号:15510735 阅读:209 留言:0更新日期:2017-06-04 04:04
本发明专利技术提供了一种光电元件及用于制造所述光电元件的方法。根据本公开的示例性实施方式的光电元件包括透明导电层,所述透明导电层包括由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料。

Photoelectric element and method for manufacturing said photoelectric element

The present invention provides a photoelectric element and a method for manufacturing the photoelectric element. A photoelectric element according to an exemplary embodiment of the present disclosure includes a transparent conductive layer comprising a first material made of metal and a second material made of a metal halide.

【技术实现步骤摘要】
光电元件及用于制造所述光电元件的方法相关申请的交叉引用本申请要求于2015年11月20日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0163056号的优先权和权益,所述申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及光电元件及其制造方法。
技术介绍
一般地,已广泛利用铟锡氧化物(ITO)层(其中锡被掺杂到氧化铟)作为用作显示装置(比如液晶显示器或有机发光二极管显示器)或光电元件(比如太阳能电池)的电极材料的透明导电层。对于铟锡氧化物(ITO)层,可能应用到刻蚀工艺,并且所述铟锡氧化物(ITO)层具有优异的与基板紧密接触的性质(例如,优异的基板附着性)以及优异的透明度和优越的导电性。ITO层可通过溅射法形成,然而,如果在由有机材料制成的有机材料层上形成ITO层,可能破坏所述有机材料层(例如,通过溅射法)。该
技术介绍
部分中公开的以上信息仅用来强化对本公开的
技术介绍
的理解,并且因此其可含有的信息不形成对于本领域普通技术人员来说在本国已知的现有技术。
技术实现思路
根据本公开的一个或多个实施方式的方面涉及包括新型透明导电层的光电元件及其制造方法。根据本公开的示例性实施方式的光电元件包括透明导电层,所述透明导电层包括由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料。所述第一材料的所述金属的价电子数可等于或大于所述第二材料中包括的所述金属卤化物的金属的价电子数。所述第一材料的所述金属可包括选自由以下组成的组中的至少一种:第1族元素、第2族元素、镧系元素、锕系元素、过渡金属和后过渡金属。所述第二材料的所述金属卤化物可包括选自由以下组成的组中的至少一种:第1族元素的卤化物、第2族元素的卤化物、镧系卤化物、锕系卤化物、过渡金属的卤化物和后过渡金属的卤化物。所述第一材料的所述金属可包括选自由以下组成的组中的至少一种:Yb、Tm、Sm、Eu、Gd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Tb、Dy、Ho、Er、Lu、Ac、Th和Pa。所述第二材料的所述金属卤化物可包括选自由以下组成的组中的至少一种:LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、YbF2、YbF3、SmF2、SmF3、EuF2、EuF3、TmF2、TmF3、CuF、TlF、AgF、CdF2、HgF2、SnF2、PbF2、BiF3、ZnF2、MnF2、FeF2、GeF2、CoF2、NiF2、AlF3、ThF4、UF3、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、YbCl2、YbCl3、SmCl2、SmCl3、EuCl2、EuCl3、TmCl2、TmCl3、CuCl、TlCl、AgCl、CdCl2、HgCl2、SnCl2、PbCl2、BiCl3、ZnCl2、MnCl2、FeCl2、GeCl2、CoCl2、NiCl2、AlCl3、ThCl4、UCl3、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、YbBr2、YbBr3、SmBr2、SmBr3、EuBr2、EuBr3、TmBr2、TmBr3、CuBr、TlBr、AgBr、CdBr2、HgBr2、SnBr2、PbBr2、BiBr3、ZnBr2、MnBr2、FeBr2、GeBr2、CoBr2、NiBr2、AlBr3、ThBr4、UBr3、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、YbI2、YbI3、SmI2、SmI3、EuI2、EuI3、TmI2、TmI3、CuI、TlI、AgI、CdI2、HgI2、SnI2、PbI2、BiI3、ZnI2、MnI2、FeI2、GeI2、CoI2、NiI2、AlI3、ThI4和UI3。所述透明导电层包括的所述第一材料可多于所述第二材料。所述透明导电层可包括相同量的所述第一材料和所述第二材料,或者所述透明导电层包括的所述第二材料可多于所述第一材料。所述光电元件可进一步包括在透明导电层上的金属氧化物层。所述金属氧化物可包括ITO或IZO。所述光电元件可进一步包括第一电极、在所述第一电极上的发光层和在所述发光层上的第二电极,并且所述第一电极和所述第二电极中的至少一个包括所述透明导电层。所述第一电极可为反射电极,并且所述第二电极可包括所述透明导电层。所述发光层可通过多个发光层的组合发射白光。所述多个发光层可包括两个层或三个层。当所述多个发光层包括两个层时,可使从所述多个发光层发射的光混合以发射白光。当所述多个发光层包括三个层时,所述多个发光层可分别发射红光、绿光和蓝光,或者蓝光、黄光和蓝光。所述光电元件可进一步包括在所述多个发光层之间的电荷生成层。所述第一电极和所述第二电极中的至少一个可包括下部区和上部区,所述下部区包括的所述第一材料多于所述第二材料,所述上部区包括的所述第二材料多于所述第一材料。在所述第一电极和所述第二电极中的至少一个中,所述第一材料的量从上侧到下侧增加,并且所述第二材料的量从下侧到上侧增加。所述光电元件可进一步包括在所述上部区上的金属氧化物层,并且所述金属氧化物层可包括ITO或IZO。一种用于制造根据本公开的示例性实施方式的光电元件的方法,包括通过由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料的反应形成透明导电层。所述第一材料的所述金属可包括选自由以下组成的组中的至少一种:第1族元素、第2族元素、镧系元素、锕系元素、过渡金属和后过渡金属;并且所述第二材料的所述金属卤化物可包括选自由以下组成的组中的至少一种:第1族元素的卤化物、第2族元素的卤化物、镧系卤化物、锕系卤化物、过渡金属的卤化物和后过渡金属的卤化物。所述第一材料的所述金属可包括选自由以下组成的组中的至少一种:Yb、Tm、Sm、Eu、Gd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Tb、Dy、Ho、Er、Lu、Ac、Th和Pa;并且所述第二材料的所述金属卤化物可包括选自由以下组成的组中的至少一种:LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、YbF2、YbF3、SmF2、SmF3、EuF2、EuF3、TmF2、TmF3、CuF、TlF、AgF、CdF2、HgF2、SnF2、PbF2、BiF3、ZnF2、MnF2、FeF2、GeF2、CoF2、NiF2、AlF3、ThF4、UF3、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、YbCl2、YbCl3、SmCl2、SmCl3、EuCl2、EuCl3、TmCl2、TmCl3、CuCl、TlCl、AgCl、CdCl2、HgCl2、SnCl2、PbCl2、BiCl3、ZnCl2、MnCl2、FeCl2、GeCl2、CoCl2、NiCl2、AlCl3、ThCl4、UCl3、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、YbBr2、YbBr3、SmBr2、SmBr3、EuBr2、EuBr3、TmBr2、TmBr3、CuBr、TlBr、AgBr、CdBr2、HgBr2、SnBr2、PbBr2、BiBr3、ZnBr2、Mn本文档来自技高网...
光电元件及用于制造所述光电元件的方法

