一种分层型量子点LED背光源的制作方法技术

技术编号:15510617 阅读:369 留言:0更新日期:2017-06-04 03:59
本发明专利技术公开了一种分层型量子点LED背光源的制作方法,首先制作荧光胶A,并将荧光胶A涂覆于LED透镜的表面,然后制备荧光胶B,并将荧光胶B涂覆于荧光胶A表面,最后在荧光胶B表面涂覆一层光固化胶水作为保护层,得到分层型的LED透镜,最后将LED透镜固定于LED灯条上,LED灯条发出的光与荧光胶A、荧光胶B发出的光复合得到白光。与传统背光源相比,量子点材料的半波宽较窄,极大提升了LED背光源的色域值,本发明专利技术所述的制作方法制得的LED背光源色域值可达NTSC 95%以上,且所述方法工艺简单、生产成本低廉。并且所述层状结构荧光胶解决了现有技术中直接将多种荧光材料混合相互反应破坏量子点荧光粉的结构、造成光衰的问题。

Method for making layered quantum dot LED backlight source

The invention discloses a method for manufacturing a layered type quantum dot LED backlight, produced the first fluorescent glue A, and fluorescent glue is coated on the surface of A LED lens, then the preparation of fluorescent glue B and fluorescent glue is coated on the surface of A B fluorescent glue, the glue B surface coated with a layer of fluorescent light solid glue as a protective layer, LED layer type lens, the lens is fixed on the LED LED lights, LED lights emit light and fluorescent glue, glue A fluorescent light emitted by the B composite by white. Compared with the traditional backlight, quantum dots half wave width is narrow, greatly enhance the value of the color gamut of LED backlight, LED backlight color gamut produced with the method of the invention have the value of NTSC can reach more than 95%, and the method is simple, the production cost is low. And the layered structure of fluorescent glue solves the direct mixture of fluorescent material interactions destroy quantum dot fluorescent powder structure, causing decay problem.

