The invention relates to the solar cell field. The invention discloses a silicon heterojunction solar battery and a preparation method thereof, wherein the silicon heterojunction solar battery comprises a silicon substrate, a first intrinsic amorphous layer, second intrinsic amorphous layer, a first doped layer, second doped layer, a first transparent conductive layer and the two transparent conductive layer. Among them, the first transparent conductive layer and / or the second transparent conductive layer is composed of metal film and transparent conductive laminated dielectric film. The metal film is composed of a silver film, a gold film, an aluminum film, a copper film, a chromium film, a molybdenum film, a tungsten film, a niobium film or its alloy material film. The sheet resistance of the invention, a transparent conductive layer of transparent conductive oxide films than traditional has lower and has strong ability to reflect the middle and far infrared, can improve the performance of silicon heterojunction solar cells.
【技术实现步骤摘要】
一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于太阳能电池领域,具体地涉及一种硅基异质结太阳能电池及其制备方法。
技术介绍
太阳能电池能够将太阳光直接转换为电力,因此作为新的能量源受到越来越多国家的重视。HeterojunctionwithIntrinsicThinlayer太阳能电池简称HIT太阳能电池,其最早是由三洋公司专利技术的,其是非晶硅/晶硅异质结的太阳能电池,是一种利用晶硅基片和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。由于HIT太阳能电池具有高的光电转换效率,低的温度系数和在相对低温条件下的制备技术,在近几年来成为光伏行业研究和开发的重点方向之一。目前日本的三洋公司产业化的HIT太阳能电池的效率已超过23%,其实验室效率已超过了25%。图1A和图1B所示为现有的HIT太阳能电池的结构示意图。在图1A和图1B中,在由单晶硅、多晶硅等的结晶类半导体构成的n型结晶类硅基板1的受光面上,本征非晶硅层2、p型非晶硅层3依次叠层,进而在其上形成ITO透明导电氧化物层4和由银浆印刷构成的梳型形状的栅电极9;在结晶类硅基板1的背光面上依次叠层本征非晶硅层5、n型非晶硅层6,进而在其上形成ITO透明导电氧化物层7和由银浆印刷构成的梳型形状的栅电极9,汇流条电极8将栅电极9的电流汇集起来;在这里通常的ITO透明导电氧化物层的方块电阻一般都在30-60Ω/□,这就需要使用较多的栅电极来收集载流子,从而对银浆的需求量增大,增加了成本。这种HIT太阳能电池按照以下的顺序制造。首先,使用等离子体CVD法,在结晶类基板1的受光面上连续形成本征非晶硅层2、p型非晶硅层3,在背光 ...
【技术保护点】
一种硅基异质结太阳能电池,包括晶硅基片,所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层,所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层,所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层,所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层,所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层,其特征在于:所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成,所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面,所述金属膜层的总厚度≤20nm;所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时,与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV,和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV;所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时,与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV,和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。
【技术特征摘要】
1.一种硅基异质结太阳能电池,包括晶硅基片,所述晶硅基片的受光面和背面分别设置有第一本征非晶层和第二本征非晶层,所述第一本征非晶层上设置有第一掺杂层,所述第二本征非晶层上设置有第二掺杂层,所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层,所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层,其特征在于:所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成,所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面,所述金属膜层的总厚度≤20nm;所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时,与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV,和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV;所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时,与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV,和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。2.一种硅基异质结太阳能电池,包括晶硅基片,所述晶硅基片的受光面设置有第一本征非晶层,所述第一本征非晶层上设置有一减反射层,所述晶硅基片的背面设置有第二本征非晶层,所述第二本征非晶层的表面区域内交错设置有第一掺杂层和第二掺杂层,所述第一掺杂层上设置有第一透明导电层,所述第二掺杂层上设置有第二透明导电层,其特征在于:所述第一透明导电层和/或所述第二透明导电层由金属膜层和电介质膜层构成,所述电介质膜层覆盖在所述金属膜层的上下两表面;所述第一掺杂层为p型掺杂层且第二掺杂层为n型掺杂层时,与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV,和/或与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV;所述第一掺杂层为n型掺杂层且第二掺杂层为p型掺杂层时,与第二掺杂层接触的电介质膜层的功函数≥4.5eV,和/或与第一掺杂层接触的电介质膜层的功函数≤5.0eV。3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于:所述第一本征非晶层与减反射层之间设置有一层掺杂层,所述掺杂层的导电类型与晶硅基片一致。4.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于:位于金属膜层下表面的电介质膜层为金属硫族化合物膜层。5.根据权利要求4所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于:所述金属硫族化合物膜层为硫化锌、硒化锌、硫硒化锌、硫化铟、硒化铟、硫硒化铟、硫化镉、硫化镉锌中的一种或两种以上。6.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于:所述金属膜层为银膜层、金膜层、铝膜层、铜膜层、铬膜层、钼膜层、钨膜层、铌膜层或其合金材料膜层。7.根据权利要求1或2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于:位于金属膜层上表面的电介质膜层为氧化钛、氧化钛锡、氧...
【专利技术属性】
技术研发人员:李艺明,邓国云,李浩,
申请(专利权)人:江苏神科新能源有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。