一种石墨烯晶体管结构制造技术

本发明专利技术公布了一种石墨烯晶体管结构，其包括石墨烯与二硫化钼构成的异质结沟道层；采用二硫化钼构成的源漏外延层；在石墨烯层上沉积的HfAlON栅介质；HfAlON栅介质上的WSi栅金属；以及源漏外延层上的源漏金属。该晶体管结构应用高性能二维结构器件与电路。

Graphene transistor structure

The invention discloses a graphene transistor structure comprising heterogeneous graphene and MoS2 structure formed by the channel layer; a source drain with MoS2 epitaxial layer; HfAlON gate dielectric deposited on the graphene layer; WSi gate metal HfAlON gate dielectric on the epitaxial layer; and source and drain on the source drain metal. The transistor structure uses high performance two dimensional structure devices and circuits.

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯晶体管结构
本专利技术涉及半导体集成电路制造
，具体涉及一种采用石墨烯作为沟道材料的晶体管。
技术介绍
在集成电路领域，根据摩尔定律推测，每隔18个月，芯片中晶体管的数量便会提高一倍。随着集成度的提高，硅材料逐渐接近其物理极限。为了维持集成电路的不断发展，需要引进全新的技术和材料，新材料始终是现代电子工业的基础和关注的重点，其中石墨烯作为新一代半导体材料开发潜力巨大，有望取代硅，应用于电子器件中。石墨烯(Graphene)是一种由碳原子组成的，只有一个原子厚度的六角蜂窝状二维晶体。石墨烯具有优异的力学、热学和电学性能，远远超过硅和其它传统的半导体材料，其中石墨烯的理论载流子迁移率高达2×105cm2/V.s，比硅高两个数量级。利用石墨烯材料，可以研发出更小型，更快速的新型晶体管，晶体管的性能将显著提升，实现硅基晶体管无法完成的性能突破。因此，石墨烯自2004年被发现以来，得到了世界范围内科学界的广泛关注，被认为是下一代集成电路中有望延续摩尔定律的重要材料。CVD法可以制备出高质量大面积的石墨烯，被认为是最有前途的制备方法。目前，石墨烯作为性能优越的半导体材料，已经被应用于场效应晶体管的制备之中。2012年，加州大学洛杉矶分校(UCLA)的科研小组，研发出特征频率(fT)高达427GHz的石墨烯场效应晶体管。当前，采用CVD法石墨烯制备晶体管时，需要将石墨烯转移到目标衬底上。实验发现，转移的CVD石墨烯容易受到损伤和沾污，同时衬底与石墨烯直接接触产生的界面散射，会严重降低石墨烯中载流子的迁移率，这限制了石墨烯晶体管的高频性能。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术所要解决的技术问题是提供一种采用二维材料制作的异质结结构器件，所述结构避免了石墨烯受到衬底污染的影响，通过在衬底上先生长一层二维材料二硫化钼，将石墨烯和衬底分离，降低来自衬底的界面散射，同时也可以通过二硫钼的掺杂控制，实现石墨烯中载流子的高迁移率，提高石墨烯晶体管的高频性能。(二)技术方案为达到上述目的，本专利技术提供了一种石墨烯晶体管结构，其包括一由石墨烯与二硫化钼构成的异质结沟道层；一由二硫化钼构成的源漏外延层；一在石墨烯沟道层上沉积的HfAlON栅介质；一在HfAlON栅介质上沉积的WSi栅金属；以及源漏外延层上的源漏金属。在本方案中，所述的异质结沟道层是采用底层二硫化钼和顶层石墨烯构成的；底层二硫化钼的厚度为2-5纳米，为多层材料；顶层石墨烯为单层石墨烯材料。在本方案中，所述的二硫化钼构成的源漏外延层的掺杂类型为N型，掺杂杂质为钴，其为单层二硫化钼材料。在本方案中，所述的HfAlON栅介质是采用原子层沉积的方法沉积在石墨烯沟道层上的，其厚度为8纳米。在本方案中，所述的WSi栅金属是通过溅射法沉积到栅介质层上的，其W与Si的比例是0.15：0.85，其厚度为50纳米。在本方案中，所述源漏金属为钛/金，厚度为10/50纳米。(三)有益效果从上述技术方案可以看出，本专利技术具有以下有益效果：所述器件结构可以利用CVD生长的方法生长，实现了石墨烯与衬底的分离，大大降低了载流子散射，实现石墨烯中载流子的高迁移率，提高石墨烯晶体管的高频性能。本专利技术将二硫化钼与石墨烯材料结合起来，通过二硫化钼的材料属性，提升石墨烯材料的二维电子气浓度，以及改变其能带偏移。这种以石墨烯/二硫化钼为异质结结构形成MOS器件结构的器件，有望改变石墨烯器件本身电流开关比过小，关态性能差的问题。附图说明图1是本专利技术提供的石墨烯晶体管结构的实施例图；101为底层二硫化钼，102为顶层石墨烯，103为源漏外延层，104为HfAlON栅介质层，105为栅金属层，106为源漏金属。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图1，对本专利技术进一步详细说明。如图1所示，本实施例提供了一种石墨烯晶体管结构，其结构具体包括:一由石墨烯(102)与二硫化钼(101)构成的异质结沟道层；一由二硫化钼构成的源漏外延层(103)；一在石墨烯沟道层(102)上沉积的HfAlON栅介质(104)；一在HfAlON栅介质(104)上沉积的WSi栅金属(105)；以及源漏外延层(103)上的源漏金属(106)。在本实施例中，异质结沟道层是采用底层二硫化钼和顶层石墨烯构成的；底层二硫化钼(101)的厚度为2-5纳米，为多层材料；顶层石墨烯(102)为单层石墨烯材料；该二维材料构成的异质结结构可以通过机械剥离转移技术集成，也可以在SiC衬底上采用CVD方式生长。在本实施例中，采用单层的二硫化钼构成的源漏外延层(103)，该源漏外延层的掺杂类型为N型，掺杂杂质为钴，该层材料可以通过CVD的方式在源漏选区生长形成。在本实施例中，HfAlON栅介质(104)是采用原子层沉积的方法沉积在石墨烯沟道层(102)上的，其厚度为8纳米。在本实施例中，WSi栅金属(105)是通过溅射法沉积到栅介质层上的，其W与Si的比例是0.15：0.85，其厚度为50纳米。在本实施例中，所述源漏金属(106)为钛/金，厚度为10/50纳米。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯晶体管结构，其包括一由石墨烯与二硫化钼构成的异质结沟道层；一由二硫化钼构成的源漏外延层；一在石墨烯沟道层上沉积的HfAlON栅介质；一在HfAlON栅介质上沉积的WSi栅金属；以及源漏外延层上的源漏金属。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯晶体管结构，其包括一由石墨烯与二硫化钼构成的异质结沟道层；一由二硫化钼构成的源漏外延层；一在石墨烯沟道层上沉积的HfAlON栅介质；一在HfAlON栅介质上沉积的WSi栅金属；以及源漏外延层上的源漏金属。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯晶体管结构，其特征在于:所述的异质结沟道层是采用底层二硫化钼和顶层石墨烯构成的，这两层材料中的底层二硫化钼是掺杂的，掺杂杂质为碳。3.根据权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘丽蓉，王勇，丁超，
申请(专利权)人：东莞市广信知识产权服务有限公司，东莞华南设计创新院，
类型：发明
国别省市：广东,44