【技术实现步骤摘要】
一种分层型量子点LED背光源的制作方法
本专利技术属于LED背光源
,涉及一种量子点LED背光源的制作方法,具体地说涉及一种分层型量子点LED背光源的制作方法。
技术介绍
目前,大多数显示装置都是通过背光源结构照射液晶屏实现图像显示的,背光源的发光特性直接影响显示装置的显示画面质量。近些年随着全球能源危机和人们节能环保意识的逐步增强,大量节能环保材料走进了我们的生活。其中发光二极管(LED)由于具有能耗低、产热少、寿命长等优点正在逐渐取代传统的CCFL照明材料,成为新一代的背光源材料。特别是高色域的LED背光源使应用其的电视、手机、平板电脑等电子产品屏幕具有更加鲜艳的颜色,色彩还原度更高。LED材料中,荧光粉发光材料已被广泛应用于LED照明和显示中,最常见的LED背光源采用蓝光芯片激发YAG黄光荧光粉的形式,因背光源中缺少红光成分,色域值只能达到NTSC65%~72%。为了进一步提高色域值,技术人员普遍采用了蓝光芯片同时激发红光荧光粉、绿光荧光粉的方式,但由于现用荧光粉的半波宽较宽,故即使采用这种方式,也只能将背光源的色域值提升至NTSC80%左右。同时,现有荧光粉的激发效率低,为实现高色域白光需要大量荧光粉,导致LED封装过程中荧光粉的浓度(荧光粉占封装胶水的比例)很高,从而极大地增加了封装作业的难度以及产品的不良率,同时荧光粉还存在光衰大、颗粒均匀度差、使用寿命短的问题。为解决荧光粉的上述问题,近年来,量子点材料逐渐受到重视,特别是量子点荧光粉具有光谱随尺寸可调、发射峰半波宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能,受到LED背光行业的广泛关注。目前,量子点荧光粉实现高色域白光的方式主要有:(1)将量子点荧光粉制成光学膜材,填充于导光板或者贴于液晶屏幕内,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得白光;(2)将量子点荧光粉制成玻璃管,置于屏幕侧面,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得白光。但是,这两种实现方式的工艺复杂、光转化效率低、成本较高,很难实现大规模产业化,且现有技术得到的量子点LED背光源色域值较低。
技术实现思路
为此,本专利技术所要解决的技术问题在于现有量子点LED背光源生产工艺复杂、成本高、光转化效率和色域值低,从而提出一种易于生产、成本低廉、良率高、发光效果好的分层量子点LED背光源的制作方法。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案为:本专利技术提供一种分层型量子点LED背光源的制作方法,其包括如下步骤:a、向发光材料A中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶A,所述光固化胶水与所述发光材料A的质量比为1-300:1;b、将所述荧光胶A涂覆于LED背光源中LED透镜的内表面或外表面,并使所述荧光胶固化;c、向发光材料B中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶B,所述光固化胶水与所述发光材料B的质量比为1-300:1;d、将所述荧光胶B涂覆于所述荧光胶A表面,并使所述荧光胶B固化;e、在所述荧光胶B表面涂覆一层光固化胶水,并使所述光固化胶水固化,得到分层结构的LED透镜;其中,所述发光材料A和/或发光材料B包括量子点荧光粉。作为优选,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种,作为优选,所述发光材料A和/或发光材料B还包括稀土元素掺杂的无机荧光粉。作为优选,所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。作为优选,所述发光材料A和所述发光材料B的发射光峰值波长为450-660nm。作为优选,涂覆于所述LED透镜表面的荧光胶A厚度为3-300μm,所述荧光胶A经230-400nm的紫外光照射3-100s固化。作为优选,所述荧光胶B的涂覆厚度为3-300μm,所述荧光胶B经230-400nm的紫外光照射3-100s固化。作为优选,所述步骤c中,所述光固化胶水的涂覆厚度为10-1000μm,所述光固化胶水经230-400nm的紫外光照射5-200s固化。作为优选,所述步骤e后还包括步骤f:将所述LED透镜固定于LED单色灯条上,所述LED单色灯条中的灯珠只有发光芯片发光。作为优选,所述发光芯片为发光峰值波长230-400nm的紫外芯片或发光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:(1)本专利技术所述的分层型量子点LED背光源的制作方法,首先制作荧光胶A,并将荧光胶A涂覆于LED透镜的表面,然后制备荧光胶B,并将荧光胶B涂覆于荧光胶A表面,最后在荧光胶B表面涂覆一层光固化胶水作为保护层,得到分层型的LED透镜,最后将LED透镜固定于LED灯条上,LED灯条发出的光与荧光胶A、荧光胶B发出的光复合得到白光。与传统背光源相比,量子点材料的半波宽较窄,极大提升了LED背光源的色域值,本专利技术所述的制作方法制得的LED背光源色域值可达NTSC95%以上,且所述方法工艺简单、生产成本低廉。并且所述层状结构荧光胶解决了现有技术中直接将多种荧光材料混合(尤其是多种量子点荧光材料混合)相互反应破坏量子点荧光粉的结构、造成光衰的问题。(2)本专利技术所述的分层型量子点LED背光源的制作方法,所述步骤e后还包括步骤f:将所述LED透镜固定于LED单色灯条上,所述LED单色灯条中的灯珠只有发光芯片发光。将荧光胶涂覆于LED透镜,并在荧光胶表面涂覆光固化胶保护层,可使量子点荧光粉远离发光芯片,防止了量子点荧光粉受发光芯片的高温影响造成光衰,显著提高了背光源的可靠性,同时,量子点荧光粉可以保持较高的激发效率,且荧光胶层涂覆厚度可控,灯珠中只有发光芯片发光,封装过程中无需添加荧光粉,降低了封装作业的难度和产品的不良率,从而降低了背光源的生产成本,适合大批量工业化生产。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解,下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图,对本专利技术作进一步详细的说明,其中图1是本专利技术实施例1所述的LED背光源的结构示意图;图2是本专利技术实施例2所述的LED背光源的结构示意图;图中附图标记表示为:1-支架;2-金属镀层;3-发光芯片;4-键合线;5-封装胶水层;6-LED透镜;7-荧光胶层A;8-荧光胶层B;9-光固化胶保护层。具体实施方式实施例1本专利技术提供一种分层型量子点LED背光源的制作方法,所述方法包括如下步骤:a、称取0.04g发光材料A,所述发光材料A为发射光波长542nm的InAs、InN绿光量子点荧光粉,其中所述InAs量子点荧光粉的质量为0.02g,称取0.04g聚氨酯类光固化胶水加入所述发光材料A中,进行真空脱泡搅拌,得到量子点荧光胶A,所述量子点荧光粉为粉末状,其也可为溶剂分散状;b、将所述荧光胶A涂覆于LED背光源中LED透镜的外表面,涂覆的荧光胶A厚度为3μm,将涂覆有荧光胶A的LED透镜置于紫外固化炉中,在230nm的紫外光下照射3s,使所述荧光胶A固化;c、称取0.57g发光材料B,所述发光本文档来自技高网
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一种分层型量子点LED背光源的制作方法

【技术保护点】
一种分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:a、向发光材料A中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶A,所述光固化胶水与所述发光材料A的质量比为1‑300:1;b、将所述荧光胶A涂覆于LED背光源中LED透镜的内表面或外表面,并使所述荧光胶固化;c、向发光材料B中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶B,所述光固化胶水与所述发光材料B的质量比为1‑300:1;d、将所述荧光胶B涂覆于所述荧光胶A表面,并使所述荧光胶B固化;e、在所述荧光胶B表面涂覆一层光固化胶水,并使所述光固化胶水固化,得到分层结构的LED透镜;其中,所述发光材料A和/或发光材料B包括量子点荧光粉。

【技术特征摘要】
1.一种分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:a、向发光材料A中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶A,所述光固化胶水与所述发光材料A的质量比为1-300:1;b、将所述荧光胶A涂覆于LED背光源中LED透镜的内表面或外表面,并使所述荧光胶固化;c、向发光材料B中加入光固化胶水并将二者混合均匀,得到荧光胶B,所述光固化胶水与所述发光材料B的质量比为1-300:1;d、将所述荧光胶B涂覆于所述荧光胶A表面,并使所述荧光胶B固化;e、在所述荧光胶B表面涂覆一层光固化胶水,并使所述光固化胶水固化,得到分层结构的LED透镜;其中,所述发光材料A和/或发光材料B包括量子点荧光粉。2.根据权利要求1所述的分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。3.根据权利要求2所述的分层型量子点LED背光源的制作方法,其特征在于,所述发光材料A和/或发光材料B还包括稀土元素掺杂的无机荧光粉。4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:张志宽高丹鹏邢其彬王欣荣王旭改
申请(专利权)人:深圳市聚飞光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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