一种直下式LED背光源的制作方法技术

技术编号:15510615 阅读:145 留言:0更新日期:2017-06-04 03:59
本发明专利技术公开了一种直下式LED背光源的制作方法,首先将含有量子点荧光粉的混合荧光粉与光固化胶水混合得到量子点荧光胶,然后将量子点荧光胶涂覆于LED背光源中LED透镜的表面,荧光胶固化后在荧光胶表面涂覆光固化胶水保护层,该方法制作工艺简单,采用量子点材料制作的量子点荧光胶半波宽较窄,可以极大提高LED背光源的色域至,本发明专利技术得到的直下式LED背光源色域值可达到NTSC 97%以上,同时该工艺得到的光源光转化效率高、生产成本低廉。同时,光固化胶水保护层可以有效减少湿气、氧气对量子点材料的侵蚀,而且避免了量子点材料直接接触发光芯片,不易受到发光芯片的高温影响,提高了LED光源的可靠性。

Method for making straight down type LED backlight source

The invention discloses a method for manufacturing a direct type LED backlight source, first with the quantum dot fluorescent powder mixed fluorescent powder and light cured glue mixing quantum dot fluorescent glue, and then glue is coated on the surface of quantum dots in LED backlight LED lens, fluorescent glue solidified in fluorescent glue coating light curing glue protective layer, this method has the advantages of simple manufacturing process, using quantum dots made of fluorescent glue half wave width is narrow, can greatly improve the LED backlight color gamut to the direct type LED backlight color value can reach above 97% NTSC, at the same time the process of the light source high conversion efficiency and low production cost. At the same time, light cured glue protective layer can effectively reduce the moisture, erosion of oxygen on quantum dots, quantum dots and avoid direct contact with the light emitting chip, not easily affected by the heat of the light emitting chip, improve the reliability of the LED light source.

