耐压终端环结构与功率器件制造技术

本申请提供了一种耐压终端环结构与功率器件。该耐压终端环结构包括衬底、多个场环、多个场板与介质膜，其中，多个场环间隔设置在衬底内且靠近第二表面设置，各场环的导电类型与衬底的导电类型相反，多个场环中包括至少一个耐压环与两个等位环，两个等位环沿远离耐压环的方向依次设置；场板与场环一一对应地设置，且各场板设置在各第一部分表面上，各耐压环对应的平行段向靠近第三表面的方向延伸，各等位环对应的平行段向远离第三表面的方向延伸；介质膜设置在第二部分表面以及部分第一部分表面上。包括该结构的功率器件的反向击穿电压较稳定，器件的可靠性更高。

Voltage termination loop structure and power device

The present invention provides a voltage resistant terminal ring structure and a power device. The terminal voltage loop structure comprises a substrate, a plurality of field ring, a plurality of field plate and the dielectric film, wherein a plurality of ring spacer is disposed in the substrate and near the surface of the second set, conductivity type and substrate each ring on the contrary, including at least one pressure ring and two a ring a ring, a ring along the two direction away from the pressure ring are sequentially arranged; field plates and field ring corresponding to the set, and the field plate are arranged on the first surface portion, parallel segments of the corresponding pressure ring extends to the surface near the third direction, the equipotential rings corresponding parallel section from the third to the direction of the surface extension; dielectric film set in the second part of the first part on the surface and surface. The reverse breakdown voltage of the power device including the structure is more stable, and the device reliability is higher.

