The invention provides a locally doped crystalline silicon solar cell fabrication process and the battery, wherein the method comprises the following steps: in crystal silicon, depositing a passivation layer on the passivation layer, partial opening in the local opening at the back and paste deposition doping doping; and optionally, on the back of the first metal deposition among them, the local size; the size of the opening is less than the size of slurry deposition doping. The invention can adjust the back opening size and local deposition doping slurry size, battery back surface field strength increased significantly, reduce the local recombination rate, and thus greatly improve the open circuit voltage and the fill factor, then improve the conversion efficiency of the battery.
【技术实现步骤摘要】
一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池
本专利技术属于太阳能电池领域,涉及一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法及其制得的电池,尤其涉及一种通过调整背面局部开口尺寸与沉积掺杂浆料的尺寸来制备局部掺杂晶体硅太阳能电池的方法及所述方法制备得到局部掺杂晶体硅太阳能电池。
技术介绍
随着科技的发展,出现了局部背接触背钝化(PERC)太阳能电池,这是新开发出来的一种高效太阳能电池,得到了业界的广泛关注。其核心是在硅片的背光面用氧化铝或者氧化硅薄膜(5~100纳米)覆盖,以起到钝化表面,提高长波响应的作用,从而提升电池的转换效率。现有的PERC太阳能电池结构主要包括具有PN结的硅片层,以及依次设于硅片层背面的钝化层、氮化硅薄膜层和铝金属层,如CN104882498A、CN106057920A和CN105470349A中均公开了一种PERC太阳能电池。所述PERC太阳能电池的制备方法主要包括如下步骤:制绒、扩散、背抛光、刻蚀和去杂质玻璃、背面沉积钝化层(如氧化铝、氧化硅薄膜或氮化硅)、正面沉积氮化硅减反射层、背面局部开口、丝网印刷背面银浆料、丝网印刷背面铝浆料、丝网印刷正面银浆料和烧结,通过所述方法制得的太阳能电池的结构如图1所示。从图3中可以看出,通过铝原子在硅中的替位掺杂,在硅片背部局部形成了P/P+的结构,但由于铝原子在硅中固溶度限制,P+浓度峰值仅能达到3×1018cm-3,其限制了太阳能电池的电池转换效率。为了得到更高的电池转换效率,新南威尔士州立大学提出了PERL结构,其特点是用在硅中有高固溶度的硼原子替代铝形成掺杂,其掺杂浓度可以达到1×10 ...
【技术保护点】
一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)在晶体硅片背面沉积钝化层;(2)在钝化层上局部开口;(3)在局部开口处沉积掺杂浆料;(4)在背面掺杂;任选地,(5)背面沉积第一金属浆料;其中,步骤(2)中局部开口尺寸小于步骤(3)中沉积掺杂浆料的尺寸。
【技术特征摘要】
1.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)在晶体硅片背面沉积钝化层;(2)在钝化层上局部开口;(3)在局部开口处沉积掺杂浆料;(4)在背面掺杂;任选地,(5)背面沉积第一金属浆料;其中,步骤(2)中局部开口尺寸小于步骤(3)中沉积掺杂浆料的尺寸。2.一种局部掺杂晶体硅太阳能电池的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(A)在晶体硅片背面沉积钝化层;(B)在钝化层上沉积掺杂浆料;(C)在背面局部开口,同时进行掺杂;任选地,(D)背面沉积第一金属浆料;其中,步骤(C)中局部开口的尺寸小于步骤(B)中沉积掺杂浆料的尺寸。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中局部开口的方式为激光开口或腐蚀开口;优选地,所述腐蚀开口为溶液和/或浆料腐蚀开口;优选地,步骤(4)中所述掺杂方法为激光诱导、热推进或离子注入中任意一种或至少两种的组合。4.根据权利要求2所述的制备方法,步骤(C)中同时掺杂和局部开口的方法为:使用激光在钝化层上形成开口,同时进行激光掺杂。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)和步骤(C)中局部开口尺寸均独立的为100μm~200μm;优选地,步骤(3)和步骤(B)沉积掺杂浆料的尺寸均独立的为110μm~300μm。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)和步骤(A)所述晶体硅片均独立的为p型硅片;优选地,步骤(1)和步骤(A)所述背面沉积钝化层中的沉积方法均独立的为丝网印刷、化学气相沉积、物理气相沉积或喷墨印刷中任意一种或至少两种的组合;优选地,步骤(1)和步骤(A)所述背面沉积钝化层中的钝化层均独立的为氧化铝、氮化硅或氧化硅薄膜中任意一种或至少两种的组...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴坚,王栩生,蒋方丹,邢国强,
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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