The invention discloses a method for preparing a composite can be multiple light and monochromatic light LED chip, which comprises the following steps: patterned sapphire substrate in epitaxial growth furnace in MOCVD growth by two step, Mr. long P GaN contact layer, continue in type P GaN contact layer structure on growth of P type AlGaN the barrier layer, and the growth of the active region of GaN/InyGa1 consisting of yN, the last growth of N type GaN contact layer; through photolithography, etching and lithography, metal plating NP Ni/Cu, stripping and cleaning, finally deposited on the surface of SiO chip
【技术实现步骤摘要】
一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法
本专利技术涉及LED芯片
,尤其涉及一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法。
技术介绍
目前,LED行业相对成熟,都是通过生长发光材料形成单PN,利用PN在电流注入复合过程中发光,波长从300nm左右的紫外光到波长610nm左右的红光,都已经有成熟的技术进行生产,但一直没有LED芯片可以产生两种及两种以上的波长LED芯片,究其原因就在于LED芯片的发光层一旦生长完毕后,LED芯片的发光材料的禁带宽度就已经确定,禁带宽度绝对波长,所以一般一颗LED芯片一般只能发出一种光;纵使市场有多个波长LED芯片同时发光或者间隔发光的需求,也是将不同波长的LED芯片在封装的过程中通过打焊互联实现或者是通过激发其他材料发光方式实现,如蓝光封白光就是通过激发荧光粉产生绿色和红色光,最终产生白光。由于单颗芯片的颜色只能是一种,颜色单一,所以多种芯片组合使用,会使芯片成本翻倍;现有技术中,在白光通过封装制作白光中,激发红光效率较低,在实际应用过程中,往往为了提高显色指数就意味着牺牲光效,且各波长光的占比百分比不容易控制;而蓝光封白光工作中,一旦封装完成,色温固定,不可调芯片工作电流增大,光效也慢慢下降。基于上述陈述,本专利技术提出了一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法。
技术实现思路
本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法。一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法,包括以下步骤:S1、NP-PN外延结构的生长;S11、将图形化蓝宝石衬底放入外延 ...
【技术保护点】
一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、NP‑PN外延结构的生长;S11、将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中,采用有缓冲buffer层的外延程序生长,生长采用氢气作为载气,使用Ga源、In源、N源和P型掺杂剂、N型掺杂剂,衬底在反应室内经过高温热处理去除表面杂质;S12、采用二步法生长,先生长一层10~50nm的低温GaN缓冲层buffer,然后升温生长4μm的N型GaN材料。 LED结构的样品在此基础上继续生长由1~100个周期InxGa1‑xN/GaN构成的有源区量子阱,其上是10~50nm的P型AlGaN电子阻挡层,最后生长400nm~550nm的P型GaN接触层;S13、继续在步骤S2中的结构上面生长10~50nm的P型AlGaN电子阻挡层,然后生长1~100个周期的GaN/InyGa1‑yN构成的有源区,最后生长200nm~400nm的N型GaN接触层;S2、芯片制程;S21、完成步骤S1中的外延生长后,分别通过mesa‑1光刻、mesa‑1刻蚀和通过mesa‑2光刻、mesa‑2刻蚀,然后通过NP光刻、镀金属Ni/Cu后,剥 ...
【技术特征摘要】
1.一种可发多种复合光及单色光LED芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、NP-PN外延结构的生长;S11、将图形化蓝宝石衬底放入外延生长炉MOCVD中,采用有缓冲buffer层的外延程序生长,生长采用氢气作为载气,使用Ga源、In源、N源和P型掺杂剂、N型掺杂剂,衬底在反应室内经过高温热处理去除表面杂质;S12、采用二步法生长,先生长一层10~50nm的低温GaN缓冲层buffer,然后升温生长4μm的N型GaN材料。LED结构的样品在此基础上继续生长由1~100个周期InxGa1-xN/GaN构成的有源区量子阱,其上是10~50nm的P型AlGaN电子阻挡层,最后生长400nm~550nm的P型GaN接触层;S13、继续在步骤S2中的结构上面生长10~50nm的P型AlGaN电子阻挡层,然后生长1~100个周期的GaN/InyGa1-yN构成的有源区,最后生长200nm~400nm的N型GaN接触层;S2、芯片制程;S21、完成步骤S1中的...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯想,
申请(专利权)人:福建中晶科技有限公司,
类型:发明
国别省市:福建,35
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