The invention discloses a non-polar a surface AlN film based on a r surface SiC substrate, mainly solving the problems that the prior non-polar a surface AlN film has complex preparation process, long production cycle and high cost. The utility model comprises: 200 500 m thick R SiC substrate layer, 50 150nm thick GaN nucleation layer, 1000 8000nm thick Al group graded AlGaN layer and 1500 3000Nm thick nonpolar a face AlN layer, wherein the surface r surface SiC substrate layer is composed of diamond films polished substrate of stripe formation, to improve the quality of AlN materials; Al group Al group graded AlGaN layer from 5% to 100% in order to reduce the gradient and stress of AlN materials. The invention does not need photolithography, shortens the manufacturing cycle and reduces the cost cost, and can be used for making non-polar a surface AlN based ultraviolet and deep ultraviolet semiconductor devices.
【技术实现步骤摘要】
基于r面SiC图形衬底的非极性a面AlN薄膜及其制备方法
本专利技术属于微电子
,特别涉及一种AlN薄膜的制备方法,可用于制作非极性a面AlN基的紫外和深紫外半导体器件。技术背景Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,如AlN基、GaN基、InN基等半导体材料,它们的禁带宽度往往差异较大,比如AlN为6.2eV、GaN为3.42eV、InN为0.7eV,因此人们通常利用这些Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料形成各种异质结结构。特别是InGaN材料体系在蓝光LED上取得了巨大的成功,2014年赤崎勇、天野昊和中村修二因为在蓝光LED方面的巨大贡献而获得了诺贝尔物理学奖。此外,AlGaN体系的材料由于禁带宽度很大,发光波长很小,如果调节Ga和Al的比例,可以使发光波长覆盖到紫外和深紫外,由于这种特点,因此AlN相关的材料及器件是目前的研究热点。常规AlN材料主要是在极性c面Al2O3和SiC生长的,主要是利用其AlGaN/AlN异质结界面处的高密度和高电子迁移率的二维电子气来实现高电子迁移率晶体管。这种二维电子气是由于异质结中较大的导带不连续性以及较强的极化效应产生的,这种极化效应在光电器件当中是有较大危害的,由于极化引起的内建电场的存在使能带弯曲、倾斜,并使能级位置发生变化,强大的极化电场还会使正负载流子在空间上分离,电子与空穴波函数的交迭变小,使材料的发光效率大大的降低。然而在a面非极性AlN材料中则不存在这种极化效应,因此在非极性a面制作LED有较为广阔的前景。SiC衬底材料由于和AlN之间具有更小的晶格失配,可以在SiC衬底上生长AlN材料,但SiC衬底和AlN之间 ...
【技术保护点】
一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜,自下而上包括:r面SiC衬底层、GaN成核层、AlGaN层和a面AlN层,其特征在于:r面SiC衬底层,其表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿状衬底条纹;AlGaN层采用Al组分从5%渐变至100%的渐变AlGaN层。
【技术特征摘要】
1.一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜,自下而上包括:r面SiC衬底层、GaN成核层、AlGaN层和a面AlN层,其特征在于:r面SiC衬底层,其表面设有通过金刚石砂纸打磨形成的锯齿状衬底条纹;AlGaN层采用Al组分从5%渐变至100%的渐变AlGaN层。2.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于:GaN成核层的厚度为50-150nm。3.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于:Al组分渐变AlGaN层的厚度为1000-8000nm。4.根据权利要求1所述的薄膜,其特征在于:a面AlN层的厚度为1500-3000nm。5.一种基于r面SiC衬底的非极性a面AlN薄膜制备方法,包括如下步骤:(1)将r面SiC衬底水平放置,再将金刚石砂纸放置在衬底表面,在金刚石砂纸上施加3-20牛顿的力在SiC衬底上打磨出平行于SiC衬底基准边的条纹图案或垂直于SiC衬底基准边的锯齿状图案;(2)将打磨后的r面SiC衬底依次放入HF酸、丙酮溶液、无水乙醇溶液和去离子水中各超声清洗5-15min,最后用氮气吹干;(3)将清洗后的r面SiC衬底置于金属有机物化学气相淀积MOCVD反应室中,先将反应室的真空度降低到小于2×102...
【专利技术属性】
技术研发人员:许晟瑞,赵颖,彭若诗,张进成,林志宇,樊永祥,姜腾,郝跃,
申请(专利权)人:西安电子科技大学,
类型:发明
国别省市:陕西,61
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