【技术实现步骤摘要】
耐压终端环结构与功率器件
本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种耐压终端环结构与功率器件。
技术介绍
随着电力电子技术的发展，高电压的功率器件成为了电力电子应用中的核心元器件。图1示出了现有的一种典型的高压功率器件的耐压终端环结构。它由衬底1'、内部的场环2'、场板3以及介质膜4'组成，其中，场环2'有耐压环21'与最靠近器件边缘的截止环22'(equalpotentialring，又称等位环)，这种结构对产品制作工艺的要求非常高，对产品制作过程中存在的电荷非常敏感。也就是说，一旦在加工过程中不论什么原因引入可动电荷，这种器件的击穿电压性能将不可避免地出现劣化，比如，漂移或蠕动等。以内部的场环是P型重掺杂区，场板为金属场板为例来说明图1所示的耐压终端环结构击穿电压出现漂移的原理，具体原理是：在反向偏置时，耐压环的电位是负的，而与耐压环相连的金属场板的电位与耐压环是电位一致的，那么，金属场板的电位比金属场板下面的衬底的电位更低，因此，金属场板的电位就为“负”，其正下方的衬底电位为“正”，介质膜中的可动正电荷都将被吸引到靠近金属的边缘，而可动负电荷将被从这里被排斥出去，这将导致可动电荷在金属场板下面的表面进行重新分布，由此带来反向击穿耐压随着时间的变化而发生漂移。此时，可动负电荷继续向外移动，击穿耐压不断增大(漂移)，严重影响产品的可靠性。因此，除从器件的结构设计来确保器件能够承受很高的反向击穿电压外，精准的制作工艺也是必不可少的，精准的制作工艺可以将可动电荷的数量控制在一定的范围内，使得可动电荷导致的击穿电压的漂移或者蠕动可以忽略，进而保证器件的击穿电压较稳定。但是，在高压功率器件的制作工艺中，如果工厂的生产加工能力不足或控制水平低的话，很难做到将可动电荷控制在很小的范围内，因此，亟需一种可以稳定击穿电压的耐压终端环结构。
技术实现思路
本申请的主要目的在于提供一种耐压终端环结构与功率器件，以解决现有技术中的高压功率器件的击穿电压不稳定的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种耐压终端环结构，该耐压终端环结构包括：衬底，包括第一表面、第二表面与第三表面，上述第一表面与上述第二表面相对设置，上述第三表面连接设置在上述第一表面和上述第二表面之间，上述第二表面由相互间隔的多个第一部分表面和多个第二部分表面组成；多个场环，间隔设置在上述衬底内且靠近上述第二表面设置，且各上述场环的远离上述第一表面的表面与上述第一部分表面重合，各上述场环的导电类型与上述衬底的导电类型相反，上述多个场环中包括至少一个耐压环与两个等位环，两个上述等位环沿远离上述耐压环的方向依次设置；多个场板，与上述场环一一对应地设置，且各上述场板设置在各上述第一部分表面上，各上述场板均为L型场板，且各上述L型场板包括与上述第一表面平行的平行段以及与上述第一表面垂直的垂直段，上述垂直段与上述场环接触设置，各上述耐压环对应的上述平行段向靠近上述第三表面的方向延伸，各上述等位环对应的上述平行段向远离上述第三表面的方向延伸；介质膜，设置在上述第二部分表面以及部分上述第一部分表面上，且上述介质膜设置在上述第二表面与各上述平行段之间。进一步地，上述耐压终端环结构还包括：钝化膜，设置在上述介质膜的裸露表面上以及各上述平行段的远离对应的上述垂直段的表面上，上述钝化膜用于覆盖上述介质膜与各上述平行段的裸露表面。进一步地，各上述场环均为重掺杂环，且各上述场环的掺杂浓度大于上述衬底的掺杂浓度。进一步地，上述场板包括金属场板和/或多晶硅场板。进一步地，上述介质膜包括氧化层。进一步地，上述钝化膜的材料包括氮化硅或氮氧化硅。根据本申请的另一方面，提供了一种功率器件，包括耐压终端环结构，该耐压终端环结构为上述任一种的耐压终端环结构。应用本申请的技术方案，本申请的上述耐压终端环结构中，在现有技术中的一个等位环(该等位环又称为截止环，紧靠近衬底的第三表面设置)的基础上，增加了一个等位环，且增加的等位环设置在边缘的等位环与耐压环之间，增加的等位环对应的场板的延伸方向与耐压环对应的场板的延伸方向相反，当器件反向偏置时，增加的等位环对应的场板与衬底的电位关系与耐压环对应的场板与衬底的电位关系是相反的，这样等位环对应的场板与耐压环对应的场板吸引的电荷的导电类型是相反的，这样这两种导电类型相反的可动电荷会中和而被释放掉，一方面由于耐压环对应的场板正下方的介质膜中的被场板吸附的可动电荷被中和掉了，另一方面由于等位环对应的场板的电位相比其正下方的衬底较高，会吸引与其(被中和掉的可动电荷)导电类型相反的可动电荷，进而使得该区域不会有与其(被中和掉的可动电荷)导电类型相反的可动电荷源源不断地移至衬底与介质膜的界面处，进而削弱了可动电荷对反向击穿电压的影响，使得包括该结构的功率器件的反向击穿电压更加稳定，器件的可靠性更高。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了现有技术中的耐压终端环结构的结构示意图；图2示出了本申请的一种实施例提供的耐压终端环结构的结构示意图；以及图3示出了本申请的一种实施例提供的功率器件的结构示意图。其中，上述附图包括以下附图标记：1'、衬底；2'、场环；3'、场板；4'、介质膜；21'、耐压环；22'、截止环；1、衬底；2、场环；3、场板；4、介质膜；5、钝化膜；21、耐压环；22、等位环；31、垂直段；32、平行段；01、有源区。具体实施方式应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属
的普通技术人员通常理解的相同含义。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。正如
技术介绍
所介绍的，现有技术中的高压功率器件的击穿电压对工艺加工过程中产生的可动电荷非常敏感，容易发生漂移，为了解决如上的技术问题，本申请提出了一种耐压终端环结构与功率器件。本申请的一种典型的实施方式中，提供了一种耐压终端环结构，如图2所示，该耐压终端环结构包括衬底1、多个场环2、多个场板3以及介质膜4。其中，各场环2包括第一表面、第二表面与第三表面，上述第一表面与上述第二表面相对设置，上述第三表面连接设置在上述第一表面和上述第二表面之间，上述第二表面由相互间隔的多个第一部分表面和多个第二部分表面组成；多个场环2间隔设置在上述衬底1内且靠近上述第二表面设置，且各上述场环2的远离上述第一表面的表面与上述第一部分表面重合，各上述场环2的导电类型与上述衬底1的导电类型相反，上述多个场环2中包括至少一个耐压环21与两个等位环22，两个上述等位环22沿远离上述耐压环21的方向(靠近第三表面的方向)依次设置，其中，紧靠(与第三表面距离最小)第三表面设置的等位环又称截止环；场板3与上述场环2一一对应地设置，且各上述场板3设置在各上述第一部分表面上，各上述场本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种耐压终端环结构，其特征在于，所述耐压终端环结构包括：衬底(1)，包括第一表面、第二表面与第三表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置，所述第三表面连接设置在所述第一表面和所述第二表面之间，所述第二表面由相互间隔的多个第一部分表面和多个第二部分表面组成；多个场环(2)，间隔设置在所述衬底(1)内且靠近所述第二表面设置，且各所述场环(2)的远离所述第一表面的表面与所述第一部分表面重合，各所述场环(2)的导电类型与所述衬底(1)的导电类型相反，所述多个场环(2)中包括至少一个耐压环(21)与两个等位环(22)，两个所述等位环(22)沿远离所述耐压环(21)的方向依次设置；多个场板(3)，与所述场环(2)一一对应地设置，且各所述场板(3)设置在各所述第一部分表面上，各所述场板(3)均为L型场板，且各所述L型场板包括与所述第一表面平行的平行段(32)以及与所述第一表面垂直的垂直段(31)，所述垂直段(31)与所述场环(2)接触设置，各所述耐压环(21)对应的所述平行段(32)向靠近所述第三表面的方向延伸，各所述等位环(22)对应的所述平行段(32)向远离所述第三表面的方向延伸；以及介质膜(4)，设置在所述第二部分表面以及部分所述第一部分表面上，且所述介质膜(4)设置在所述第二表面与各所述平行段(32)之间。...

【技术特征摘要】
1.一种耐压终端环结构，其特征在于，所述耐压终端环结构包括：衬底(1)，包括第一表面、第二表面与第三表面，所述第一表面与所述第二表面相对设置，所述第三表面连接设置在所述第一表面和所述第二表面之间，所述第二表面由相互间隔的多个第一部分表面和多个第二部分表面组成；多个场环(2)，间隔设置在所述衬底(1)内且靠近所述第二表面设置，且各所述场环(2)的远离所述第一表面的表面与所述第一部分表面重合，各所述场环(2)的导电类型与所述衬底(1)的导电类型相反，所述多个场环(2)中包括至少一个耐压环(21)与两个等位环(22)，两个所述等位环(22)沿远离所述耐压环(21)的方向依次设置；多个场板(3)，与所述场环(2)一一对应地设置，且各所述场板(3)设置在各所述第一部分表面上，各所述场板(3)均为L型场板，且各所述L型场板包括与所述第一表面平行的平行段(32)以及与所述第一表面垂直的垂直段(31)，所述垂直段(31)与所述场环(2)接触设置，各所述耐压环(21)对应的所述平行段(32)向靠近所述第三表面的方向延伸，各所述等位环(22)对应的所述平行段(3...

【专利技术属性】
技术研发人员：义夫，华国安，
申请(专利权)人：丽晶美能北京电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11