The invention discloses a AlInGaN multiple quantum well light emitting diode epitaxial structure, comprising: a substrate material; GaN based semiconductor stack layer laminated on the substrate, the semiconductor layer comprises at least one layer of N type AlInGaN based semiconductor layer, a layer of P type AlInGaN based on semi conductor layer and clip between N and P multiple quantum well layer light emitting active layer; the utility model is characterized in MQW active layer, forbidden band width of the quantum barrier n quantum well before the quantum barrier or the N quantum barrier quantum well before 1 or N, n 1 quantum well before than others quantum barrier. The invention improves the electron injection barrier of the main light wells, but also improve the main light wells overflow hole barrier; can improve the main light emitting electron hole trap matching, reduce electron leakage, improve the efficiency of sag effect, so as to improve the quantum efficiency of LED.
【技术实现步骤摘要】
一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构
本专利技术涉及半导体照明
,尤其是涉及一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构。
技术介绍
随着材料生长和器件工艺水平的不断发展与完善,InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的光电性能取得了突破性进展,使其逐渐应用于仪器工作指示、交通信号灯、大屏幕显示、照明等领域。然而,尽管已经取得了长足进步,GaN基LED仍存在许多问题,这阻碍了其进一步的推广应用。随电流密度增大,LED的内量子效率(IQE)急剧降低的现象便是其中最主要的问题之一,该现象被称为IQE骤降效应。关于GaN基LED效率骤降起因的研究很多,主要可归结为以下两种机理:(1俄歇复合。作为一种非辐射复合,其速率与载流子浓度的立方成正比;随着载流子浓度的增大,俄歇复合会逐渐占据主导地位,造成LED效率下降。(2电子泄露。相比空穴,电子迁移率大得多,随着电子浓度增大,量子阱限制效果降低,电子更容易溢出;另外,由于Mg在GaN中的激活效率很低,难以获得高空穴浓度的P型GaN,导致注入到量子阱中的空穴浓度低于电子,过剩的电子累积下来就会很容易溢出量子阱,造成效率损失;在大的电流密度下,电子浓度往往高于空穴浓度数倍,空穴与电子的不匹配程度更高,载流子溢出更严重,因而产生效率骤降。因此,要减少电子泄露,除了要降低电子浓度以外,还应增加空穴浓度,提高空穴与电子的匹配度。由于俄歇复合是材料的内在特性,难以消除,唯一可行的方法是通过加大有源区的体积降低载流子浓度,以减轻俄歇复合。通常是增加阱宽来加大有源区体积,但阱宽增大会导致材料生长质量变差以及 ...
【技术保护点】
一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构,包含:一个用于材料生长的衬底;在该衬底上层叠有AlInGaN基半导体叠层,该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN半导体层、一层P型AlInGaN半导体层和夹于N型AlInGaN半导体层、P型AlInGaN半导体层之间的AlInGaN多量子阱发光有源层,其特征在于:在多量子阱发光有源层中,第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。
【技术特征摘要】
1.一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构,包含:一个用于材料生长的衬底;在该衬底上层叠有AlInGaN基半导体叠层,该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN半导体层、一层P型AlInGaN半导体层和夹于N型AlInGaN半导体层、P型AlInGaN半导体层之间的AlInGaN多量子阱发光有源层,其特征在于:在多量子阱发光有源层中,第n量子阱前的量子垒或第n-1量子阱前的量子垒或第n、n-1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。2.根据权利要求1所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构,其特征在于:AlInGaN多量子阱发光有源层的量子阱周期个数n为4到18个。3.根据权利要求2所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构,其特征在于:除第n量子阱前的量子垒或第n-1量子阱前的量子垒或第n、n-1量子阱前的量子垒外,其他量子垒为GaN或InxGa1-xN(0≤x≤0.1)材料。4.根据权利要求3所述的A...
【专利技术属性】
技术研发人员:莫春兰,全知觉,江风益,陶喜霞,刘军林,王光绪,
申请(专利权)人:南昌大学,南昌黄绿照明有限公司,
类型:发明
国别省市:江西,36
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。