【技术保护点】
一种光电元件,包括:透明导电层,所述透明导电层包括由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料。

【技术特征摘要】
2015.11.20 KR 10-2015-01630561.一种光电元件,包括:透明导电层,所述透明导电层包括由金属制成的第一材料和由金属卤化物制成的第二材料。2.如权利要求1所述的光电元件,其中:所述第一材料的所述金属的价电子数等于或大于所述第二材料中包括的所述金属卤化物的金属的价电子数。3.如权利要求1所述的光电元件,其中:所述第一材料的所述金属包括选自由以下组成的组中的至少一种:第1族元素、第2族元素、镧系元素、锕系元素、过渡金属和后过渡金属。4.如权利要求3所述的光电元件,其中:所述第二材料的所述金属卤化物包括选自由以下组成的组中的至少一种:第1族元素的卤化物、第2族元素的卤化物、镧系卤化物、锕系卤化物、过渡金属的卤化物和后过渡金属的卤化物。5.如权利要求4所述的光电元件,其中:所述第一材料的所述金属包括选自由以下组成的组中的至少一种:Yb、Tm、Sm、Eu、Gd、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Tb、Dy、Ho、Er、Lu、Ac、Th和Pa。6.如权利要求4所述的光电元件,其中:所述第二材料的所述金属卤化物包括选自由以下组成的组中的至少一种:LiF、NaF、KF、RbF、CsF、BeF2、MgF2、CaF2、SrF2、BaF2、YbF2、YbF3、SmF2、SmF3、EuF2、EuF3、TmF2、TmF3、CuF、TlF、AgF、CdF2、HgF2、SnF2、PbF2、BiF3、ZnF2、MnF2、FeF2、GeF2、CoF2、NiF2、AlF3、ThF4、UF3、LiCl、NaCl、KCl、RbCl、CsCl、BeCl2、MgCl2、CaCl2、SrCl2、BaCl2、YbCl2、YbCl3、SmCl2、SmCl3、EuCl2、EuCl3、TmCl2、TmCl3、CuCl、TlCl、AgCl、CdCl2、HgCl2、SnCl2、PbCl2、BiCl3、ZnCl2、MnCl2、FeCl2、GeCl2、CoCl2、NiCl2、AlCl3、ThCl4、UCl3、LiBr、NaBr、KBr、RbBr、CsBr、BeBr2、MgBr2、CaBr2、SrBr2、BaBr2、YbBr2、YbBr3、SmBr2、SmBr3、EuBr2、EuBr3、TmBr2、TmBr3、CuBr、TlBr、AgBr、CdBr2、HgBr2、SnBr2、PbBr2、BiBr3、ZnBr2、MnBr2、FeBr2、GeBr2、CoBr2、NiBr2、AlBr3、ThBr4、UBr3、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、BeI2、MgI2、CaI2、SrI2、BaI2、YbI2、YbI3、SmI2、SmI3、EuI2、EuI3、TmI2、TmI...

【专利技术属性】
技术研发人员:金东赞
申请(专利权)人:三星显示有限公司
类型:发明
国别省市:韩国,KR

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