一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法，本发明专利技术的改良的鳍式场效应晶体管包括：基底；鳍部，所述鳍部第一源区和第一漏区以及沟道区；所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，本发明专利技术提高驱动电流，减小源/漏区的电阻，改善晶体管性能。

Improved fin type field effect transistor and manufacturing method thereof

The invention discloses a fin field effect transistor and its manufacturing method of a modified, modified fin field effect transistor of the invention includes: a substrate; the fin, the fin of the first source region and a first drain region and a channel region; the fin first source region and the drain region thickness is less than the first the thickness of the channel region, the source region of the first fin and the first drain region on both sides of the top and are formed and the lattice constant fin second different source region and the drain region second, the first source region and the source region of a second source region, the drain region and the first second drain region composed of drain region the invention improves the driving current, reducing resistance of source / drain region, improving transistor performance.

【技术实现步骤摘要】
一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。技术背景晶体管是集成电路中关键的元件。为了满足晶体管更快速的需求，需要较高的驱动电流。另外，由于晶体管的驱动电流正比于晶体管的栅极宽度，为了提高驱动电流，需要较大的栅极宽度。鳍式场效应晶体管具有一从基底突出的狭窄半导体材料有源区域作为鳍部，此鳍部包括源区与漏区，还包括源区与漏区之间的沟道区，栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅电极，栅极结构包裹覆盖鳍部沟道区，与沟道区的上表面以及两侧接触形成导电沟道，相当于增加了栅极宽度，有效增加了驱动电流，改善了器件性能。随着现有相关技术的进步，器件的特征尺寸进一步下降，需进一步改善工艺，进一步增加驱动电流；同时，随着鳍式场效应晶体管尺寸缩小，鳍的尺寸随之缩小，造成源/漏区的电阻增加。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种改良的鳍式场效应晶体管，提高驱动电流，减小源/漏区的电阻，改善晶体管性能。本专利技术的另一目的是提供上述改良的鳍式场效应晶体管的制作方法。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案：一种改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于鳍部两端的第一源区和第一漏区以及第一源区和第一漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区上表面以及两侧的栅极结构以及第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层位于所述栅极结构两侧，所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层。优选地，所述鳍部材料为硅，所述第二源区和第二漏区材料为硅锗或碳化硅。优选地，所述源区厚度以及漏区厚度与所述沟道区厚度相同。优选地，所述第一源区以及第一漏区宽度小于所述沟道区宽度。优选地，所述第一源区以及第一漏区两侧均投影在所述沟道区内部。优选地，所述基底材料为绝缘体上硅。一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括以下步骤：(1)提供基底，并在所述基底上形成中间厚度大于两端厚度的鳍部，其中厚度较薄两端区域分别为第一源区和第一漏区，厚度较厚的中间区域即为沟道区；(2)在所述沟道区的上表面以及两侧形成栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的第一绝缘隔离层；(3)在所述第一源区和第一漏区两侧以及顶部外延生长沉积晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度；(4)在所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层，并且在源区以及漏区注入n型或p型杂质。优选地，第(2)步之后，热氧化第一源区以及第一漏区，之后去除氧化层，减小第一源区以及第一漏区面积。相对于现有技术，本专利技术具有以下有益效果：本专利技术所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所以第二源区以及第二漏区分别与沟道区接触，第二源区和第二漏区晶格常数与鳍部不同，因此会为沟道区引入压应力或拉应力，从而提高沟道区的载流子迁移率；所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，因此本专利技术源区以及漏区面积得到相应扩大，所以源区以及漏区电阻得到有效减少。附图说明图1为第一实施例结构示意图；图2为第一实施例结构分解示意图；图3A-图3D为第一实施例制作过程示意图；图4为第二实施例鳍部结构示意图。具体实施方式下面结合附图以及实施例对本专利技术进行介绍，实施例仅用于对本专利技术进行解释，并不对本专利技术有任何限定作用。第一实施例如图1以及图2所示，本实施例的改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底100；位于所述基底100上的鳍部200，所述鳍部200包括位于鳍部200两端的第一源区211和第一漏区221以及第一源区211和第一漏区221之间的沟道区230；横跨所述沟道区230上表面以及两侧的栅极结构300以及第一绝缘隔离层400，所述第一绝缘隔离层400位于所述栅极结构300两侧，所述鳍部200的第一源区211和第一漏区221厚度小于沟道区230厚度，所述鳍部200的第一源区211和第一漏区221两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区212和第二漏区222，所述第一源区211与第二源区212组成源区210，所述源区210宽度大于所述沟道区230宽度，且所述源区210厚度不小于沟道区230厚度，所述第一漏区221与第二漏区222组成漏区220，所述漏区220宽度大于所述沟道区230宽度，且所述漏区220厚度不小于沟道区230厚度，所述源区210以及漏区220垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层500。本实施例基底100材料优选为绝缘体上硅(SOI)，此时所述SOI的顶层硅层用于形成所述鳍部200；基底100材料也可为硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(GeSi)或者碳化硅(SiC)等半导体衬底，此时所述鳍部200通过对上述半导体衬底刻蚀后形成，之后在鳍部两侧的半导体衬底上形成表面低于鳍部的绝缘介质层；基底100材料也可为氧化硅等绝缘衬底，此时所述鳍部200通过外延工艺形成，鳍部200材料可为硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(GeSi)或者碳化硅(SiC)。本实施例所述栅极结构300包括栅介质层以及栅介质层上的栅电极，所述栅介质层材料可为氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅等，栅电极可为多晶硅、金属氮化物、金属碳化物、金属氮碳化合物、金属氧化物、金属氧氮化合物或金属硅化物等导电材料，位于所述栅极结构300两侧的第一绝缘隔离层400用于隔离栅电极以及源漏电极，抑制栅极与源极或漏极产生漏电流，其材料可为氮化物或氧化物或其组合等。本实施例所述鳍部的第一源区211和第一漏区221两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区212和第二漏区222，例如，所述鳍部200材料为硅，所述第二源区212和第二漏区222材料可为硅锗或碳化硅等，所述鳍部200的第一源区211和第一漏区221厚度小于沟道区230厚度，所以第二源区212以及第二漏区222可以分别与沟道区230顶部接触，第二源区212和第二漏区222晶格常数与鳍部200不同，因此会为沟道区230引入压应力或拉应力，从而提高沟道区230的载流子迁移率，进而增加驱动电流，本实施例优选所述源区210厚度以及漏区220厚度与所述沟道区230厚度相同。本实施例所述第一源区211与第二源区212组成源区210，所述源区210宽度大于所述沟道区230宽度，且所述源区210厚度不小于沟道区230厚度，所述第一漏区221与第二漏区222组成漏区220，所述漏区220宽度大于所述沟道区230宽度，且所述漏区本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于鳍部两端的第一源区和第一漏区以及第一源区和第一漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区上表面以及两侧的栅极结构以及第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层位于所述栅极结构两侧，其特征在于：所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层。

【技术特征摘要】
1.一种改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于鳍部两端的第一源区和第一漏区以及第一源区和第一漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区上表面以及两侧的栅极结构以及第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层位于所述栅极结构两侧，其特征在于：所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层。2.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述鳍部材料为硅，所述第二源区和第二漏区材料为硅锗或碳化硅。3.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述源区厚度以及漏区厚度与所述沟道区厚度相同。4.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述第一源区以及第一漏区宽度小于所述沟道区宽度。5.如权利要求4所述的改良的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李风浪，
申请(专利权)人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44