【技术实现步骤摘要】
一种直下式LED背光源的制作方法
本专利技术属于LED背光源
,涉及一种LED背光源的制作方法,具体地说涉及一种直下式LED背光源的制作方法。
技术介绍
与传统的CCFL背光源相比,LED背光具有高色域、高亮度、长寿命、节能环保、实时色彩可控等诸多优点,特别是高色域的LED背光源使应用其的电视、手机、平板电脑等电子产品屏幕具有更加鲜艳的颜色,色彩还原度更高。进入二十一世纪以来,背光源技术发展迅速,不断有新技术、新产品推出,LED背光已成为市场主流。目前常用的LED背光源通常采用蓝光芯片激发YAG黄光荧光粉的形式,但是因背光源中缺少红光成分,色域值只能达到NTSC65%~72%。为了进一步提高色域值,技术人员普遍采用蓝光芯片同时激发红光荧光粉、绿光荧光粉的方式,但由于现用荧光粉的半波宽较宽,故即使采用这种方式,也只能将背光源的色域值提升至NTSC80%左右。同时,现有荧光粉的激发效率低,为实现高色域白光需要大量荧光粉,导致LED封装过程中荧光粉的浓度(荧光粉占封装胶水的比例)很高,从而极大地增加了封装作业的难度以及产品的不良率。近年来,量子点材料逐渐受到重视,特别是量子点荧光粉具有光谱随尺寸可调、发射峰半波宽窄、斯托克斯位移大、激发效率高等一系列独特的光学性能,受到LED背光行业的广泛关注。目前,量子点荧光粉实现高色域白光的方式主要有:(1)将量子点荧光粉制成光学膜材,填充于导光板或者贴于液晶屏幕内,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得高色域白光;(2)将量子点荧光粉制成玻璃管,置于屏幕侧面,通过蓝光或紫外光背光灯珠激发,获得高色域白光。这两种实现方式已有相关产品推出,例如TCL的量子点膜电视。但是,这两种实现方式的工艺复杂、光转化效率低、成本较高,很难实现大规模产业化。
技术实现思路
为此,本专利技术所要解决的技术问题在于现有技术中量子点发光器件存在制作工艺复杂、光转化效率低、生产成本高的技术瓶颈,从而提出一种制作工艺简单、光转化效率高、成本低廉的直下式LED背光源的制作方法。为解决上述技术问题,本专利技术的技术方案为:本专利技术提供一种直下式LED背光源的制作方法,其包括如下步骤:a、将至少两种荧光粉按照任意比例混合均匀,得到混合荧光粉,其中,至少一种荧光粉为量子点荧光粉;b、向所述混合荧光粉中加入光固化胶水,所述光固化胶水与所述混合荧光粉的质量比为1-300:1,混合均匀后得到量子点荧光胶;c、将所述量子点荧光胶涂覆于LED透镜的内表面或外表面,并将所述量子点荧光胶固化;d、在步骤c中得到的固化后的量子点荧光胶表面涂覆光固化胶水,并将所述光固化胶水固化,得到具有保护层的量子点透镜。作为优选,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。作为优选,所述荧光粉的发射光峰值波长为430-660nm。作为优选,所述混合荧光粉中除量子点荧光粉之外的荧光粉为量子点荧光粉或稀土元素掺杂的无机荧光粉。作为优选,所述无机荧光粉为硅酸盐、铝酸盐、磷酸盐、氮化物、氟化物荧光粉中的至少一种。作为优选,所述光固化胶水为环氧类封装胶、有机硅类封装胶、聚氨酯封装胶中的至少一种。作为优选,还包括步骤e、将所述量子点透镜安装于LED单色光灯条上,所述LED单色光灯条中仅发光芯片发光,所述发光芯片为发射光峰值波长230-400nm的紫外芯片,或所述发光芯片为发射光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。作为优选,所述步骤c中量子点荧光胶的涂覆厚度为5-500μm,所述量子点荧光胶在230-400nm的紫外光下照射3-100s固化。作为优选,所述步骤d中光固化胶水的涂覆厚度为10-1000μm,所述光固化胶水在230-400nm的紫外光下照射5-200s固化。作为优选,所述量子点荧光粉为粉末状或溶剂分散状。本专利技术的上述技术方案相比现有技术具有以下优点:(1)本专利技术所述的直下式LED背光源的制作方法,首先将含有量子点荧光粉的混合荧光粉与光固化胶水混合得到量子点荧光胶,然后将量子点荧光胶涂覆于LED背光源中LED透镜的表面,荧光胶固化后在荧光胶表面涂覆光固化胶水保护层,该方法制作工艺简单,采用量子点材料制作的量子点荧光胶半波宽较窄,可以极大提高LED背光源的色域至,本专利技术得到的直下式LED背光源色域值可达到NTSC97%以上,同时该工艺得到的光源光转化效率高、生产成本低廉。同时,光固化胶水保护层可以有效减少湿气、氧气对量子点材料的侵蚀,而且避免了量子点材料直接接触发光芯片,不易受到发光芯片的高温影响,提高了LED光源的可靠性。(2)本专利技术所述的直下式LED背光源的制作方法,还包括步骤e、将所述量子点透镜安装于LED单色光灯条上,所述LED单色光灯条中发光芯片为发射光峰值波长230-400nm的紫外芯片,或所述发光芯片为发射光峰值波长420-480nm的蓝光芯片。所述LED灯条的灯珠中只有发光芯片发光,灯珠在封装时未加入荧光粉,LED芯片发出的光与量子点荧光胶中的量子点材料和其它发光材料发出的光复合得到白光,量子点荧光材料激发效率高、荧光胶涂覆厚度可控,灯珠在封装过程中不加入荧光粉,降低了封装作业的难度和产品不良率,进而降低了生产成本,适合大批量工业化生产。附图说明为了使本专利技术的内容更容易被清楚的理解,下面根据本专利技术的具体实施例并结合附图,对本专利技术作进一步详细的说明,其中图1是本专利技术实施例1所述的直下式LED背光源的结构示意图;图2是本专利技术实施例2所述的直下式LED背光源的结构示意图。图中附图标记表示为:1-支架;2-金属镀层;3-发光芯片;4-键合线;5-封装胶水层;6-LED透镜;7-量子点荧光胶层;8-光固化胶保护层。具体实施方式实施例1本实施例提供一种直下式LED背光源的制作方法,所述方法包括如下步骤:a、称取0.02g发光波长为620nm的CdTe、ZnSe量子点荧光粉,其中CdTe量子点荧光粉为0.01g,并称取0.013g发射光峰值波长为545nm的PbZrO3绿光量子点荧光粉,将三种量子点荧光粉混合均匀,得到混合荧光粉,所述量子点荧光粉为粉末状;b、称取9.9g环氧类光固化胶水并加入所述混合荧光粉中,然后进行真空搅拌,搅拌均匀即获得量子点荧光胶;c、将所述量子点荧光胶涂覆于LED透镜的内表面,本实施例中,所述量子点荧光胶的涂覆厚度为5μm,并将所述LED透镜置于紫外固化炉中,在230nm的紫外光下照射3s,使量子点荧光胶固化;d、在步骤c中得到的固化后的量子点荧光胶表面涂覆环氧类光固化胶水,所述光固化胶水的涂覆厚度为10μm,将涂覆有光固化胶水的LED透镜再次置于紫外固化炉中,在230nm的紫外光下照射5s,使所述光固化胶水固化,得到具有光固化胶保护层的量子点透镜;e、将步骤d中得到的量子点透镜固定安装于LED单色光灯条上,所述LED单色光灯条具有发射光波长为420nm的蓝光发光芯片,所述发光芯片发出的篮光与本文档来自技高网
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一种直下式LED背光源的制作方法

