一种微型无基板封装的三基色LED及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种微型无基板封装的三基色LED及其封装方法，该无基板封装的三基色LED包括三基色LED芯片、一次塑封层、导电球、二次塑封层，该无基板封装的三基色LED是经芯片排布、植放导电球、一次塑封、二次塑封、打磨、清洗烘干、分离、测试包装而制得，所制得的三基色LED芯片之间有不透光的一次塑封层遮挡，不形成光干扰，而三基色LED芯片电极植导电球，在二次塑封完成后再打磨，完全消除三基色LED芯片的厚度与固晶平整度差异，避免了后续LED器件在SMT时因三个芯片厚度差异造成虚焊，提高了平面度的焊接容差性，同时，由于无基板封装，避免了LED芯片与基板之间的虚焊等不良问题，大大提高LED器件的使用可靠性。

Three primary color LED with miniature substrate free package and packaging method thereof

The invention discloses a micro package substrate three color LED and its packaging method, the package substrate including three color three color LED LED chip, a conductive plastic seal, ball, two plastic seal, the package substrate LED three primary colors is obtained by placing the conductive chip arrangement ball, a plastic, two plastic, grinding, cleaning and drying, separating, testing packaging, there is a layer of opaque plastic block between the three color LED chip prepared, not the formation of light interference, and the three color LED chip electrode conductive ball grinding plant, again in the two plastic finished completely the elimination of three color LED chip thickness and solid crystal roughness differences, to avoid the subsequent LED device for the three chip thickness difference caused by weld in SMT welding, improve the flatness tolerance, at the same time, because there is no substrate package, to avoid LED Between the chip and substrate weld problems, greatly improving the reliability of LED devices.

