The present invention relates to the technical field of solar cell preparation, in particular to a solar cell low pressure diffusion process and diffusion process in the low state, the impurity source in the furnace chamber distribution of low vapor pressure, improve the molecular free path of impurities, improve flow field stability, greatly improve the uniformity of crystal silicon diffusion the improvement of resistance uniformity, conversion of crystal silicon solar battery manufacture high efficiency, simple operation, high yield, and chemicals and special gas loss cost is greatly reduced, multi step diffusion method can reduce surface dead layer and increase the electrically active phosphorus doping amount, compared with the conventional diffusion process, solar cell the preparation process of the open circuit voltage increased Voc 3mV, absolutely improve the photoelectric conversion efficiency of 0.1% Eff, power Pmpp 0.026W.
【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片低压扩散工艺
本专利技术涉及太阳能电池片制备
,尤其是一种太阳能电池片低压扩散工艺。
技术介绍
太阳能电池片扩散是太阳能电池硅片制作的一个过程:P—N结扩散,扩散工序:将硅片放入高温扩散炉中,通以氮气和POCL3等气体,在高温下分解后在硅片表面形成P-N结,其扩散制结(p-n结)的目的:在P型硅表面,通过扩散P原子构成,现有的晶体硅片一般为放置在卧式扩散炉中,通入混合气体,混合气体由氮气和三氯氧磷按比例混合而成,在常压下对晶体硅片进行扩散,这种方式普遍存在炉口和炉尾的方阻差异较大,且特其损耗量大,在进行高表面方块电阻制作时,容易导致后续的生产过程出现低效率的晶体硅太阳能电池片。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是:为了解决现有技术中太阳能电池片扩散工艺的炉口和炉尾的方阻差异较大的问题,现提高一种太阳能电池片低压扩散工艺,该低压扩散工艺制备的太阳能电池片扩散均匀性好,转换效率高且成本低。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种太阳能电池片低压扩散工艺,包括以下步骤:a、入炉抽真空:将晶体硅片放置在扩散炉内,通入大氮,关闭炉门,打开真空泵对炉内进行抽真空,使炉内压强维持在120±20mbar的真空状态;b、第一次磷源扩散:首先,炉内温度温度在770±30℃,然后向炉内通入小氮和氧气进行扩散;其中小氮为携带磷源蒸汽的氮气,小氮的流量为0.15±0.05L/min,氧气的流量为0.35±0.1L/min,扩散时间为10±2min,炉内压强维持在120±20mbar;c、第一次磷杂质推进:停止向炉内通入小氮,保持氧气流量为0.35±0. ...
【技术保护点】
一种太阳能电池片低压扩散工艺,其特征在于:包括以下步骤:a、入炉抽真空:将晶体硅片放置在扩散炉内,通入大氮,关闭炉门,打开真空泵对炉内进行抽真空,使炉内压强维持在120±20mbar的真空状态;b、第一次磷源扩散:首先,炉内温度温度在770±30℃,然后向炉内通入小氮和氧气进行扩散;其中小氮为携带磷源蒸汽的氮气,小氮的流量为0.15±0.05L/min,氧气的流量为0.35±0.1L/min,扩散时间为10±2min,炉内压强维持在120±20mbar;c、第一次磷杂质推进:停止向炉内通入小氮,保持氧气流量为0.35±0.1L/min,使炉内温度升至830±20℃,对晶体硅片进行第一次磷杂质推进,磷杂质推进时间为5±2min,炉内的压强维持在120±20mbar;d、降温:停止向炉内通入氧气,使炉内温度降至810±20℃,炉内压强维持在120±20mbar;e、第二次磷源扩散:使炉内的温度温度在810±20℃,向炉内通入小氮和氧气进行扩散;其中,小氮的流量为0.13±0.05L/min,氧气的流量为0.42±0.1L/min,扩散时间为8±2min,炉内压强维持在120±20mbar; ...
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片低压扩散工艺,其特征在于:包括以下步骤:a、入炉抽真空:将晶体硅片放置在扩散炉内,通入大氮,关闭炉门,打开真空泵对炉内进行抽真空,使炉内压强维持在120±20mbar的真空状态;b、第一次磷源扩散:首先,炉内温度温度在770±30℃,然后向炉内通入小氮和氧气进行扩散;其中小氮为携带磷源蒸汽的氮气,小氮的流量为0.15±0.05L/min,氧气的流量为0.35±0.1L/min,扩散时间为10±2min,炉内压强维持在120±20mbar;c、第一次磷杂质推进:停止向炉内通入小氮,保持氧气流量为0.35±0.1L/min,使炉内温度升至830±20℃,对晶体硅片进行第一次磷杂质推进,磷杂质推进时间为5±2min,炉内的压强维持在120±20mbar;d、降温:停止向炉内通入氧气,使炉内温度降至810±20℃,炉内压强维持在120±20mbar;e、第二次磷源扩散:使炉内的温度温度在810±20℃,向炉内通入小氮和氧气进行扩散;其中,小氮的流量为0.13±0.05L/min,氧气的流量为0.42±0.1L/min,扩散时间为8±2min,炉内压强维持在120±20mbar;f、第二次磷杂质推进:使炉内的稳定将至790±20℃,停止向炉内通入小氮,保持氧气的流量为0.6±0.3L/min,推进时间10±2min,炉内压强维持在120±20mbar;g、后氧化:使炉内的温度将至770±2...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙铁囤,方辉,郭银银,
申请(专利权)人:常州亿晶光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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