【技术保护点】
一种直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:a、将至少两种荧光粉按照任意比例混合均匀,得到混合荧光粉,其中,至少一种荧光粉为量子点荧光粉;b、向所述混合荧光粉中加入光固化胶水,所述光固化胶水与所述混合荧光粉的质量比为1‑300:1,混合均匀后得到量子点荧光胶;c、将所述量子点荧光胶涂覆于LED透镜的内表面或外表面,并将所述量子点荧光胶固化;d、在步骤c中得到的固化后的量子点荧光胶表面涂覆光固化胶水,并将所述光固化胶水固化,得到具有保护层的量子点透镜。

【技术特征摘要】
1.一种直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:a、将至少两种荧光粉按照任意比例混合均匀,得到混合荧光粉,其中,至少一种荧光粉为量子点荧光粉;b、向所述混合荧光粉中加入光固化胶水,所述光固化胶水与所述混合荧光粉的质量比为1-300:1,混合均匀后得到量子点荧光胶;c、将所述量子点荧光胶涂覆于LED透镜的内表面或外表面,并将所述量子点荧光胶固化;d、在步骤c中得到的固化后的量子点荧光胶表面涂覆光固化胶水,并将所述光固化胶水固化,得到具有保护层的量子点透镜。2.根据权利要求1所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述量子点荧光粉为BaS、AgInS2、NaCl、Fe2O3、In2O3、InAs、InN、InP、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaAs、GaN、GaS、GaSe、InGaAs、MgS、MgSe、MgTe、PbS、PbSe、PbTe、Cd(SxSe1-x)、BaTiO3、PbZrO3、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPbI3中的至少一种。3.根据权利要求2所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述荧光粉的发射光峰值波长为430-660nm。4.根据权利要求3所述的直下式LED背光源的制作方法,其特征在于,所述混合荧光...

【专利技术属性】
技术研发人员:张志宽高丹鹏邢其彬周世官王旭改
申请(专利权)人:深圳市聚飞光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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