【技术实现步骤摘要】
一种微型无基板封装的三基色LED及其封装方法
本专利技术涉及微型LED器件封装，尤其涉及一种微型无基板封装的三基色LED及其封装方法。
技术介绍
传统三基色LED器件封装，基于基板为载体，再将三基色LED芯片装载于基板上，然后进行固晶、键和，再模压封装、切割成型，由于三基色LED芯片装载于基板上，易出现LED芯片与基板之间虚焊等不良问题，同时，长时间使用时易出现LED芯片与基板之间应力失效问题。鉴于上述缺陷，实有必要设计一种微型无基板封装的三基色LED及其封装方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题在于：提供一种微型无基板封装的三基色LED及其封装方法，来解决三基色LED芯片与基板之间虚焊及应力失效的问题。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种微型无基板封装的三基色LED，包括三基色LED芯片、一次塑封层、导电球、二次塑封层，所述的一次塑封层位于三基色LED芯片四周及顶部，所述的一次塑封层与三基色LED芯片固连，所述的导电球位于设置在三基色LED芯片顶部的电极顶部，所述的导电球与电极焊接相连且与一次塑封层固连，所述的二次塑封层位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封层与三基色LED芯片固连。一种微型无基板封装的三基色LED的封装方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)芯片排布：将单个R、G、B三基色LED芯片作为独立单元进行阵列并平放在设有粘接固定膜的平面载板上，所述的三基色LED芯片非电极所在面与平面载板贴合，所述的平面载板平面度≤0.005mm，所述的独立单元内R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；2)植放导电球：将已经排布好的三基色LED芯片的电极上植放导电球，所述的导电球用于导电，所述的导电球厚度为0.005mm-0.08mm；3)一次塑封：采用模封工艺对已植放导电球的三基色LED芯片顶面及侧面进行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料为耐温不小于200℃的不透光塑封料；4)二次塑封：先将平面载板与步骤3)制得的一次塑封芯片板分离，再将分离后的一次塑封芯片板的底面采用模封工艺进行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；5)打磨：使用打磨机对步骤4)制得的二次塑封芯片板顶面进行打磨，打磨至露出三基色LED芯片电极上的导电球截面的1/2-2/3；6)清洗烘干：先使用超声波清洗机对打磨后的二次塑封芯片板进行清洗，再使用烘箱对清洗后的二次塑封芯片板进行烘干，所述的烘干温度为50℃-80℃,烘烤时间为10min-30min；7)分离：先将步骤6)处理后的二次塑封芯片板底面贴上一层粘接固定膜，再使用切割机将二次塑封芯片板上的的各个独立单元相互分离，最后将所述的各个独立单元从粘接固定膜上玻璃，从而制得无基板三基色LED半成品，所述的切割机不切断粘接固定膜；8)测试包装：对步骤7)制得的无基板三基色LED半成品进行光电参数测试，测试合格后进行包装制得无基板三基色LED成品。本专利技术进一步的改进如下：进一步的，所述的三基色LED芯片为透明衬底的双电极LED芯片和倒装LED芯片中的任意一种。有效效果：本专利技术通过对三基色LED芯片以载板为单位模块的方式进行后续工艺，使后续封装生产工艺更简单，所形成的三基色LED芯片之间有不透光的一次塑封层遮挡，不形成光干扰，而三基色LED芯片电极植导电球，在二次塑封完成后再打磨，完全消除三基色LED芯片的厚度与固晶平整度差异，避免了后续LED器件在SMT时因三个芯片厚度差异造成虚焊，提高了平面度的焊接容差性，同时，由于无基板封装，所以也不存在LED芯片与基板之间的虚焊等不良问题，大大提高LED器件的使用可靠性，本专利技术的三基色LED封装尺寸无局限，可以随着三基色LED芯片的切割尺寸的微型化发展与贴装设备的贴装精度提升而同步的微型化。附图说明图1示出本专利技术无基板三基色LED结构示意图图2示出本专利技术流程图三基色LED芯片1一次塑封层2导电球3二次塑封层4电极101具体实施方式实施例1如图1、图2所示，本专利技术的技术方案是：一种微型无基板封装的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封层2、导电球3、二次塑封层4，所述的一次塑封层2位于三基色LED芯片1四周及顶部，所述的一次塑封层2与三基色LED芯片1固连，所述的导电球3位于设置在三基色LED芯片1顶部的电极101顶部，所述的导电球3与电极101焊接相连且与一次塑封层2固连，所述的二次塑封层4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封层4与三基色LED芯片1固连，所述的三基色LED芯片为透明衬底的双电极LED芯片和倒装LED芯片中的任意一种。一种微型无基板封装的三基色LED的封装方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)芯片排布：将单个R、G、B三基色LED芯片作为独立单元进行阵列并平放在设有粘接固定膜的平面载板上，所述的三基色LED芯片非电极所在面与平面载板贴合，所述的平面载板平面度≤0.005mm，所述的独立单元内R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；2)植放导电球：将已经排布好的三基色LED芯片的电极上植放导电球，所述的导电球用于导电，所述的导电球厚度为0.08mm；3)一次塑封：采用模封工艺对已植放导电球的三基色LED芯片顶面及侧面进行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料为耐温不小于200℃的不透光塑封料；4)二次塑封：先将平面载板与步骤3)制得的一次塑封芯片板分离，再将分离后的一次塑封芯片板的底面采用模封工艺进行二次塑封制得二次塑封芯片板，所述的塑封材料透光塑封料；5)打磨：使用打磨机对步骤4)制得的二次塑封芯片板顶面进行打磨，打磨至露出三基色LED芯片电极上的导电球截面的2/3；6)清洗烘干：先使用超声波清洗机对打磨后的二次塑封芯片板进行清洗，再使用烘箱对清洗后的二次塑封芯片板进行烘干，所述的烘干温度为-80℃,烘烤时间为30min；7)分离：先将步骤6)处理后的二次塑封芯片板底面贴上一层粘接固定膜，再使用切割机将二次塑封芯片板上的的各个独立单元相互分离，最后将所述的各个独立单元从粘接固定膜上玻璃，从而制得无基板三基色LED半成品，所述的切割机不切断粘接固定膜；8)测试包装：对步骤7)制得的无基板三基色LED半成品进行光电参数测试，测试合格后进行包装制得无基板三基色LED成品。实施例2如图1、图2所示，本专利技术的技术方案是：一种微型无基板封装的三基色LED，包括三基色LED芯片1、一次塑封层2、导电球3、二次塑封层4，所述的一次塑封层2位于三基色LED芯片1四周及顶部，所述的一次塑封层2与三基色LED芯片1固连，所述的导电球3位于设置在三基色LED芯片1顶部的电极101顶部，所述的导电球3与电极101焊接相连且与一次塑封层2固连，所述的二次塑封层4位于三基色LED芯片1底部，所述的二次塑封层4与三基色LED芯片1固连，所述的三基色LED芯片为透明衬底的双电极LED芯片和倒装LED芯片中的任意一种。一种微型无基板封装的三基色LED的封装方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)芯片排布：将单个R、G、B三基色LED芯片作为独立单元进行阵列并平放在设有粘接固定膜的平面载板上，所述的三基色LED芯片非电极所在面与平面载板贴合，所述的平面载板平面度≤0.005mm，所述的独立单元内R、G本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种微型无基板封装的三基色LED，其特征在于包括三基色LED芯片、一次塑封层、导电球、二次塑封层，所述的一次塑封层位于三基色LED芯片四周及顶部，所述的一次塑封层与三基色LED芯片固连，所述的导电球位于设置在三基色LED芯片顶部的电极顶部，所述的导电球与电极焊接相连且与一次塑封层固连，所述的二次塑封层位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封层与三基色LED芯片固连。

【技术特征摘要】
1.一种微型无基板封装的三基色LED，其特征在于包括三基色LED芯片、一次塑封层、导电球、二次塑封层，所述的一次塑封层位于三基色LED芯片四周及顶部，所述的一次塑封层与三基色LED芯片固连，所述的导电球位于设置在三基色LED芯片顶部的电极顶部，所述的导电球与电极焊接相连且与一次塑封层固连，所述的二次塑封层位于三基色LED芯片底部，所述的二次塑封层与三基色LED芯片固连。2.一种微型无基板封装的三基色LED的封装方法，其特征在于该方法包括以下步骤：1)芯片排布：将单个R、G、B三基色LED芯片作为独立单元进行阵列并平放在设有粘接固定膜的平面载板上，所述的三基色LED芯片非电极所在面与平面载板贴合，所述的平面载板平面度≤0.005mm，所述的独立单元内R、G、B三基色LED芯片呈品字排列；2)植放导电球：将已经排布好的三基色LED芯片的电极上植放导电球，所述的导电球用于导电，所述的导电球厚度为0.005mm-0.08mm；3)一次塑封：采用模封工艺对已植放导电球的三基色LED芯片顶面及侧面进行一次塑封制得的一次塑封芯片板，所述的一次塑封材料为耐温不小于200℃的...

【专利技术属性】
技术研发人员：马洪毅，
申请(专利权)人：安徽巨合电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34