An exemplary embodiment of the present invention provides a light-emitting diode (LED) chip and a method of manufacturing the LED chip. The LED chip according to exemplary embodiments includes a substrate, a light emitting structure disposed on the substrate, and an alternating laminated bottom structure disposed below the substrate. The alternating laminated bottom structure includes a plurality of dielectric pairs, each dielectric pair including a first material layer having a first refractive index and a second material layer having a second refractive index, having a first refractive index ratio of second and a large refractive index.
【技术实现步骤摘要】
发光二极管及其制造方法
本专利技术的示例性实施例涉及一种发光二极管芯片及其制造方法,更具体地讲,涉及一种具有提高的发光效率的发光二极管芯片及其制造方法。
技术介绍
氮化镓(GaN)基蓝或紫外(UV)发光二极管(LED)应用范围广泛。具体地讲,发射混合颜色的光(例如,白光)的各种类型的LED封装件已经应用于背光单元和一般照明等。由于LED封装件的光学功率通常依赖于LED芯片的发光效率,因此对具有提高的发光效率的LED芯片的研发集中进行了大量研究。例如,为了改善光提取效率,在LED芯片的发光平面上可以形成粗糙的表面,或者可以调整透明基底或外延层的形状。可选择地,诸如Al的金属反射器可以设置在与发光平面相对的芯片安装平面上,以反射向芯片安装平面传播的光,这可以提高发光效率。即,金属反射器可以用于反射光并减少光学损失,从而提高发光效率。然而,反射金属可能因氧化而使反射率劣化,所以金属反射器可能具有相对低的反射率。因此,近期研究已经集中于利用交替地逐个堆叠的具有不同折射率的材料的层压件的反射层的高反射率和相对稳定的反射特性两者。然而,这样的交替层压结构在窄的波长带内会具有高的反射率,而在其他波长带内会具有低的反射率。因此,对于利用通过磷光体等进行波长转换的光以发射白光的LED封装件,交替层压结构可能不能对于经受波长转换的光提供有效的反射特性,并且在提高LED封装件的发光效率方面会具有有限的能力。此外,交替层压结构可以对垂直入射光展现出高反射率,但是可能对具有相对大的入射角的光展现出相对低的反射率。可以通过增加在交替层压结构中堆叠的层的总数并调整各个层的厚度来加宽具有 ...
【技术保护点】
一种发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括:基底;发光结构,布置在基底上,发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层;以及交替层压底部结构,基底布置在交替层压底部结构上,交替层压底部结构包括多个电介质对,每个电介质对包括包含第一折射率的第一材料层和包含第二折射率的第二材料层,第一折射率比第二折射率大,所述多个电介质对包括:多个第一电介质对,每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4;至少两个第二电介质对,每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4,另一个材料层的光学厚度大于λ/4;以及多个第三电介质对,每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4,其中,λ是可见光范围的中心波长。
【技术特征摘要】
2010.12.24 KR 10-2010-01345841.一种发光二极管芯片,所述发光二极管芯片包括:基底;发光结构,布置在基底上,发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层;以及交替层压底部结构,基底布置在交替层压底部结构上,交替层压底部结构包括多个电介质对,每个电介质对包括包含第一折射率的第一材料层和包含第二折射率的第二材料层,第一折射率比第二折射率大,所述多个电介质对包括:多个第一电介质对,每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4;至少两个第二电介质对,每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4,另一个材料层的光学厚度大于λ/4;以及多个第三电介质对,每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层,第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4,其中,λ是可见光范围的中心波长。2.如权利要求1所述的发光二极管芯片,其中,所有第一电介质对比第三电介质对中的任意电介质靠近或远离基底。3.如权利要求2所述的发光二极管芯片,其中,所述至少两个第二电介质对将所述多个第一电介质对与...
【专利技术属性】
技术研发人员:许暋赞,陈相奇,金钟奎,慎镇哲,李晓罗,李剡劤,
申请(专利权)人:首尔伟傲世有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国,KR
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